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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN29M9UFDF 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN29M9UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN29M9UFDF
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN29M9UFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN29M9UFDF 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時(shí)保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN29M9UFDF
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.6 nC

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)柵極

 

相關(guān)型號(hào)
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