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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2710UDWQ 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2710UDWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2710UDWQ
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2710UDWQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2710UDWQ 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2710UDWQ
名稱               雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               SOT363


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
互補對 MOSFET
超小型表面貼裝封裝
靜電放電保護


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