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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2009UFDF 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2009UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2009UFDF
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2009UFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2009UFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS( ON ) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2009UFDF
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6 (Type F)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 27.9 nC
CISS Typ (pF) 1083 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻


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