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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN15H310SE 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN15H310SE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN15H310SE
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN15H310SE 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN15H310SE 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電（RDS（on）），并且仍然保持優(yōu)異的切換性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN15H310SE
名稱(chēng)               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT223

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 150 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 7.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 310 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 330 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.7 nC
CISS Typ (pF) 405 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快
低門(mén)檻
低柵極驅(qū)動(dòng)
低輸入電容


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