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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN14M8UFDF 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN14M8UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN14M8UFDF
  • 名稱 12V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN14M8UFDF 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN14M8UFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN14M8UFDF
名稱               12V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 29.5 nC
CISS Typ (pF) 1246 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占板面積為 4mm2 ? 低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻


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