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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H120SE 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN10H120SE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H120SE
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H120SE 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H120SE這種新一代MOSFET具有低導通電阻和快速開關(guān)，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMN10H120SE
名稱            N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 122 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10 nC
CISS Typ (pF) 549 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
小型表面貼裝封裝
完全無鉛且完全符合 RoHS 標準（注釋 1 和 2）
不含鹵素和銻?！熬G色”設(shè)備（注3）


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DMN10H220LDV
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