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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMHT10H032LFJ 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMHT10H032LFJ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMHT10H032LFJ
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 V-DFN5045-12

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMHT10H032LFJ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMHT10H032LFJ 這款新一代互補(bǔ) MOSFET H 橋具有低導(dǎo)通電阻，可通過(guò)低柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMHT10H032LFJ
名稱            100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            V-DFN5045-12

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 33 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.9 nC
CISS Typ (pF) 683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
熱效率高的封裝 – 運(yùn)行溫度更低的應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快


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