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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG302PU 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMG302PU

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG302PU
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG302PU

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG302PU 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG302PU
名稱            P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.17 A
PD @TA = +25°C (W) 0.45 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 27.2 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度
小型表面安裝封裝


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