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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXTN2011Z 低飽和 晶體管

型號(hào)： ZXTN2011Z

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車(chē)
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 4.5
  • ICM (A) 10
  • PD (W) 2.1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 31

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2011Z 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2011Z 這款采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 100V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動(dòng)和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 汽車(chē)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4.5
ICM (A) 10
PD (W) 2.1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 115
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 31

 

主要特征
bvco>100伏
IC=4.5A高連續(xù)電流
ICM=10A峰值脈沖電流
RCE（sat）=31米? 對(duì)于低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓VCE（sat）<60mV@IC=1A
hFE規(guī)定高達(dá)10A，用于高電流增益保持
無(wú)鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號(hào)
ZXTN19100CG
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ZXTN2010ZQ
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