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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXTN2010G 低飽和 晶體管

型號(hào)： ZXTN2010G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車(chē)
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 60
  • IC (A) 6
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 35

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2010G 

 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2010G 這款新型低飽和 60V NPN 晶體管采用 SOT223 封裝，導(dǎo)通狀態(tài)損耗極低，非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動(dòng)和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 汽車(chē)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 135
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 35

 

主要特征
bvco>60伏
IC=6A連續(xù)集電極電流
ICM=20A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE（SAT）<60mV最大值@1A
低等效導(dǎo)通電阻時(shí)，RSAT=35mΩ@Ic=6A
hFE規(guī)定高達(dá)10A用于高增益保持
無(wú)鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號(hào)
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
ZXTN2007Z
ZXTN2010A
ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
ZXTN2018FQ
ZXTN2020F
ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

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