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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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QPD1019 內(nèi)部匹配分立式 GaN

型號： QPD1019

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 2,900
  • 最大頻率(MHz) 3,300
  • 增益（分貝） 15.5
  • 飽和度(dBm) 57.7
  • PAE （%） 67
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 750
  • 包裝類型 RF-565

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1019

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 歐姆，采用行業(yè)標準氣腔封裝，非常適合軍用雷達。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 2,900
最大頻率(MHz) 3,300
增益（分貝） 15.5
飽和度(dBm) 57.7
PAE （%） 67
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 750
包裝類型 RF-565

 

主要特征
頻率范圍：2.9 - 3.3 GHz
輸出功率 (P3dB)：3.1 GHz 時為 590 W
線性增益：3.1 GHz 時典型值為 15.5 dB
典型 PAE3dB：3.1 GHz 時為 67%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
脈沖能力

 

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