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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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PTVA101K02EV-V1 大功率射頻 LDMOS FET 1000 W CREE

型號： PTVA101K02EV-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 集成 ESD 保護(hù)
  • 脈沖條件下承受 1000 W
  • 負(fù)載失配 10:1
  • LTDF 6.4%

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PTVA101K02EV LDMOS FET 設(shè)計用于 1030 MHz / 1090 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。特點包括高增益和帶有螺栓固定法蘭的熱增強封裝。采用先進(jìn)的 LDMOS 工藝制造；該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PTVA101K02EV-V1

 


特征
寬帶輸入匹配
高增益和高效率
集成 ESD 保護(hù)
人體模型 2 類（根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
能夠在 MODE-S 脈沖條件下承受 1000 W 的 10:1 負(fù)載失配（所有相位角）；（32μS 開啟/18μS 關(guān)閉）X 80；LTDF = 6.4%。


應(yīng)用
1030 至 1090 MHz 頻段的功率放大器


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