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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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PXAD184218FV-V1 大功率射頻 LDMOS FET 420 W CREE

型號： PXAD184218FV-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P1dB 290 W 典型值
  • P3dB 時的輸出功 420 W
  • 效率 62%
  • 增益 14 分貝
  • 輸出功率 110 W (WCDMA)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PXAD184218FV 是一款采用非對稱設計的 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，旨在用于 1805 至 1880 MHz 頻段的多標準蜂窩功率放大器應用。特點包括雙路徑設計；輸入輸出匹配；帶無耳法蘭的高增益和熱增強封裝。采用先進的 LDMOS 工藝制造；該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PXAD184218FV-V1

 


特征
寬帶內(nèi)部輸入輸出匹配
非對稱 Doherty 設計：主 P1dB = 130 W Typ；峰值 P1dB = 290 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；1842.5 兆赫；28 伏；Doherty 配置：P3dB 時的輸出功率 = 420 W；效率 = 62%；增益 = 14 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @ 28 V；110 W (WCDMA) 輸出功率
集成 ESD 保護
無鉛；符合 RoHS 標準


應用
多標準蜂窩功率放大器


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