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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC105N10LSF G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC105N10LSF G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

BSC105N10LSF G-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝,設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高電流的應(yīng)用。該MOSFET 具有100V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),適合高電壓開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為2.5V,提供相對較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在4.5V柵極驅(qū)動下為12.36mΩ,在10V柵極驅(qū)動下為9mΩ。其漏極電流(ID)高達(dá)65A,采用Trench技術(shù)制造,能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能和高效的功率處理能力,適用于多種高電壓和高電流的電路設(shè)計(jì)。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12.36mΩ @ VGS = 4.5V
 - 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:65A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高電壓電源管理**:
  BSC105N10LSF G-VB 非常適合用于高電壓電源管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器和高電壓電源開關(guān)模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,適用于處理高電壓負(fù)載的應(yīng)用場景。

2. **電動汽車**:
  在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動模塊中,BSC105N10LSF G-VB 提供了可靠的電流控制和低功耗特性,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)的整體性能和效率。

3. **工業(yè)電源控制**:
  工業(yè)自動化設(shè)備中的電源控制和電機(jī)驅(qū)動器需要處理高電壓和大電流,BSC105N10LSF G-VB 能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能和穩(wěn)定的功率處理能力,保證設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定工作。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  對于需要高電壓和高功率的消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高性能音響和家電,BSC105N10LSF G-VB 可以有效地控制大電流,提供高效的電源管理,提升產(chǎn)品的性能和使用壽命。

5. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**:
  在通信設(shè)備中的高電壓電源模塊中,BSC105N10LSF G-VB 能夠處理大電流和高電壓,適合用于電源開關(guān)和功率放大器,提供可靠的電流控制和低功耗運(yùn)行,提高設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性。

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