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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC100N06LS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSC100N06LS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**型號:BSC100N06LS3 G-VB**

BSC100N06LS3 G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。這款MOSFET利用先進的Trench技術制造,具有較低的導通電阻和良好的電流處理能力,適合用于各種電源管理和開關應用。BSC100N06LS3 G-VB支持高達60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其門檻電壓(Vth)為2.5V,確保能夠在適中的柵極電壓下可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導通電阻(RDS(ON))為13mΩ,在10V柵極電壓下為10mΩ,能夠提供高達50A的連續(xù)漏極電流(ID)。這使其在要求較高電流和高效率的應用中表現(xiàn)出色。

### 二、詳細的參數(shù)說明

- **型號**: BSC100N06LS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 13mΩ
 - @VGS = 10V: 10mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 50A
- **技術**: Trench

 

### 三、應用領域和模塊舉例

**電源管理系統(tǒng)**:BSC100N06LS3 G-VB因其良好的電流處理能力和適中的導通電阻,適用于各種電源管理系統(tǒng)。在DC-DC轉換器、開關電源和電源供應單元中,這款MOSFET可以有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,適用于計算機電源、電源適配器和通信設備中的電源管理模塊。

**電動汽車**:在電動汽車的電機驅動和電池管理系統(tǒng)中,BSC100N06LS3 G-VB能夠處理較高的電流,確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定。這款MOSFET的低導通電阻和適中的電流處理能力使其成為電動汽車驅動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中的理想選擇。

**LED驅動器**:對于中高功率的LED照明應用,BSC100N06LS3 G-VB提供的低導通電阻有助于減少功耗和熱量,提高LED的工作效率和使用壽命。這使其在LED驅動模塊和高亮度LED照明系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

**工業(yè)電源**:BSC100N06LS3 G-VB適用于工業(yè)電源系統(tǒng),如變頻器和工業(yè)電源供應單元。其良好的電流處理能力和導通電阻適中,可以處理各種工業(yè)應用中的功率負載,保證系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。

**開關電路**:在需要可靠開關性能的電路中,如電機驅動和功率轉換模塊,BSC100N06LS3 G-VB能夠提供穩(wěn)定的開關性能。其適中的導通電阻和高電流能力使其適合用于各種開關應用。

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