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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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CMPA5585030D HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

型號： CMPA5585030D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 小信號增益 30 dB
  • 典型 PSAT 高達 50 W
  • 工作電壓 高達 28 V
  • 擊穿電壓 高擊穿電壓
  • 操作溫度 高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這個 MMIC 包含一個兩級；無功匹配放大器設計方法能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。該 MMIC 可作為裸片和 10 引線金屬/陶瓷法蘭封裝提供，以實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。

CMPA5585030D

 

特征
30 dB 小信號增益
高達 50 W 的典型 PSAT
工作電壓高達 28 V
高擊穿電壓
高溫操作


應用
點對點無線電
通訊
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器

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