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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

型號： C6D06065G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 重復(fù)峰值反向電壓 650V
  • 直流阻斷電壓 650V
  • 功耗 73-31W
  • 總電容電荷 22nC
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to+150?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿足各種應(yīng)用要求，而不用擔心熱失控。 結(jié)合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應(yīng)用中降低整體系統(tǒng)成本。

C6D06065G


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關(guān)損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復(fù)電流/正向
恢復(fù)電壓
? 與溫度無關(guān)的開關(guān)行為
? 低漏電流 (IR)

應(yīng)用
? 工業(yè)電源
? 開關(guān)模式電源
? 服務(wù)器/電信電源
? 功率因數(shù)校正
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源供應(yīng)


重復(fù)峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
功耗：73-31W
總電容電荷：22nC
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+150?C

 

相關(guān)型號
C6D06065G C6D10065G
C3D06065E C3D10065E
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C3D08065A C3D16065A
C6D08065E C3D20065D
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