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FSB50660SFT Motion SPM

數(shù)據(jù):

FSB50660SF和FSB50660SFT是基于超級(jí)結(jié)MOSFET(SuperFET)技術(shù)的運(yùn)動(dòng)SPM5 SuperFET系列產(chǎn)品,用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如冰箱,電扇和泵.FSB50660SF六個(gè)SuperFET MOSFET,三個(gè)具有溫度感測(cè)功能的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器HVIC及三個(gè)自舉二極管,在一個(gè)緊湊型封裝中完全隔離并進(jìn)行優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)熱性能。尤其是采用SuperFET MOSFET的體二極管具有快速反向恢復(fù)的特性.FSB50660SF和FSB50660SFT通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。由于使用MOSFET作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50660SF和FSB50660SFT比IGBT功率模塊具有強(qiáng)得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA).FSB50660SF和FSB50660SFT是用于裝配空間受到限制的緊湊型可靠逆變器設(shè)計(jì)的適用解決方案。
特性
  • 通過UL第E209204號(hào)認(rèn)證
  • 600 VR DS(on) =700mΩ(最大值)SuperFET MOSFET三相逆變器,包括HVIC
  • 低端MOSFET的三個(gè)獨(dú)立開源引腳用于三支路電流感測(cè)
  • 柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù)的HVIC
  • 高電平有效接口,可用于3.3 V / 5 V邏輯
  • 針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化
  • 1500 Vrms / 1 min的額定隔離電壓。
  • 內(nèi)置于HVIC的溫度感測(cè)
  • 封裝中的嵌入式自舉二極管

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1) 相關(guān)資料(3)
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