超結(jié)功率MOSFET在高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,超結(jié)MOSFET中的電荷平衡特性,能夠設(shè)計(jì)更薄、摻雜更多的區(qū)域,實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)損耗,提高效率。深圳銀聯(lián)寶內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS開(kāi)關(guān)電源芯片U8621,在?175V--264Vac推薦22.5W,85V-264Vac推薦18W,一起了解下!
開(kāi)關(guān)電源芯片U8621擁有自適應(yīng)工作模式,根據(jù)FB腳電平自動(dòng)匹配工作模式,當(dāng)FB電平低于1.1V時(shí),芯片進(jìn)入打嗝工作模式,此模式下芯片工作頻率為25KHz,最小導(dǎo)通時(shí)間為1.2uS;當(dāng)FB電平低于1.7V 時(shí),芯片進(jìn)入變頻模式,此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動(dòng),驅(qū)動(dòng)高電平時(shí)間由FB和CS電平控制;當(dāng)FB電平大于3.7V時(shí),芯片進(jìn)入恒功率模式,此時(shí)芯片工作頻率為65KHz,PWM占空比由對(duì)應(yīng)的VOCP控制。
開(kāi)關(guān)電源芯片U8621管腳說(shuō)明:
1 GND 芯片內(nèi)部電路電位基準(zhǔn)引腳
2 VCC 芯片內(nèi)部電路供電引腳
3 FB 輸出反饋輸腳,芯片 PWM 輸出的頻率和占空比由FB 和CS 控制
4 CS 電感峰值電流采樣輸入引腳
5/6/7/8 PD 內(nèi)置高壓功率 MOS 的漏極
開(kāi)關(guān)電源芯片U8621主要特點(diǎn):
固定 65K 赫茲的開(kāi)關(guān)頻率
內(nèi)置抖頻技術(shù)優(yōu)化EMI
根據(jù)負(fù)載大小自適應(yīng)多種工作模式包括打嗝模式、綠色節(jié)能模式和定頻PWM工作模式
內(nèi)置斜率補(bǔ)償?shù)姆逯?a href="http://wenjunhu.com/tags/電流/" target="_blank">電流控制方式
內(nèi)置過(guò)流點(diǎn)補(bǔ)償優(yōu)化寬輸入電壓范圍內(nèi)最大輸出功率的一致性
內(nèi)置前沿消隱技術(shù)
低空載待機(jī)功耗(<75mW@AC230V)
支持恒壓、恒功率、恒溫輸出
內(nèi)置軟啟動(dòng)技術(shù)
內(nèi)置集成多種自保護(hù)功能,包括VCC 欠壓保護(hù)功能(UVLO)、VCC 過(guò)壓保護(hù)功能(OVP)、逐周期限流功能(OCP)、恒溫輸出功能(OTP-L)、CS 引腳開(kāi)路保護(hù)功能
同時(shí),開(kāi)關(guān)電源芯片U8621高達(dá)630V的耐壓能力,使得芯片能夠輕松應(yīng)對(duì)輸入電壓的波動(dòng),確保在各種復(fù)雜的供電環(huán)境下都能正常工作。無(wú)論是電網(wǎng)電壓的瞬間升高,還是雷擊等極端情況引發(fā)的電壓沖擊,U8621芯片內(nèi)置的超結(jié)硅功率MOS都能為芯片提供可靠的保護(hù),讓設(shè)備免受損壞,穩(wěn)定運(yùn)行!
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7191瀏覽量
213544 -
開(kāi)關(guān)電源
+關(guān)注
關(guān)注
6466文章
8347瀏覽量
482408 -
電源芯片
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
1096瀏覽量
77113
原文標(biāo)題:內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率開(kāi)關(guān)電源芯片U8621
文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開(kāi)關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論