意法半導體發(fā)布250W MasterGaN參考設計
為了推動氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升，意法半導體近日推出了EVL250WMG1L參考設計。該設計基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)，是一款諧振轉(zhuǎn)換器參考設計，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現(xiàn)。
MasterGaN-SiP是意法半導體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器完美整合于一個封裝內(nèi)。這一設計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設計速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。
與傳統(tǒng)的采用多個分立元件的解決方案相比，MasterGaN-SiP具有無可比擬的優(yōu)勢。它不僅簡化了設計流程，降低了開發(fā)難度，還通過優(yōu)化開關速度和控制準確度，進一步提升了電源的能效和功率密度。
意法半導體的EVL250WMG1L參考設計，憑借其出色的性能和緊湊的設計，將為工業(yè)電源領域帶來一場革命性的變革。
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