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意法半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-01-19 09:48 ? 次閱讀

今日(1月18日),意法半導(dǎo)體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。

根據(jù)意法半導(dǎo)體的披露,采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處,以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例,續(xù)航里程可延長5到10公里,在夏冬兩季的效果尤為明顯。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產(chǎn)基于碳化硅方案的空調(diào)壓縮機(jī)控制器的供應(yīng)商,到2023年底已有可觀出貨量。

意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)具有率先行業(yè)的工藝穩(wěn)定性、性能、能效和可靠性。致瞻科技的電動汽車空調(diào)壓縮機(jī)控制器選用了意法半導(dǎo)體第三代1200V SiC MOSFET技術(shù),結(jié)合致瞻科技專有的散熱解決方案和熱保護(hù)設(shè)計(jì),可以極大提高電動汽車的熱管理能效,提升空調(diào)壓縮機(jī)的NVH性能(噪音,震動和聲震粗糙度),推動電動壓縮機(jī)系統(tǒng)小型化,并具備更強(qiáng)的持續(xù)降本能力。在保證夏冬季同樣的續(xù)航里程情況下,該方案可以幫助整車廠大幅節(jié)省單車總系統(tǒng)成本。

根據(jù)致瞻科技在2022年底發(fā)布的信息表示,不同于傳統(tǒng)燃油汽車,電動車的空調(diào)系統(tǒng)不僅要承擔(dān)座艙熱管理,還要承擔(dān)電池系統(tǒng)的熱管理,電機(jī)電控的熱管理。而壓縮機(jī)是空調(diào)系統(tǒng)的心臟,其作用是將低溫低壓的氣態(tài)冷媒從低壓側(cè)吸入壓縮,使其溫度和壓力升高,再泵入高壓側(cè)成為高溫高壓的氣態(tài)冷媒,由此往復(fù)循環(huán),實(shí)現(xiàn)外部環(huán)境熱量和汽車系統(tǒng)熱量換熱的作用。

類比于電動汽車的三合一主驅(qū)系統(tǒng),電動空調(diào)其實(shí)也是一個(gè)“小三合一”系統(tǒng),其包括逆變器,永磁同步電機(jī),機(jī)械渦旋結(jié)構(gòu)三大部件。

針對逆變器部件,目前市場上主流的方案采用三相全橋拓?fù)洌β势骷嗖捎肨O247封裝的IGBT單管或者基于IGBT的IPM模塊,以實(shí)現(xiàn)對壓縮機(jī)在不同工況下的轉(zhuǎn)速控制。

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圖1: 電動空調(diào)壓縮機(jī)系統(tǒng)框圖

針對車用電動空調(diào)的應(yīng)用,致瞻科技團(tuán)隊(duì)經(jīng)過分析得出以下結(jié)論:針對純電動汽車,尤其是針對800V電壓平臺,電動空調(diào)壓縮機(jī)控制器的首選方案將是SiC MOSFET方案,傳統(tǒng)的IGBT方案很難與之競爭。

當(dāng)然,由于行業(yè)的固有慣性以及目前熱管理行業(yè)較為粗放的設(shè)計(jì)水平,800V的IGBT方案在初期或許會占有相當(dāng)?shù)姆蓊~。但隨著國內(nèi)SiC方案設(shè)計(jì)開發(fā)能力的提高,基于IGBT的傳統(tǒng)方案會被SiC方案逐步蠶食。

致瞻科技表示,空調(diào)壓縮機(jī)的輕載工況極適合SiC MOSFET器件:

800V平臺電動車平臺得以推廣的最重要的原因是:能夠通過快充和超充來實(shí)現(xiàn)較短的充電時(shí)間,降低用戶的續(xù)航里程焦慮,提升用戶的使用體驗(yàn)。將來主流的超充能夠使得動力電池在12~15min內(nèi)從20%充到80%的電量。在這一過程中,動力電池會在短時(shí)間內(nèi)急劇升溫,這就需要大功率800V電動空調(diào)壓縮機(jī)給動力電池快速降溫,以確保充電的安全和效率。在這種場景下,空調(diào)壓縮機(jī)的功率能力需要設(shè)計(jì)在峰值10kW左右。

然而電動汽車用戶在日常使用多處于輕載工況:春秋季的壓縮機(jī)功率消耗一般在300~1000W, 夏冬季多在1000~2500W,非常適合SiC MOSFET器件的優(yōu)勢發(fā)揮:其單極性導(dǎo)通特性使得導(dǎo)通損耗較低,較高的開關(guān)切換速度以及低反向恢復(fù)損耗的體二極管特性使得開關(guān)損耗急劇降低。

相比之下,硅基的IGBT器件及其反并聯(lián)換流二極管作為一種雙極性器件,需要通過較強(qiáng)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來降低通態(tài)壓降(尤其針對1200V及以上高電壓器件),但與此同時(shí)也造成明顯的拖尾電流和更高的反向恢復(fù)電荷,從而造就較高的關(guān)斷損耗,反向恢復(fù)損耗以及開通損耗。

致瞻科技團(tuán)隊(duì)分別針對400V以及800V電壓平臺的電動空調(diào)壓縮機(jī)控制器在同樣的運(yùn)行工況(同樣電壓、電流、功率因數(shù)、調(diào)制因數(shù)以及開關(guān)頻率等)下進(jìn)行了量化評估:

1. 針對400V電壓平臺,在輕載情況下,SiC MOSFET方案在開關(guān)損耗以及開通損耗均有明顯優(yōu)勢,整體損耗僅為傳統(tǒng)IGBT方案的17%~29%;重載情況下主要表現(xiàn)為開關(guān)損耗優(yōu)勢明顯,整體損耗為傳統(tǒng)IGBT方案的40%左右。

2. 針對800V電壓平臺,因1200V IGBT器件以及反并聯(lián)二極管開關(guān)損耗特性較差,SiC MOSFET方案的優(yōu)勢更為明顯。輕載情況下整體損耗僅為傳統(tǒng)IGBT IPM方案的11%~17%,而在重載工況下則變?yōu)?3%~27%左右。

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400V電壓平臺IGBT方案和SiC MOSFET方案功率器件損耗對比

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800V電壓平臺IGBT方案和SiC MOSFET方案功率器件損耗對比

除此之外,SiC MOSFET方案在擴(kuò)寬壓縮機(jī)的運(yùn)行邊界,NVH性能提升,促進(jìn)電動空調(diào)壓縮機(jī)系統(tǒng)的小型化及持續(xù)降本能力方面具有優(yōu)勢,致瞻科技表示:“針對電動汽車空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用,從整車系統(tǒng)來分析,SiC MOSFET方案其實(shí)遠(yuǎn)比傳統(tǒng)IGBT方案更具性價(jià)比”。

針對此次與意法半導(dǎo)體的合作,致瞻科技總經(jīng)理史經(jīng)奎博士表示:“通過創(chuàng)新技術(shù)推動可持續(xù)發(fā)展是致瞻科技與ST共同的目標(biāo)。我們通過與ST的深入合作,將ST在SiC器件領(lǐng)域的先進(jìn)優(yōu)勢與致瞻科技的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和先進(jìn)工藝相結(jié)合,加快了電動汽車空調(diào)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了在性能、能效和續(xù)航里程等方面的突破。未來,雙方將持續(xù)擴(kuò)大合作,為中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展做出貢獻(xiàn)。”

意法半導(dǎo)體是SiC技術(shù)領(lǐng)域的先行者,具備先進(jìn)的碳化硅生產(chǎn)技術(shù)和完整的產(chǎn)品垂直整合供應(yīng)鏈。在汽車和工業(yè)領(lǐng)域,ST已同眾多優(yōu)秀企業(yè)開展廣泛合作,產(chǎn)品可靠性受到行業(yè)普遍認(rèn)可。同時(shí),意法半導(dǎo)體還在持續(xù)投入擴(kuò)大產(chǎn)能,并不斷提升碳化硅制造技術(shù)。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平表示:“意法半導(dǎo)體持續(xù)25年專注于碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)投入,擁有大量關(guān)鍵技術(shù)專利組合。ST的SiC技術(shù)已被廣泛用于電動汽車車載充電、電驅(qū)逆變器和直流-直流變換器(DC-DC)。現(xiàn)在,很高興看到我們的SiC技術(shù)賦能致瞻科技,成功實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)電動汽車空調(diào)壓縮機(jī)控制器設(shè)計(jì)創(chuàng)新。意法半導(dǎo)體將繼續(xù)在推動中國汽車電氣化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮重要作用,為支持汽車節(jié)能行動貢獻(xiàn)一份力量?!?/p>

來源:意法半導(dǎo)體、碳化硅芯觀察






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:意法半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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