250℃電子束沉積ITO和HCl濕法蝕刻的方法說明

目的：客戶希望我們用電子束蒸發(fā)器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時(shí)薄膜厚度為100 nm時(shí)，薄膜厚度大于100 W/square。

樣品：一個(gè)雙面拋光的2英寸藍(lán)寶石晶片，以及一個(gè)小的單邊拋光硅片。

實(shí)驗(yàn)：

1)樣品清洗:藍(lán)寶石晶片，DI漂洗，N2吹干，硅片:丙酮，甲醇超聲浴，DI漂洗，在BHF中浸泡1分鐘，DI再次漂洗，N2吹干。

2) ITO電子束蒸發(fā):

a)將藍(lán)寶石晶片和硅片裝入2號(hào)電子束的樣品座(上面那個(gè));

b)泵送下腔室，設(shè)定加熱器溫度為580℃(實(shí)際階段溫度為250℃);

c)設(shè)置標(biāo)稱ITO厚度為150 nm，工裝系數(shù)為69.9;

d)待室真空度達(dá)到1.94e-6 Torr時(shí)，開啟高壓和燈絲電流，然后設(shè)置在ITO材料，光束沿縱向和橫向掃描，并使縱向和橫向升高掃描頻率分別為46和27

e)將30sccm O2流進(jìn)弧度(必須同時(shí)打開電壓和電流; 否則，它們就不會(huì)亮了壓力為3.51e-4 Torr);

f) 5分鐘后，打開快門，將電流調(diào)大，使速率達(dá)到~0.5 ?/s。

g)到達(dá)目標(biāo)厚度后，關(guān)閉電壓和電流，關(guān)閉加熱器(0oC);

h)在關(guān)閉氧氣流動(dòng)前等待20分鐘，然后，放氣室，取樣品(非常小心樣品臺(tái)非常熱)

3)薄膜性能測(cè)量:

a)硅片上的橢偏儀測(cè)量:使用Cauchy模型，在薄膜和襯底之間有天然氧化層(10?) 擬合曲線為:632.8 nm波長(zhǎng)處(MSE=50.8) d=1660 ?， n=1.970;

b)在藍(lán)寶石晶圓(16點(diǎn))上進(jìn)行4探頭電阻測(cè)量，平均薄片電阻為27.0543 W/sq。

藍(lán)寶石晶圓的光刻 略

用鹽酸濕法蝕刻ITO膜 略

關(guān)注后可查看完整內(nèi)容

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審核編輯：符乾江