批量微加工主條目：批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構(gòu)建微機械結(jié)構(gòu)。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進(jìn)
2021-01-05 10:33:12
的厚度對電路圖形的導(dǎo)線密度有著重要影響。銅箔薄，蝕刻時間短，側(cè)蝕就很?。环粗?，側(cè)蝕就很大。所以，必須根據(jù)設(shè)計技術(shù)要求和電路圖形的導(dǎo)線密度及導(dǎo)線精度要求，來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結(jié)晶構(gòu)造等
2018-09-11 15:19:38
的RFID標(biāo)簽?zāi)陀媚晗逓槭暌陨稀?按照美國護(hù)照案（e-passport）要求，其tag之耐用年限基本要求為十年以上，必須采用蝕刻技術(shù)制造。以下簡單介紹繞線、印刷二種技術(shù)的特點和差異。
2019-06-26 06:17:24
鏡面硅結(jié)構(gòu)時，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個蝕刻步驟中的第一個用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
材料，將常規(guī)集成電路工藝和微機械加工獨有的特殊工藝相結(jié)合，全面繼承了氧化、光刻、擴(kuò)散、薄膜、外延等微電技術(shù)，還發(fā)展了平面加『[技術(shù)、體硅腐蝕技術(shù)、固相鍵合技術(shù)、LIGA技術(shù)等，應(yīng)用這些技術(shù)手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
隨著奇駿、天籟等換代新車型的投放市場，日產(chǎn)在國產(chǎn)新車型上也投入了更多的安全技術(shù)，這些安全技術(shù)提升車輛的主被動安全性的同時，也為行人、其他車輛等交通參與者提供了更好的安全環(huán)境，可謂武裝到了“腳趾”。
2020-04-29 06:55:44
關(guān)于超短脈沖激光微加工技術(shù)你想知道的都在這
2021-06-15 09:31:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產(chǎn)量和細(xì)紋分辨率高，因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項技術(shù)?！ ? 浸入
2018-09-11 15:27:47
適用范圍 印制線路板制造業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術(shù)內(nèi)容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進(jìn)行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產(chǎn)工業(yè)級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
——工業(yè)機器人的智能化程度要求也越來越高，采用深度學(xué)習(xí)技術(shù)為工業(yè)機器人賦能是目前各大廠商的統(tǒng)一認(rèn)知。本文結(jié)合實際案例，簡要說明一下智能機器人的實現(xiàn)流程。一、智能機器人概念 人工智能技術(shù)，其主要作用就是用
2018-05-31 09:36:03
的阻抗匹配范圍、優(yōu)化性能以及架構(gòu)選擇，所以為PA設(shè)計提供了很大靈活性。但如何滿足WiMAX基站系統(tǒng)對PA的高輸出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文討論的基于硅LDMOS技術(shù)的RFIC具有足夠輸出功率，能
2019-06-25 06:55:46
當(dāng)前MEMS技術(shù)在傳感器領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用并取得了巨大成功。使用硅基微機械加工方法制作的微傳感器不僅體積小，成本低，機械牲好，并且能方便地與IC集成。形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。
2011-03-22 17:44:34
。 體微加工采用各向異性蝕刻技術(shù)，切割硅晶圓或石英晶圓，從而創(chuàng)造出結(jié)構(gòu)。 結(jié)構(gòu)的特性尺寸由晶圓厚度以及蝕刻角度確定。 諸如晶圓鍵合等工藝可用來削減晶圓厚度，但哪怕采用了這項先進(jìn)的工藝，加速度計傳感器尺寸
2018-10-15 10:33:54
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
尋求手機顯示觸摸技術(shù)的高手！做手機觸摸方案！電話微信13828804123
2016-04-04 16:51:55
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
隨著汽車電子
技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的車用機械儀表盤已呈現(xiàn)出向數(shù)字儀表過度的趨勢，與
之對應(yīng)的全部功能顯示也將被渲染后的高清畫面所取代。而引起這一巨大變革的根源，卻是一個只有一元硬幣大小的集成電子芯片--圖形儀表盤MCU（圖形儀表盤
微控制單元），今天我們就以之為題為您講述汽車儀表變革背后的故事?！ ?/div>
2019-07-09 06:03:04
LOC（芯片級實驗室）整合了多種化學(xué)處理和分析技術(shù)，用硅、玻璃、多晶硅材料加工制作，由于玻璃的性能比較穩(wěn)定，一般傾向于使用玻璃襯底，要解決的技術(shù)是廉價光源、檢測陣列和集成電子電路。微流體技術(shù)則指
2019-06-19 08:27:12
浙江大學(xué)微納研究與制造中心公開招聘全職“求是特聘專家” 浙江大學(xué)微納研究與制造中心（微納中心）是一個校級公共實驗平臺，中心橫跨信電、電氣、光電、物理、機械、材料六大學(xué)院，擁有各類超凈面積約1200
2016-10-19 14:17:40
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
參考設(shè)計方案到整機開發(fā)的全方位支持，真正為中國電子信息產(chǎn)業(yè)提供底層技術(shù)驅(qū)動和支持。下面介紹的是關(guān)于靈動微ARM Cortex內(nèi)核測試向量生成的相關(guān)技術(shù)
2020-12-15 07:00:21
電池與用戶之間的紐帶--電池管理系統(tǒng)技術(shù)解讀電池管理系統(tǒng)，簡稱BMS。BMS一般是一個整體系統(tǒng)中的一個子系統(tǒng)，它直接檢測及管理儲能電池工作的全過程，包括電池充放電過程管理、電池溫度檢測、電池電壓
2014-06-12 10:03:17
針對“電源IC技術(shù)規(guī)格的解讀方法”，我們已經(jīng)說明了“技術(shù)規(guī)格的封面”、“框圖”、“絕對最大額定和推薦工作條件”、“電氣特性的要點”、“特性圖表、波形的看圖方法”以及“應(yīng)用電路例”。本項接著舉例說明
2018-11-28 14:40:10
OpenHarmony官方社群直播間帶來干貨分享《OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)多媒體子系統(tǒng)之視頻解讀》，他將為大家介紹OpenHarmony多媒體視頻子系統(tǒng)整體框架，以及代碼結(jié)構(gòu)、視頻播放功能代碼等內(nèi)容。長按下方海報掃碼，即可預(yù)約直播哦~
2022-05-18 10:16:04
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義：將芯片凸點電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
其導(dǎo)通角，就可以改變其輸出電壓有效值，從而實現(xiàn)調(diào)光功能。除了可控硅以外，還有晶體管前沿、后沿調(diào)光技術(shù)等，基本原理都差不多。2、可控硅調(diào)光的缺點和問題 在用可控硅調(diào)光時，還是會存在如下的一系列問題
2016-12-16 18:42:52
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
深入解讀阿里云數(shù)據(jù)庫POLARDB核心功能物理復(fù)制技術(shù)
2020-06-02 10:16:29
一種改良過的適用于生產(chǎn)超精密板的蝕刻技術(shù) Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:15
2143
印制線路板的蝕刻技術(shù)
2009-09-08 14:53:52475 
印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212165 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 手機射頻技術(shù)和手機射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:34
66 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324724 CIDI究竟是如何運用V2X技術(shù)，做到車路云協(xié)同的呢？本文為大家?guī)鞢IDI V2X技術(shù)的深度解讀。
2019-02-05 09:08:005503 側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項，它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。
2019-09-02 10:17:391755 深度反應(yīng)離子刻蝕或DRIE是一種相對較新的制造技術(shù)，已被MEMS社區(qū)廣泛采用。這項技術(shù)可以在硅基板上執(zhí)行非常高的縱橫比蝕刻。蝕刻的孔的側(cè)壁幾乎是垂直的，并且蝕刻深度可以是進(jìn)入硅襯底的數(shù)百甚至數(shù)千微米。
2020-04-12 17:24:002592 
隨著全球電子產(chǎn)品市場的需求升級和快速擴(kuò)張，電子產(chǎn)品的小型化、高精密、超細(xì)線路印制電路板技術(shù)正進(jìn)入一個突飛猛進(jìn)的發(fā)展時期。為了能滿足市場不斷提升的需求，特別是在超細(xì)線路技術(shù)領(lǐng)域，傳統(tǒng)落后的蝕刻技術(shù)正被
2022-12-26 10:10:331691 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019 
50個典型電路實例深度解讀
2022-02-07 11:47:580 我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對晶圓進(jìn)行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20μm。 關(guān)鍵詞:IBC太陽能電池，掩模蝕刻，光刻，反應(yīng)離子蝕刻，TMAH蝕刻 介紹 太陽能顯示出供應(yīng)潛力，這個因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求
2022-02-23 17:43:37748 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創(chuàng)建過程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位，就可以通過濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581136 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
關(guān)于在進(jìn)行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進(jìn)行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細(xì)加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254185 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-04-20 16:11:571973 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39366 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費能源。我們認(rèn)為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中，光刻和蝕刻技術(shù)被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:260 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 智能汽車是指集成了各種先進(jìn)技術(shù)的智能化交通工具，它不僅具有駕駛輔助和自動駕駛功能，還能實現(xiàn)智能聯(lián)網(wǎng)、智能感知和智能互動等多種功能。而車載傳感器作為智能汽車的重要組成部分，其標(biāo)定技術(shù)也顯得尤為重要。本文將深度解讀智能汽車車載傳感器標(biāo)定技術(shù)，包括標(biāo)定技術(shù)的定義、分類、意義及其實現(xiàn)方法等方面。
2023-06-02 10:56:531665 關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39260 
EMC技術(shù)：基礎(chǔ)概念到應(yīng)用的解讀？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-03-11 11:55:0555 
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