電子發(fā)燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關TMUX722x數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:49:53
0 電子發(fā)燒友網站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7219M數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網站提供《互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7236數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:56:000 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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什么是熱電偶穩(wěn)定性？影響熱電偶穩(wěn)定性的主要因素 熱電偶熱穩(wěn)定性怎樣檢測？ 熱電偶穩(wěn)定性是指熱電偶在一定時間范圍內的溫度測量值的穩(wěn)定程度。在實際應用中，熱電偶的穩(wěn)定性非常重要，因為它直接影響到測量數據
2024-03-08 15:32:4776 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導體器件，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產品是根據ARINC 429總線規(guī)范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于在8引腳封裝中直接驅動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
在電力電子技術領域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應用的半導體開關器件。它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強的優(yōu)點。
2024-02-18 10:29:261061 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 為了確保晶體管工作在合適的工作區(qū)域，需要通過電流偏置來控制基極電流。通常在放大區(qū)，晶體管的基極電流被設置為恒定值，以確保其穩(wěn)定性和線性放大功能。
2024-02-05 15:21:23425 硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應用的半導體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機械性能，因此硅材料具有廣泛的應用前景。硅晶體的晶體結構為鉆
2024-02-04 09:46:07456 ，即使不加柵源電壓，也會形成反型層和導電溝道，在此基礎上加負向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導電溝道消失。
場效應管分為結型場效應管和金屬氧化物場效應管
2024-01-30 11:38:27
元件而直接串聯(lián)，因其漏極電流具有負溫度系數，溫度升高，溝道電阻增大，漏極電流減小，是因為場效應管的溝道電阻比較大，且在流過較大電流時發(fā)熱較大，阻值上升很快，進一步又降低了漏極電流，故不需要在每個器件串接電阻？這個場效應管包括結型和金屬氧化物兩種類型？
2024-01-26 23:07:21
晶振的頻率容差的定義 振蕩器穩(wěn)定性的重要性 影響頻率穩(wěn)定性的因素以及提高晶振耐受性和穩(wěn)定性的方法 晶振是一種利用晶體材料振蕩產生固定頻率的設備。在電子設備中，晶振被廣泛應用于時鐘信號源、頻率合成
2024-01-26 17:12:34187 什么是晶振的頻率穩(wěn)定性？如何確保晶振的穩(wěn)定性呢？ 晶振的頻率穩(wěn)定性是指晶振在工作過程中頻率的變化程度。對于許多電子設備和系統(tǒng)而言，晶振頻率的穩(wěn)定性是非常重要的，因為它直接影響到設備的精確性、穩(wěn)定性
2024-01-24 16:11:40200 影響晶振頻率穩(wěn)定性的有哪些因素呢？如何解決呢？ 晶振頻率穩(wěn)定性是指晶振器在工作過程中頻率的變化程度。晶振器是一種電子元件，廣泛應用于各種電子電路中，特別是時鐘電路和振蕩電路。晶振頻率穩(wěn)定性的好壞
2024-01-23 16:43:03207 ，則分析時則按照單獨的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側全部短起來當作一個晶體管，那么此時的關系可以看作一個或門的關系，只要有一路導通，則晶體管就實現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
根據清洗介質的不同，目前半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
）簡化電路設計：由于晶振內部已經有了振蕩電路，所以只需要為其提供電源，它就會輸出一個時鐘信號。這簡化了電路板設計。
（2）高精度和高穩(wěn)定性：晶振通常能夠提供比基本的晶體更高的精度和穩(wěn)定性，特別是在寬溫度
2024-01-04 11:54:47
IGBT）是一種半導體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22269 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產品越來越“小而精，微薄”，半導體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細，因此對于分析微納芯片結構的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
請問
1）慣性陀螺儀或加速度計的零偏穩(wěn)定性(bias stability)與零偏不穩(wěn)定性(bias instability)指的是同一個指標嗎？
2）零偏穩(wěn)定性的測量與計算的？
謝謝！
2023-12-29 08:23:56
測試通過率、問題分布、在各個測試終端上的問題分布情況。
點擊測試設備后的查看詳情按鈕，可以查看測試任務詳情信息，如測試截屏、資源軌跡、異常信息和日志信息。
穩(wěn)定性測試
穩(wěn)定性測試主要驗證
2023-12-25 10:56:58
TG5032CGN 晶振是EPSON推出的一款額定頻率10MHz至40MHz的石英晶體振蕩器，該型號采用互補金屬氧化物半導體技術，輸出波形穩(wěn)定可靠。外形尺寸為5.0 × 3.2 × 1.45mm具有
2023-12-22 11:20:490 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
，由于石英晶體諧振器的Q值較高，電路的阻抗會受到頻率、溫度等因素的影響。并聯(lián)電阻可以提供額外的阻抗，以抵消這些因素的影響，從而改善電路的性能。
3.增加電路穩(wěn)定性
并聯(lián)電阻可以提高晶振電路的穩(wěn)定性。當
2023-12-13 09:38:27
教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報告。
2023-12-09 14:49:03921 
溫度和結構如何影響電阻穩(wěn)定性
2023-12-07 11:38:26231 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:54619 [半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
我們常說IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構成
2023-11-28 16:55:11519 
晶振的穩(wěn)定性對遙控器性能和可靠性具有重要影響。
2023-11-24 17:37:11307 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
阻抗控制性能提升后對穩(wěn)定性有怎樣的影響？如何權衡阻抗控制性能與穩(wěn)定性的關系？ 當阻抗控制性能提升時，往往需要更高的控制增益來實現(xiàn)更快的響應和更小的跟蹤誤差。 這會導致控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性受到挑戰(zhàn)，因為
2023-11-14 15:26:51287 
如果用AD 8675 做比例放大的buffer 的時候，負載能帶多大電容，穩(wěn)定性改如何考慮呢？ 在ADI 官方的應用文檔里面好像沒有找到有關這方面的介紹，比如8675 是幾級運放，穩(wěn)定性改如何考慮，如果有大電容負載是否合適等等？
2023-11-14 08:21:11
學術界和工業(yè)界已經提出將二維（2D）過渡金屬二摻雜化合物（TMD）半導體作為未來取代物理柵極長度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評論中，我們分享了基于堆疊二維TMD納米帶制造互補金屬氧化物
2023-11-07 09:55:55568 
運放電路閉環(huán)穩(wěn)定性的判斷方法 運放電路的閉環(huán)穩(wěn)定性判斷是保證電路正常工作的重要環(huán)節(jié)。以下為你詳盡、詳實、細致的關于運放電路閉環(huán)穩(wěn)定性判斷方法的文章： 在電子系統(tǒng)中，運放電路是最常用的模擬電路
2023-11-06 10:20:19906 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 請問有用過GD32F330系列的單片機嗎，穩(wěn)定性怎么樣？
2023-11-02 07:07:13
運放系統(tǒng)穩(wěn)定性原理 運放的頻率補償? 運放系統(tǒng)穩(wěn)定性原理 運放系統(tǒng)的穩(wěn)定性是電路設計中的一個重要的問題，其中運放是一個主要的組成部分。穩(wěn)定性問題的產生通常是由于反饋系統(tǒng)中存在非線性元素、相位滯后
2023-10-25 11:01:46406 螺桿支撐座是如何維持精度和穩(wěn)定性的？
2023-10-23 17:50:25465 
金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）是互補金屬氧化物半導體（Complementary
2023-10-20 10:50:32122 
上期文章《運放11-運放穩(wěn)定性評估舉例》文末提到了，如果我們有放大器的Spice模型，可以借助仿真軟件直接仿真電路的穩(wěn)定性——可以直接得到波特圖曲線，這一期就專門來看看具體怎么玩。
2023-10-16 16:21:50549 
重要的角色。 在半導體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲存和排放各種化學液體。這些化學液體可能是用于清洗半導體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導體表面的各種薄膜和污垢。在這個過程中，PFA管需要承受各種化學物質的侵
2023-10-16 15:34:34258 技術來控制頻率的輸出。
三、可編程晶振具有以下特點：
頻率精度高：可編程晶振的頻率精度可以高達±0.01ppm，這遠高于普通的晶體振蕩器。
輸出穩(wěn)定：由于其數字控制方式，可編程晶振的輸出頻率穩(wěn)定性極高
2023-10-14 17:38:14
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
怎么分析電路的穩(wěn)定性？? 電路的穩(wěn)定性是指電路在不同條件下保持穩(wěn)定的能力。穩(wěn)定性是電路設計中十分重要的一個方面，因為穩(wěn)定的電路能夠提供可靠和一致的性能。在其他條件恒定的情況下，最穩(wěn)定的電路可以提供
2023-09-17 16:44:38971 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌甅OSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
半導體行業(yè)生產設備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測試、拋光、硅晶圓制造等設備，這些精密生產設備對工藝要求很高，例如對供電的穩(wěn)定性和質量要求，對溫度嚴格的監(jiān)測和控制等
2023-08-31 12:33:15378 
晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47652 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設備的基礎，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導體器件，它可以放大或開關電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導體
2023-08-25 15:35:141800 其中，華映科技顯示面板業(yè)務主要在子公司華佳彩，華佳彩擁有一條金屬氧化物薄膜晶體管液晶顯示器件生產線，產能 3 萬片 LCD大板/月，主要生產中小尺寸顯示面板。
2023-08-16 14:49:43516 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發(fā)揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:42522 
摘要：本文敘述了 FPGA 的亞穩(wěn)定性，敘述了它是如何發(fā)生的，是如何導致設計失效的。文
中說明了如何計算亞穩(wěn)定性能的 MTBF 值，并解釋了器件和設計性能的變化將會如何影響該
值。
2023-08-07 15:34:570 晶體管是現(xiàn)代電子設備中至關重要的元件之一，其穩(wěn)定性對于設備的性能和可靠性至關重要。為了提高晶體管的穩(wěn)定性，有幾個關鍵的方面需要考慮和優(yōu)化。
2023-08-04 09:44:26318 溝道和 N 溝道類型。
場效應管
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561639 
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:241285 
在電阻型放大電路中，如PGA,LDO等，常常會出現(xiàn)如下穩(wěn)定性問題：單獨仿真的穩(wěn)定性很好的運放接入電阻反饋網絡后環(huán)路穩(wěn)定性變差很多。
2023-07-05 16:01:10870 
隨著電子技術的不斷發(fā)展，對電路板的要求也越來越高。其中，高溫下斯利通氧化鋁陶瓷電路板因其高溫穩(wěn)定性、優(yōu)良的介電性能、較低的介電損耗和熱膨脹系數等優(yōu)點，被廣泛應用于航空航天、衛(wèi)星通信、汽車電子、軍事
2023-06-29 14:12:13352 布線過程中要注意哪些問題，以保證AD采樣的穩(wěn)定性？
2023-06-19 08:31:20
高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
射頻芯片的穩(wěn)定性是一個關鍵的設計和性能指標，它描述了芯片在工作過程中的信號穩(wěn)定性和性能的一致性。射頻芯片的穩(wěn)定性主要包括以下幾個方面。
2023-06-13 12:40:17692 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
以金剛石、
氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶
半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料
穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越來越得到國內外的重視?/div>
2023-05-24 10:44:29568 
我們常見的環(huán)路大部分都是負反饋環(huán)路，對于負反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性，我們有相應的穩(wěn)定性判據。
2023-05-23 17:15:251640 
本文介紹一種SSF穩(wěn)定性補償方案，并推導其閉環(huán)特性，給出相關參數的設計指引。
2023-05-23 17:15:141451 
結構，基于材料基因組數據庫和第一性原理軟件包，自動計算并輸出半導體的熱力學穩(wěn)定性，缺陷和雜質形成能及離化能級，半導體樣品中缺陷、雜質和載流子濃度及費米能級，關鍵缺陷和雜質誘導的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。
2023-05-23 14:11:56346 
影響直流穩(wěn)壓電源輸出電壓穩(wěn)定性的因素有哪些？
2023-04-21 17:50:27
電力系統(tǒng)中的電壓穩(wěn)定性定義為電力系統(tǒng)在正常條件下和受到干擾后在系統(tǒng)中的所有總線上保持可接受電壓的能力。在正常工作條件下，電力系統(tǒng)的電壓是穩(wěn)定的，但是當系統(tǒng)中發(fā)生故障或干擾時，電壓變得不穩(wěn)定，這會
2023-04-21 16:14:04
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：金屬氧化物半導體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規(guī)則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
氧化鋁陶瓷基片作為一種基板材料廣泛應用于射頻微波電子行業(yè)，其介電常數高可使電路小型化，其熱穩(wěn)定性好溫漂小，基片強度及化學穩(wěn)定性高，性能優(yōu)于其他大部分氧化物材料，可應用于各類厚膜電路、薄膜電路、混合電路、微波組件模塊等。
2023-04-19 16:14:48602 在厚銅PCB的設計和制造過程中，確保電路連接穩(wěn)定性非常重要。電路連接的質量和穩(wěn)定性直接影響到PCB的性能和可靠性，那如何確保厚銅PCB的電路連接的穩(wěn)定性呢？
2023-04-11 14:35:50
的 REGCRL 輸出連接到 NJD2873 晶體管的基極?；鶚O連接上還有一個用于環(huán)路補償的 1uF 電容器。最新的 MPC5674 數據表顯示了 12 歐姆電阻和 2.2uF 電容器。電阻/電容值對于
2023-04-04 08:44:48
高質量RC振蕩器的穩(wěn)定性預計在0.1%左右，而通常我們可以假設LC振蕩器的穩(wěn)定性高達0.01%。當需要更高水平的穩(wěn)定性時，我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。
2023-04-02 10:05:041055 
有沒有負觸發(fā)導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
應用主要有降低信號電平、源于負載之間的匹配、 元器件隔離保護等應品特點：?采用半導體工藝技術生產，圖形精度高? 寄生參數小、頻率特性穩(wěn)定?尺寸小，重量輕?表面貼裝易于集成產品設計規(guī)范：?電阻類型：TaN
2023-03-28 14:19:17
氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數大、材料易加工等優(yōu)點，是日盲紫外探測理想的半導體材料?；贕a2O3的日盲紫外光電探測器已有很多的報道。
2023-03-28 11:48:012795 我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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