由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08
222 
的通態(tài)電阻、通態(tài)壓降、結(jié)電容、反向恢復(fù)、結(jié)到殼的熱阻等密切相關(guān)，是功率器件熱設(shè)計(jì)的內(nèi)容，將在以后的欄目中介紹。
2、Boost 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式
（1）：Boost 變換器的電路圖：
（2
2024-03-21 09:44:15
基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
MOS管瞬態(tài)熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個時(shí)間更長一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59285 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28479 如何理解IGBT的四種SOA？ IGBT的四種SOA表示了IGBT器件在不同工作狀態(tài)下的安全操作區(qū)域。這四種SOA是：Continuous SOA、Limited SOA、Pulse SOA
2024-02-18 11:04:17191 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導(dǎo)體器件，常用于功率放大和電流控制應(yīng)用。作為一種開關(guān)器件，IGBT能夠在低驅(qū)動電壓下實(shí)現(xiàn)較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關(guān)鍵的特性之一，本文將對
2024-02-03 16:23:43286 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性器件，結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢，既具有IGFET（Insulated Gate
2024-02-01 13:59:45449 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊檢測標(biāo)準(zhǔn)l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序l
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強(qiáng)故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521677 一次性無菌手術(shù)膜阻水性測試儀/濟(jì)南三泉智能科技有限公司醫(yī)用材料阻水性能測試儀是一種用于評估醫(yī)用材料防水性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。醫(yī)用材料廣泛應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域，如手術(shù)縫合線、傷口敷料、藥物載體等，其防水
2024-01-11 13:12:51
在電源測試中，我們除了對電源模組的輸入、器件及輸出端測試外，還有一個比較關(guān)鍵的測試，即安全工作區(qū)測試，它可以綜合評估整個電源設(shè)備能否安全工作。 安全工作區(qū)（SOA），顧名思義就是設(shè)備在不發(fā)生自損壞
2023-12-20 09:55:02118 
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用，主要用于交流電轉(zhuǎn)換、能量轉(zhuǎn)換和電流控制
2023-12-19 09:56:33573 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06573 
ZS-03創(chuàng)可貼阻水性測試儀適用于測試直接接觸創(chuàng)面的任何形狀、形態(tài)或規(guī)格的創(chuàng)可貼、繃帶、醫(yī)用膠帶等材料的阻水性能。是各質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、研究機(jī)構(gòu)及各大企業(yè)首選專業(yè)阻水性能測試儀。創(chuàng)可貼阻水性測試儀 創(chuàng)
2023-12-05 15:55:14
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01592 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421608 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 10:11:53486 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:59
0 IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32785 
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時(shí)，器件就會開通** ， **小于閾值電壓后，器件就會關(guān)斷** 。
2023-11-09 15:19:15666 
開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進(jìn)行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關(guān)器件，優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現(xiàn)在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:33282 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 一、背景介紹復(fù)合熱封蓋膜是一種廣泛應(yīng)用于包裝行業(yè)的材料，其撥開力的大小直接影響到包裝的開啟和使用。為了確保復(fù)合熱封蓋膜的質(zhì)量和可靠性，對其進(jìn)行撥開力測試顯得尤為重要。本文將介紹一種新型的復(fù)合熱封蓋膜
2023-10-30 16:39:15
一、食品袋熱封性能測試儀概述食品袋熱封性能測試儀是一種用于測試食品包裝袋熱封性能的專用設(shè)備。該設(shè)備通過模擬實(shí)際生產(chǎn)過程中食品包裝袋的熱封過程，對食品包裝袋的熱封強(qiáng)度、密封性能和耐壓性能進(jìn)行全面評估
2023-10-27 16:11:35
IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052510 
阻水性測試儀醫(yī)用材料阻水試驗(yàn)儀是一種用于測試醫(yī)用材料的防水性能的實(shí)驗(yàn)儀器。醫(yī)用材料廣泛應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域，如手術(shù)縫合線、傷口用敷料、藥物載體等，其防水性能對于產(chǎn)品的質(zhì)量和患者的治療效果具有重要影響。本文
2023-10-25 11:30:56
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于IGBT器件的直流充電機(jī)充電裝置設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 10:20:290 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強(qiáng)大的電力開關(guān)元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT的前向?qū)ㄌ匦灶愃朴趩尉w管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561075 在現(xiàn)代工業(yè)和消費(fèi)品領(lǐng)域中，高阻隔材料作為一種能夠防止水分滲透的材料，被廣泛應(yīng)用于保護(hù)產(chǎn)品不受濕度影響。為了確保這些材料的防水性能符合要求，準(zhǔn)確可靠的測試設(shè)備是必不可少的。高阻隔材料阻水性測試儀正是為
2023-10-20 14:12:03
igbt可以反向?qū)▎?？如何控?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 年
業(yè)務(wù)模式：模組
簡介：寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。公司總部位于浙江省余姚市，建有國內(nèi)領(lǐng)先的測試
2023-10-16 11:00:14
電子元器件可靠性測試是保證元器件性能和質(zhì)量的一個重要測試項(xiàng)目，同時(shí)也是電子設(shè)備可靠性的基礎(chǔ)。常見的可靠性測試項(xiàng)目有機(jī)械沖擊測試、高溫存儲測試、溫度循壞測試、引線鍵合強(qiáng)度測試等。
2023-10-11 14:49:05350 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅(qū)動和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進(jìn)行更全面的評估，建議進(jìn)行柵極驅(qū)動測試、開關(guān)性能分析等額外測試。
2023-10-09 14:20:02796 
ZS-02阻水性測試儀醫(yī)用材料阻水試驗(yàn)儀是一種用于測試醫(yī)用材料的防水性能的實(shí)驗(yàn)儀器。醫(yī)用材料廣泛應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域，如手術(shù)縫合線、傷口敷料、藥物載體等，其防水性能對于產(chǎn)品的質(zhì)量和患者的治療效果具有重要
2023-09-28 15:09:57
鈉鈣玻璃熱沖擊強(qiáng)度測試儀 玻璃瓶熱沖擊試驗(yàn)儀是一種專門用于測試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環(huán)境下的熱沖擊性能的設(shè)備。它能夠模擬實(shí)際使用中可能出現(xiàn)的各種熱沖擊情況，例如冷熱溫度的交替、室外和室內(nèi)
2023-09-27 15:51:22
包裝袋熱封性能測試儀 在當(dāng)今的藥品包裝領(lǐng)域，熱封性能是評估包裝材料的重要指標(biāo)之一。無論是藥包材包裝還是藥用鋁箔等，良好的熱封性能可以確保產(chǎn)品的密封性和保存效果。包裝袋熱封試驗(yàn)儀可滿足藥品
2023-09-26 13:54:27
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103334 
繃帶阻水測試儀包裝材料阻水性測試儀是一種專門用于檢測包裝材料的防水性能的設(shè)備，其作用愈發(fā)顯得重要。本文將詳細(xì)介紹包裝材料阻水性測試儀的發(fā)展歷程、技術(shù)參數(shù)、使用方法、結(jié)果分析及結(jié)論，強(qiáng)調(diào)其在包裝行業(yè)中
2023-09-21 17:02:16
醫(yī)用材料阻水性能測試 阻水性能測試儀是一款用于測試繃帶、創(chuàng)可貼、醫(yī)用材料等防水性能的專業(yè)檢測儀器。它采用先進(jìn)的壓力傳感器技術(shù)和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確地測試其防水性能，為醫(yī)療、運(yùn)動等領(lǐng)域
2023-09-20 15:10:30
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。
2023-09-19 14:57:28499 
熱縮測試儀 熱縮測試儀是一種用于檢測各種材料熱縮性能的專業(yè)設(shè)備，其中包括薄膜、聚乙烯、熱縮管、背板、PVC硬片、PET收縮膜和包裝袋等。本文將介紹熱縮測試儀的工作原理、實(shí)驗(yàn)方法和應(yīng)用場
2023-09-18 11:17:54
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 熱封性能測試儀 熱封性能測試儀是一種用于檢測各種包裝材料熱封性能的專業(yè)設(shè)備，它可以用于檢測復(fù)合膜、紙塑包裝、塑料軟管、鋁箔、包裝袋等材料。該設(shè)備通過模擬實(shí)際生產(chǎn)過程中熱封工藝的操作
2023-09-15 15:38:39
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531804 
近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41910 
ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494676 
師來說，了解如何檢測IGBT的質(zhì)量非常重要。而對于初學(xué)者來說，找到正確的測試方法可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的文章，介紹如何使用萬用表來測試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測試IGBT之前，我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件，可用于
2023-09-02 11:20:152222 igbt功率管怎么檢測好壞？ 簡介： 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:352091 Transistor）都是半導(dǎo)體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場效應(yīng)管兩個半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:013233 ) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí)，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驅(qū)動電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號，確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動板由IGBT驅(qū)動芯片、驅(qū)動外圍電路、驅(qū)動輔
2023-08-04 17:35:03609 森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514483 IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451490 
IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求，這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。
2023-06-08 11:33:332663 
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
2023-06-04 15:42:05858 
電池熱沖擊試驗(yàn)機(jī)-鋰電池熱沖擊測試儀-熱沖擊試驗(yàn)箱 一、產(chǎn)品概述： 電池熱沖擊試驗(yàn)機(jī)也叫電池熱濫用試驗(yàn)箱，是通過模擬電池放置在自然對流或強(qiáng)制通風(fēng)的高溫箱中，以一定的升溫速率升溫至設(shè)定測試溫度
2023-05-24 11:17:01
5.1 介紹 在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對熱行為的影響。通過對多種情況的分析和比較，可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論?！ ≡诘?章中考
2023-04-21 15:19:53
5.1 介紹 在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對熱行為的影響。通過對多種情況的分析和比較，可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論。 在第4章中考
2023-04-20 17:08:27
”的概念類似于電阻的概念，在許多關(guān)于熱管理的文獻(xiàn)中都有描述?！ ?shù)據(jù)表中最常見的兩個MOSFET熱阻值為： Rth（j-a）：從器件結(jié)（晶元）到環(huán)境的熱阻。這是一個單一的熱阻值，是所有可能的級數(shù)和從結(jié)到
2023-04-20 16:49:55
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí)，器件中流過的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175478 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論