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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>關(guān)于IGBT的封裝失效機(jī)理的詳細(xì)講解

關(guān)于IGBT的封裝失效機(jī)理的詳細(xì)講解

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如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢?

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高性能功率器件的封裝

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IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

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2023-12-22 09:43:45173

電容器失效模式有哪些?陶瓷電容失效的內(nèi)部因素與外部因素有哪些?

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常見的齒輪失效有哪些形式?失效的原因是什么?如何解決?

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ESD失效和EOS失效的區(qū)別

各有不同。本文將詳細(xì)介紹ESD失效和EOS失效的區(qū)別。 首先,讓我們先來了解一下ESD失效。ESD失效是指由于靜電放電引起的電子元件或電路的損壞。靜電放電可以在日常生活中產(chǎn)生,例如人體與地面之間摩擦?xí)r產(chǎn)生的靜電放電。當(dāng)人們接觸電子器件時(shí),這些放
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淺談失效分析—失效分析流程

分析進(jìn)行系統(tǒng)的講解,筆者能力有限, 且失效分析復(fù)雜繁瑣 ,只能盡力的總結(jié)一些知識(shí)體系,肯定會(huì)有很多不足與缺漏。 一.失效的定義: 造成失效的原因不一而足,失效的表現(xiàn)也紛擾復(fù)雜,在進(jìn)行失效分析之前需要確定什么是失效
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2023-12-14 17:06:45262

igbt與mos管的區(qū)別

Transistor)是兩種常見的功率開關(guān)器件,用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種,但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
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英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
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igbt的作用和功能

柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)和雙極型晶體管(BJT)的特征,既具備晶體管放大和柵極控制的優(yōu)點(diǎn),又同時(shí)具備功率開關(guān)的能力。IGBT 的作用和功能非常廣泛,下面將詳細(xì)介紹。 1. 功率開關(guān)功能:IGBT 主要用作功率開關(guān),在高電壓和高電流的條件下,可以快速切換電路的電流。通過將柵極電壓從0V調(diào)整到高電壓(通態(tài))或從
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常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

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R課堂 | IGBT IPM實(shí)例:封裝

本文的關(guān)鍵要點(diǎn) 以實(shí)際的IPM產(chǎn)品為例,介紹了封裝類型、外形尺寸、引腳配置、印標(biāo)和散熱器安裝方法等內(nèi)容。 本文將為大家介紹IGBT IPM的封裝。與 上一篇 中的示例一樣,在本文中我們也以ROHM
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晶振失效了?怎么解決?

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前幾期文章介紹了整數(shù)槽繞組的磁勢(shì)。通過講解我們了解到,繞組的磁勢(shì)除了基波外還包括了一系列諧波,那么這些諧波磁勢(shì)產(chǎn)生的原因是什么?機(jī)理如何?這些諧波的大小又與哪些因素有關(guān)?如何才能削弱甚至消除這些諧波呢?接下來的兩期,就把這些問題掰開了揉碎了詳細(xì)分析一下。本期先講磁勢(shì)諧波產(chǎn)生的原因和機(jī)理。
2023-12-01 14:04:48598

失效分析的原因、機(jī)理及其過程介紹

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2023-11-24 17:31:56966

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之一。為了保護(hù)設(shè)備和元件免受ESD的損害,人們研發(fā)了各種保護(hù)機(jī)制和測(cè)試方法。本文將詳細(xì)介紹ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測(cè)試模式。 保護(hù)機(jī)理 ESD保護(hù)機(jī)理是指在電子設(shè)備和元件中引入一些保護(hù)電路,以抵御或吸收靜電放電引起的電壓過高和電流過大。以下是幾種常見的ESD保護(hù)機(jī)理
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本系列文章將對(duì)LOAM源代碼進(jìn)行講解,在講解過程中,涉及到論文中提到的部分,會(huì)結(jié)合論文以及我自己的理解進(jìn)行解讀,尤其是對(duì)于其中坐標(biāo)變換的部分,將會(huì)進(jìn)行詳細(xì)講解。
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2023-10-31 09:53:451106

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響?

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IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況?

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2023-10-19 17:08:11860

igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件

、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力,廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件,以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028160

基于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的芯片失效位置定位方法

本文主要設(shè)計(jì)了用于封裝可靠性測(cè)試的菊花鏈結(jié)構(gòu),研究了基于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的芯片失效位置定位方法,針對(duì)芯片偏移、RDL 分層兩個(gè)主要失效問題進(jìn)行了相應(yīng)的工藝改善。經(jīng)過可靠性試驗(yàn)對(duì)封裝的工藝進(jìn)行了驗(yàn)證,通過菊花鏈的通斷測(cè)試和阻值變化,對(duì)失效位置定位進(jìn)行了相應(yīng)的失效分析。
2023-10-07 11:29:02410

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各種材料失效分析檢測(cè)方法

失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及,它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。
2023-09-12 09:51:47291

集成電路為什么要做失效分析?失效分析流程?

失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。
2023-09-06 10:28:051331

肖特基二極管失效機(jī)理

肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971

芯片失效分析方法 芯片失效原因分析

芯片失效分析方法 芯片失效原因分析? 隨著電子制造技術(shù)的發(fā)展,各種芯片被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)生產(chǎn)和家庭電器中。然而,在使用過程中,芯片的失效是非常常見的問題。芯片失效分析是解決這個(gè)問題的關(guān)鍵。 芯片
2023-08-29 16:29:112799

電子元器件損壞的原因有哪些?電子芯片故障原因有哪些?常見的電子元器件失效機(jī)理與分析

或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間,有時(shí)甚至炸機(jī)。 硬件工程師調(diào)試爆炸現(xiàn)場(chǎng) 所以掌握各類電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機(jī)理。
2023-08-29 10:47:313727

IGBT逆變電路詳解

IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543320

半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同

半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子學(xué)中常見的兩種材料,它們?cè)陔娮觽鲗?dǎo)方面有著不同的導(dǎo)電機(jī)理。在本文中,我們將詳細(xì)探討半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理,以及它們的區(qū)別。 導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 導(dǎo)體
2023-08-27 16:00:251348

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:571056

igbt單管和雙管的區(qū)別

小、開關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備中。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時(shí),許多工程師也對(duì)其進(jìn)行了深入研究,一般認(rèn)為IGBT單管和雙管在性能上有所不同,接下來我們將詳細(xì)講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義: 單管IGBT指的是僅具有一個(gè)MOS管和一個(gè)BPT(雙極晶體管)的I
2023-08-25 15:11:222535

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞?

速度。然而,與任何其他電子設(shè)備一樣,IGBT也會(huì)經(jīng)歷性能退化,并可能因各種因素而失效。因此,在將IGBT用于電力電子電路之前,測(cè)試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要,以防止對(duì)設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞,避免損失資金。 在這篇文章中,我們將討論
2023-08-25 15:03:352091

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān),具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:294009

電容器的常見失效模式和失效機(jī)理

電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等),部分功能失效
2023-08-23 11:23:17749

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件,且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906

電阻失效發(fā)生的機(jī)理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機(jī)理為:外部水汽通過表面樹脂保護(hù)層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場(chǎng)作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應(yīng),致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理
2023-08-04 09:50:01545

微電子封裝的工藝與類型有哪些 微電子的失效機(jī)理分析

將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與.封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-27 11:21:04258

半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析

本文通過對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930

國(guó)產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502

微電子封裝的工藝與類型有哪些 微電子的失效機(jī)理

將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-20 10:43:29278

車規(guī)IGBT模塊封裝趨勢(shì)和SHAREX燒結(jié)銀應(yīng)用#

IGBT模塊
善仁(浙江)新材料科技有限公司發(fā)布于 2023-07-01 21:45:11

集成電路封裝失效的原因、分類和分析方法

與外界的連接。然而,在使用過程中,封裝也會(huì)出現(xiàn)失效的情況,給產(chǎn)品的可靠性帶來一定的影響。因此,對(duì)于封裝失效的分析和解決方法具有很重要的意義。
2023-06-28 17:32:001779

溫度-機(jī)械應(yīng)力失效主要情形

集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同,可將失效機(jī)理劃分為電應(yīng)力失效機(jī)理、溫度-機(jī)械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603

集成電路封裝失效機(jī)理

集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26715

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理,封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:30314

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:58:10

IGBT的工作原理

去客戶工廠參觀交流,了解到他們用到了我們代理的芯控源的IGBT模塊AGM25T12W2T4,就想給大家講下關(guān)于IGBT的知識(shí)和這款產(chǎn)品!
2023-06-21 09:17:03929

集成電路封裝失效分析方法

集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過程(失效機(jī)理),為集成電路封裝糾正設(shè)計(jì)、工藝改進(jìn)等預(yù)防類似封裝失效的再發(fā)生,提升
2023-06-21 08:53:40572

IGBT功率模塊的封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解,可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。 絲網(wǎng)印刷目的: 將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備 設(shè)備: BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410

一文講透IGBT 模塊失效機(jī)理

驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率(最小脈寬)相對(duì) IGBT 開關(guān)頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是,驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng),系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。
2023-06-16 10:34:23734

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:23:14

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522948

IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512

TVS二極管失效機(jī)理失效分析

常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞.這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483678

是否有任何關(guān)于LS1043A及時(shí)失效的信息?

我正在搜索有關(guān) LS1043A 的信息。 是否有任何關(guān)于 LS1043A 及時(shí)失效的信息? 或者我應(yīng)該為 FIT 計(jì)算?我正在嘗試計(jì)算它,但沒有足夠的信息。 #ls1043a #ls1023a #ls1046a
2023-05-06 08:49:13

同步輻射CT技術(shù)揭示正負(fù)極串?dāng)_失效機(jī)理:不均勻的離子通量

目前已有大量工作研究全固態(tài)鋰金屬電池ASSLMB的衰退機(jī)理。
2023-05-04 17:41:40761

導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷片失效的四個(gè)主要原因

通過實(shí)際經(jīng)驗(yàn)及測(cè)試發(fā)現(xiàn),導(dǎo)致制冷片失效的原因主要有以下4個(gè)方面:1、熱應(yīng)力:失效機(jī)理:半導(dǎo)體致冷器工作時(shí)一面吸熱、一面放熱,兩面工作在不同的溫度上。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料和其他部件(導(dǎo)銅和瓷片)的熱膨脹
2023-04-28 17:54:362785

新能源汽車IGBT模塊結(jié)構(gòu)講解

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 21:28:55

壓接型與焊接式IGBT失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究IGBT失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117

半導(dǎo)體集成電路失效分析原理及常見失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)
2023-04-18 09:11:211360

?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287

【資料】ACL/VPN/OSPF/VRRP/交換機(jī)/路由器等工作原理詳細(xì)講解

本帖最后由 小七小七 于 2023-4-10 08:52 編輯 因上傳限制,分成2個(gè)文件包,有需要的可以自行下載?。?!之前備考的時(shí)候?qū)W習(xí)整理的資料,供各位備考學(xué)習(xí):1、ACL工作原理詳細(xì)講解2
2023-04-07 11:59:58

淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551088

瞬態(tài)熱阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)殼熱阻的方法

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應(yīng)用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

IGBT是功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象

,無法修復(fù)。IGBT損壞意味著逆變器必須更換或大修。因此,IGBT是功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象。逆變器核心部件IGBT介紹以上就是IGBT失效的三種模式。電氣故障最為常
2023-03-30 10:29:45992

鋰離子電池負(fù)極衰減機(jī)理研究進(jìn)展

碳材料,尤其石墨材料,是鋰離子電池中應(yīng)用最廣泛的負(fù)極材料。 雖然其他負(fù)極材料,如合金類材料、硬碳材料等,也在被廣泛研究,但研究重點(diǎn)主要集中于活性材料的形貌控制和性能改進(jìn),關(guān)于其容量衰減的機(jī)理分析較少
2023-03-27 10:40:52538

全面的IGBT封裝設(shè)計(jì)解決方案

國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
2023-03-27 09:34:091296

整理了關(guān)于國(guó)內(nèi)IGBT的情況

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)IGBT,并了解目前國(guó)內(nèi)IGBT的情況
2023-03-26 00:05:201999

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