電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度、3V至36V輸入、1V至6V輸出、2A電源模塊采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝TLVM13620數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 16:30:04
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度、3V 至36V輸入、1V至16V輸出、2A電源模塊采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝TPSM63602數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 16:22:350 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組件中，內(nèi)存的性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。高密度DDR4芯片作為當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的杰出代表，不僅憑借其卓越的性能表現(xiàn)和微型化技術(shù)贏得了廣泛認(rèn)可，還在多個(gè)方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2024-03-22 14:47:42
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的優(yōu)越性能，全閃存存儲(chǔ)陣列在數(shù)據(jù)中心中越來(lái)越受歡迎。這些存儲(chǔ)系統(tǒng)使用SSD作為主存儲(chǔ)和輔助存儲(chǔ)，提供更快的數(shù)據(jù)訪問、降低功耗并提高可靠性。 二、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)是一種新型非易失性內(nèi)存，它將DRAM的速度與NAND閃存的
2024-03-18 17:39:22141 讓量子計(jì)算機(jī)走出實(shí)驗(yàn)室造中國(guó)自主可控量子計(jì)算機(jī)量子芯片作為量子計(jì)算機(jī)的核心部件，扮演著類似于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)中‘大腦’的角色。而與此同時(shí)，高密度微波互連模組則像是‘神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)’，在量子芯片與外部設(shè)備之間
2024-03-15 08:21:0572 
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2024-03-06 16:51:58
這位博主堅(jiān)持認(rèn)為，在今年的年底，小米僅計(jì)劃生產(chǎn)搭載驍龍8 Gen 3或驍龍8 Gen 4處理器的機(jī)型。另外，預(yù)計(jì)這兩款新品都將搭載超大容量的高密度硅負(fù)離子電池，屏幕大小、外觀設(shè)計(jì)以及后置攝像頭的配置保持不變。
2024-03-06 10:18:00131 3 月 5 日消息，美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:3561 數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高級(jí)存儲(chǔ)解決方案，其目標(biāo)是通過智能化技術(shù)降低IT運(yùn)營(yíng)復(fù)雜度，同時(shí)最大化存儲(chǔ)資源的效率和價(jià)值。該系統(tǒng)通常具備以下核心特征：高性能與優(yōu)化：通過
2024-03-05 13:53:1780 
的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來(lái)深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) ? (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的，也是減少干擾的
2024-03-04 14:01:0271 VicorPoweringInnovation播客介紹了OLogic如何推崇高密度電源模塊來(lái)推動(dòng)當(dāng)今的機(jī)器人革命從玩具到建筑工地工具OLogic加速機(jī)器人創(chuàng)意從概念到生產(chǎn)的進(jìn)程馬薩諸塞州安多
2024-02-28 00:00:00745 
特點(diǎn)●超高密度細(xì)胞溝設(shè)計(jì)為低RDS（開）?！駡?jiān)固而可靠?！癖砻姘惭b軟件包。
2024-02-22 14:44:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數(shù)據(jù)手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 14:35:290 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu)，即大量元件密集排布在同一平面。然而，為了提升性能，儲(chǔ)存行業(yè)正致力于開發(fā)高密度的3D DRAM。這項(xiàng)技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積兩種方式，均能有效地增加存儲(chǔ)空間。
2024-01-29 09:31:17231 閃存技術(shù)，通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。這種技術(shù)結(jié)合了NAND閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 【摘要/前言】 “角度”，這個(gè)詞每天都出現(xiàn)在我們的生活中，有物理學(xué)的角度，如街邊的拐角，還有視覺上的角度和觀點(diǎn)中的角度~ Samtec新型? AcceleRate? mP 高密度電源/信號(hào)互連
2024-01-05 11:47:24103 
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2024-01-05 11:12:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 11:08:290 隨著上游原廠醞釀提價(jià)，多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨，以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。
2024-01-03 15:34:13733 DRAM芯片全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時(shí)讀寫且速度快，斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲(chǔ)器，也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561003 
門。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:003905 高密度互連印刷電路板：如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39226 
54V，有效降低了電源全鏈路損耗，改善了數(shù)據(jù)中心能效。結(jié)合在氣流優(yōu)化、液冷散熱等方面的技術(shù)改進(jìn)，以及第四代英特爾 至強(qiáng) 可擴(kuò)展處理器帶來(lái)的更高能耗比，我們推出了綠色的高密度算力整機(jī)柜方案，打造了可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心典范。我們也和英特爾將技術(shù)成果標(biāo)準(zhǔn)化，幫助更多企業(yè)構(gòu)建綠色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 
2023年11月24日，雷賽智能基于二十余年伺服行業(yè)成功經(jīng)驗(yàn)，歷經(jīng)一年多努力，研發(fā)成功FM1系列高密度無(wú)框電機(jī)和微型伺服驅(qū)動(dòng)器，推動(dòng)人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，幫助廣大客戶進(jìn)行進(jìn)口替代和升級(jí)降本。
2023-11-27 17:28:10872 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種高密度、易于設(shè)計(jì)的通道間隔離模擬輸入模塊完整解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 10:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《突破PLC DCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設(shè)計(jì)障礙.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 10:42:400 內(nèi)部功能，這種產(chǎn)品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲(chǔ)單元的長(zhǎng)寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲(chǔ)器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來(lái)
2023-11-17 09:26:27378 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
高密度、高復(fù)雜性的多層壓合pcb電路板
2023-11-09 17:15:32870 JSCJ長(zhǎng)晶長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國(guó)內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)
2023-11-01 15:20:20254 ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
簡(jiǎn)儀推出新產(chǎn)品高密度多功能數(shù)據(jù)采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s，針對(duì)高密度模擬輸入通道需求提供高性價(jià)比的解決方案，擴(kuò)展DAQ數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的涵蓋范圍。 產(chǎn)品亮點(diǎn) 01 高密度模擬
2023-10-25 14:30:59450 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 如何開發(fā)與存儲(chǔ)位置無(wú)關(guān)的STM32應(yīng)用？
2023-10-18 16:46:38285 
Zynq中存儲(chǔ)程序的地方有QSPI Flash，SD卡，EMMC。
2023-10-17 17:00:38635 怎么把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
、SPI、USART、I2C、USB、，可以…）。IAP已為希望更新其應(yīng)用程序軟件的用戶實(shí)現(xiàn)通過在程序執(zhí)行期間對(duì)閃存程序存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程來(lái)對(duì)其自身進(jìn)行編程。主要IAP的優(yōu)點(diǎn)是能夠重新編程閃存和數(shù)
2023-10-10 07:42:44
MCU中整數(shù)是用什么方式來(lái)存儲(chǔ)的
2023-10-10 07:33:50
對(duì)于嵌入式開發(fā)者來(lái)講，對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)小型化的追求似乎是永無(wú)止境的。這種追求帶來(lái)了兩個(gè)直接的挑戰(zhàn)：一是如何在有限的空間內(nèi)“堆料”，滿足不斷增加的功能性要求；二是如何實(shí)現(xiàn)高密度、高可靠的互連，以滿足系統(tǒng)連接
2023-10-04 08:10:012595 
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 使用的熟練情況，直接關(guān)系到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)劣。本文試著用比較通俗系統(tǒng)的圖片和文字來(lái)解說，DRAM中一個(gè)基本電路單元的工作原理。
2023-09-25 11:38:421902 
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
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2023-09-25 09:33:450 開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段，預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。 碳化硅，氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度，支持高電流密度，耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
2023-09-18 07:14:50
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
富士膠片株式會(huì)社和 IBM宣布共同開發(fā)了原始記錄容量達(dá)50TB的磁帶存儲(chǔ)系統(tǒng)，為目前全球最高磁帶容量(*1)。富士膠片已開始生產(chǎn)高密度磁帶，用于IBM企業(yè)級(jí)磁帶驅(qū)動(dòng)器 TS1170。第六代 IBM 3592 JF磁帶采用了新開發(fā)的精細(xì)混合磁性顆粒技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量。
2023-09-05 16:47:16336 虹科電源測(cè)試系統(tǒng)ATE升級(jí)實(shí)現(xiàn)更高的測(cè)試密度和更低的測(cè)試成本01高密度精度測(cè)量單元HK-HDPMU在單板上提供多達(dá)192個(gè)額外的獨(dú)立參數(shù)測(cè)量單元(PMU)通道。虹科解決方案將增加并行測(cè)試，而無(wú)需創(chuàng)建
2023-09-04 16:22:23317 
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2023-09-01 15:21:431 數(shù)據(jù)中心機(jī)房高密度布線是我們現(xiàn)在經(jīng)常關(guān)注的問題，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高密度光纖配線箱的使用，很多人對(duì)于這一點(diǎn)有很多疑問，其實(shí)我們從數(shù)據(jù)中心機(jī)房網(wǎng)絡(luò)布線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)就可以看出，當(dāng)前最重要的有四種，分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49235 
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2023-08-28 14:36:280 /秒)到1600 MB/秒。
更快的網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的好處很容易理解。數(shù)據(jù)傳輸更快。鏈接較少為了完成相同的任務(wù)，需要管理的設(shè)備更少，消耗的功率更少。
采用第五代光纖通道。一些服務(wù)器和存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)了對(duì)更大的SAN帶寬，包括應(yīng)用程序和存儲(chǔ)容量的增長(zhǎng)，高密度服務(wù)器
2023-08-25 17:19:060 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 器技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
MPO光纖配線架應(yīng)用于大型數(shù)據(jù)中心機(jī)房MDF，近幾年來(lái)，MPO高密度光纖配線架在機(jī)房布線中應(yīng)用廣泛，得到項(xiàng)目的青睞使用，這就有很多人有一個(gè)疑問，到底是什么樣的有點(diǎn)讓此類配線架火起來(lái)的，下面就跟著
2023-08-09 09:58:56285 
快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中，花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。
2023-08-02 11:31:42226 
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2023-08-01 16:54:170 ，狀態(tài)仍然會(huì)保留，即斷電不丟失。
NAND Flash
存儲(chǔ)單元串聯(lián)排列的結(jié)構(gòu)稱為 NAND Flash，NAND Flash的一個(gè)特點(diǎn)是可以高密度排列存儲(chǔ)單元。
NAND Flash 相比較于
2023-07-28 16:23:18
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 PCB的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來(lái)深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的，也是減少
2023-07-19 09:26:08518 聯(lián)訊儀器PXIe源測(cè)量單元(SMU)集成高精度源和測(cè)量單元，可利用PXIe源測(cè)量單元構(gòu)建高密度并行測(cè)試系統(tǒng)，以滿足大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的高通道密度，并增加配置的靈活性，最大化測(cè)試效率，降低測(cè)試成本。
2023-07-18 00:00:00385 
當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來(lái)，智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來(lái)一個(gè)重要變化，即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO，包括數(shù)字IO或模擬IO。由此，構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。
2023-07-13 16:56:041119 
存儲(chǔ)主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲(chǔ)設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個(gè)存儲(chǔ)單元（如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等）之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作。存儲(chǔ)主控芯片通常包括處理器、內(nèi)存控制器、接口控制器等功能模塊，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)管理。
2023-07-10 15:50:172807 petaexpress云存儲(chǔ)服務(wù)是一種海量、安全、低成本、高可靠的云存儲(chǔ)服務(wù)，是一種通過互聯(lián)網(wǎng)在遠(yuǎn)程服務(wù)器上保存數(shù)據(jù)、訪問和管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)。 云存儲(chǔ)服務(wù)的優(yōu)勢(shì) 1、總體成本：使用云存儲(chǔ)，不需要購(gòu)買
2023-07-07 16:48:24398 Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產(chǎn)品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內(nèi)部采用高密度組裝工藝方法，并配合使用具有優(yōu)異性
2023-07-03 11:08:55310 
摘要：提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號(hào)檢測(cè)方法，闡述了DPD信號(hào)檢測(cè)中均衡電路和相位檢測(cè)器的原理和設(shè)計(jì)方法，并基于CPLD器件實(shí)現(xiàn)了光盤高頻讀出信號(hào)的相位差檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本文提出的方法可以準(zhǔn)確檢測(cè)光盤的DPD信號(hào)。
2023-06-29 17:07:390 存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況，DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平，但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據(jù)悉，
dram的批發(fā)價(jià)格是
存儲(chǔ)器事業(yè)者和顧客公司之間每個(gè)月或每個(gè)季度決定的。業(yè)界人士表示：“目前價(jià)格還處于季節(jié)的最后階段，因此個(gè)別制造企業(yè)面臨的狀況有所不同。”并稱：“如果下級(jí)企業(yè)的庫(kù)存水位上升，是否會(huì)受到價(jià)格調(diào)整，還需要進(jìn)一步觀察?！?/div>
2023-06-29 11:00:47393 說明 使用“掃描 RLO 的信號(hào)上升沿”指令，可查詢邏輯運(yùn)算結(jié)果 (RLO) 的信號(hào)狀態(tài)從“0”到“1”的更改。該指令將比較 RLO 的當(dāng)前信號(hào)狀態(tài)與保存在邊沿存儲(chǔ)位（ ）中上一次查詢的信號(hào)狀態(tài)
2023-06-28 16:20:11355 
光纖連接器的高密度布局和設(shè)計(jì)方法是在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多連接器數(shù)量的一種策略，以提高光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴設(shè)備等各類終端產(chǎn)品。隨著5G的導(dǎo)入，模塊要有更高的功率，工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案，具備高密度集成、高良品率等顯著優(yōu)勢(shì)。該方案通過工藝流程優(yōu)化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
Holt集成電路公司的HI-3220是一個(gè)單體系列芯片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC能夠管理、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)16個(gè)ARINC 429接收信道之間的消息，以及八個(gè)ARINC 429發(fā)射信道
2023-06-15 15:14:352 Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC，能夠在16個(gè)ARINC 429接收通道和8個(gè)ARINC 429-發(fā)送通道之間管理、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)消息，使這些
2023-06-15 11:20:44
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
選通管（Selector）。為了抑制交叉存儲(chǔ)陣列的漏電流問題，往往引入選通管與存儲(chǔ)單元集成設(shè)計(jì)。相比于非易失性器件，易失性憶阻器作為選通管時(shí)，不需要額外的復(fù)位操作，簡(jiǎn)化了外圍電路的設(shè)計(jì)，有助于存儲(chǔ)芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:371592 
高密度互連 (HDI) 需求主要來(lái)自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:58523 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
被相關(guān)人閱讀。新手對(duì)電腦的設(shè)計(jì)空間。雖然內(nèi)存技術(shù)在密度和性能方面有所提高，
而新的存儲(chǔ)設(shè)備技術(shù)為設(shè)計(jì)方案、原理和方法提供了改進(jìn)的特性-在這個(gè)驚人的完整的論文中提出的氣味學(xué)將仍然有幾十年的有用。我只希望有一本書在三十多
2023-05-26 15:42:590 以更低的成本獲得更高的存儲(chǔ)性能可能會(huì)在存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展（UME），JEDEC規(guī)范的出現(xiàn)。它被定義為 JEDEC UFS（通用閃存）規(guī)范的擴(kuò)展。JEDEC UFS設(shè)備使用NAND閃存技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-05-26 14:22:28673 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存 （HBM） 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333396 
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦
2023-05-19 15:59:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī)，比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例，每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
2023-04-25 10:05:085448 
被廣泛應(yīng)用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO，全名Multi-fiber Push ON，是用來(lái)做設(shè)備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機(jī)械
2023-04-18 01:16:005585 
。根據(jù)閃存的類型，閃存的使用壽命會(huì)縮短，大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開始惡化存儲(chǔ)完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環(huán)。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲(chǔ)單元尺寸，并且實(shí)現(xiàn)成本更低。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:42:42
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
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