長(zhǎng)電科技第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案獲得顯著增長(zhǎng)

新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。

長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段，預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。

碳化硅，氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度，支持高電流密度，耐受更高的溫度，低導(dǎo)通和開通損耗的同時(shí)，也伴隨著一些挑戰(zhàn)，如寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻、電磁干擾等。先進(jìn)封裝技術(shù)在解決這些挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了越來越為關(guān)鍵作用。

長(zhǎng)電科技和全球領(lǐng)先客戶共同開發(fā)的高密度集成解決方案融合了多種封裝技術(shù)，包括開爾文（Kelvin Source）結(jié)構(gòu)、倒裝（Flip Chip）技術(shù)等，成功減少了寄生電感的干擾。

同時(shí)，通過采用Clip和Ribbon鍵合工藝降低了封裝的寄生電阻，從而提高了功率轉(zhuǎn)換效率。

其次，封裝的散熱能力直接關(guān)乎功率器件的穩(wěn)定性和效率，長(zhǎng)電解決方案通過頂部散熱結(jié)構(gòu)（TSC）等多種技術(shù)手段，極大降低了器件的熱阻，改善了熱傳導(dǎo)路徑，使封裝的散熱能力大幅提升，助力第三代半導(dǎo)體器件充分釋放材料性能潛力。

包括英諾賽科在內(nèi)的國(guó)內(nèi)外眾多領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品公司相繼發(fā)布了大規(guī)模晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，為長(zhǎng)電科技的高密度中大功率器件成品制造解決方案提供了廣闊的應(yīng)用發(fā)展空間。

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)，2021~2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)保持超過30%的年復(fù)合增長(zhǎng)，長(zhǎng)電科技積極擴(kuò)產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)能滿足國(guó)內(nèi)外客戶的需求。

長(zhǎng)電科技工業(yè)及智能應(yīng)用事業(yè)部總經(jīng)理金宇杰表示：“長(zhǎng)電科技面向第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案在開發(fā)和市場(chǎng)應(yīng)用上均取得了可喜的成果，我們期待相關(guān)業(yè)務(wù)的營(yíng)收規(guī)模在未來幾年將獲得顯著增長(zhǎng)?！?/p>

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商英諾賽科表示：“長(zhǎng)電科技一直是我們產(chǎn)品開發(fā)過程中的不可或缺的合作伙伴，雙方在不斷的創(chuàng)新和合作中激發(fā)靈感，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，共同為市場(chǎng)帶來更多創(chuàng)新產(chǎn)品。”

審核編輯：彭菁