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SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統(tǒng)。例如很多8 BIT 單片機，由于能支持的RAM存儲比較小，內部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設計SRAM存儲主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲器主板基本設計的五大步驟。
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1.地址緩沖器在提供給存儲器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因為741ls245布線比較簡單，所以才通過74ls245可單向使用。
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2.數(shù)據(jù)緩沖器因為數(shù)據(jù)需要雙向進行，所以才要利用74ls245來進行接收。會將柵極一直打開，通過對存儲器芯片的讀信號來進行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設置為只在cs1有效時才輸出的方法。
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3.pld（memdec）ld應用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設置在sram主板空間）、且bale為低電平時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設置為當片選和smemr/smemw有效時輸出。
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4.各份電源的切換，電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話，則可能會發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
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5.片選控制，為了電池備份，必須使存儲器的片選信號無效。本次我們雖然只利用ce1進行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進行片選控制，將會利用作為電源監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。
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靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)多年來被廣泛應用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應用，特別會要求初始存取等待時間比較短的情況下，都會考慮使用SRAM，這已經成為一個常識。歷史上SRAM存儲器芯片市場曾經幾度起伏，大多數(shù)時候整個存儲器芯片市場需求量會因為一個新的SRAM應用而暴漲。lw
SRAM存儲器主板基本設計
- sram(113777)
- ISSI(22317)
- SRAM存儲器(13126)
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系統(tǒng)架構
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PrimeCell AHB SDR和NAND存儲器控制器（PL242）技術參考手冊
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dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
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對于存儲器間接尋址，可以在變量中存儲地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數(shù)據(jù)類型。變量可以位于存儲器區(qū)域“數(shù)據(jù)”（DB 或 DI）、“位存儲器” (M) 或“臨時本地數(shù)據(jù)” (L) 中。
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單板硬件設計：存儲器（ NAND FLASH)
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SRAM：
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單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
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國產512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
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2542CH32V103基礎教程13-DMA（存儲器到存儲器）
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2023-04-07 16:41:05
RA2快速設計指南 [6] 存儲器
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存儲器：存儲器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲器。
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2023-03-30 10:32:39580
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探究計算機存儲器結構體系1
你是不是經常被以下名詞弄得暈頭轉向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說明各個層次存儲器的特點和區(qū)別，并對它們的工作原理做一些簡要的說明
2023-03-30 10:32:16624
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IMXRT1064智能外部存儲器引腳多路復用器是什么意思？
我有以下與智能外部存儲控制器相關的問題。Q1：為什么我們沒有使用 SRAM 的 BA0 和 BA1，如下所示 (SEMC_SRAM_Q1_Pic.png)。?Q2：“ADV#”、“ALE”和“DCX
2023-03-29 08:09:01
工商網監(jiān)
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