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探究計算機存儲器結(jié)構(gòu)體系2

jf_78858299 ? 來源:小余的自習(xí)室 ? 作者:小余的自習(xí)室 ? 2023-03-30 10:32 ? 次閱讀

SRAM

SRAM只要儲存器保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以保持不變。我們也把它叫做雙穩(wěn)定態(tài),即使有干擾,當(dāng)干擾消除的時候,電路就會恢復(fù)穩(wěn)定值。它的每個單元都是由六個晶體管電路來實現(xiàn)。如下圖。

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DRAM

DRAM芯片中的單元被分成d個超單元,每個超單元都由w個DRAM單元組成。一個d*w的DRAM總共就是存儲dw位的信息了。(在這里我覺得《深入理解計算機原理》的作者翻譯有問題,本書很多地方的翻譯都讓人讀的不夠順暢,這里的有三個‘單元’,其實可以完全還另外一種說法,簡單的說就是一個塊被分成d個組,每個組都是w個DRAM單元。)超單元被組織成r行c列的長方形陣列,這里d=rc。每個超單元都有形如(i,j)的地址,這里i表示行,j表示列。

如上圖,每個RDAM芯片被連接到某個稱為存儲寄存器的電路,它的2個addr引腳,攜帶2位的行和列超單元引腳。當(dāng)要訪問一個超單元時,行地址i稱為RAS(Row Access Strobe,行訪問選通脈沖)請求。列地址j稱為CAS(Column Access Strobe,列訪問選通脈沖)請求。兩者共享相同的DRAM地址引腳。具體讀取過程如下圖。

DRAM每個單元是由一個電容和一個訪問晶體管組成的,每一位存儲就是對一個電容充電。利用電容內(nèi)部存儲電荷的多少來代表這一位是0還是1。但是由于電容有漏電的現(xiàn)象,當(dāng)有干擾存在時,可能會導(dǎo)致電壓被擾亂,從而使數(shù)據(jù)丟失。所以它需要周期性的充電。由于多種原因?qū)е碌穆╇?,DRAM單元會在10~100毫秒時間內(nèi)失去電荷。例如由于電容暴露在陽光下會導(dǎo)致電壓的改變,利用這一特性,數(shù)碼相機和攝像機的傳感器本質(zhì)就是DRAM的單元陣列。下表是SRAM和DRAM的對比。

ROM與閃存(flash memory)

ROM(Read OnlyMemory,只讀存儲器)有的類型是可以讀也可以寫,但是由于歷史原因,統(tǒng)稱為只讀存儲器 。它存放的數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定,斷電后所存的數(shù)據(jù)也不會改變,它的結(jié)構(gòu)相對較簡單,讀出方便,因而常用于存儲各種固定程序與數(shù)據(jù)。存放在ROM設(shè)備中的程序通常稱為固件(firmware)。比如我們計算機的BIOS,就是存放在ROM中的。

PROM(ProgrammableROM,可編程ROM) 只能被編程一次。PROM的每個存儲器單元有一種熔絲,它只能用高電流熔斷一次。

EPROM (ErasableProgrammable ROM,可擦寫可編程ROM)有一個透明的石英窗口,允許光到達(dá)存儲單元。紫外線光通過窗口照射進來,EPROM單元就被清楚為0。EEPROM(Electrically Erasable ROM,電子可擦寫ROM)類似于EPROM,但是它不需要一個物理上獨立的編程設(shè)備,因此可以直接在印制電路卡上編程。

3.磁盤

磁盤包括硬盤和軟盤,這里我們以硬盤為例,硬盤是我們最長接觸到的存儲器之一,拆開后它就長下面這個樣子

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如果把它的結(jié)構(gòu)圖花下來,它就是下面這個樣子的。它是由盤片、磁頭、盤片主軸、控制電機、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口、緩存等部分組成的。

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下面介紹最重要的幾個概念,扇區(qū)、磁道、柱面、盤面。

1、盤面

硬盤的盤片一般用鋁合金材料做基片,高速硬盤也可能用玻璃做基片。硬盤的每一個盤片都有兩個盤面(Side),即上、下盤面,一般每個盤面都會利用,都可以存儲數(shù)據(jù),成為有效盤片,也有極個別的硬盤盤面數(shù)為單數(shù)。每一個這樣的有效盤面都有一個盤面號,按順序從上至下從“0”開始依次編號。在硬盤系統(tǒng)中,盤面號又叫磁頭號,因為每一個有效盤面都有一個對應(yīng)的讀寫磁頭。硬盤的盤片組在2~14片不等,通常有2~3個盤片,故盤面號(磁頭號)為0~3或 0~5。

2、磁道

磁盤在格式化時被劃分成許多同心圓,這些同心圓軌跡叫做磁道(Track)。磁道從外向內(nèi)從0開始順序編號。硬盤的每一個盤面有300~1 024個磁道,新式大容量硬盤每面的磁道數(shù)更多。信息以脈沖串的形式記錄在這些軌跡中,這些同心圓不是連續(xù)記錄數(shù)據(jù),而是被劃分成一段段的圓弧,這些圓弧的角速度一樣。由于徑向長度不一樣,所以,線速度也不一樣,外圈的線速度較內(nèi)圈的線速度大,即同樣的轉(zhuǎn)速下,外圈在同樣時間段里,劃過的圓弧長度要比內(nèi)圈劃過的圓弧長度大。每段圓弧叫做一個扇區(qū),扇區(qū)從“1”開始編號,每個扇區(qū)中的數(shù)據(jù)作為一個單元同時讀出或?qū)懭?。一個標(biāo)準(zhǔn)的3.5寸硬盤盤面通常有幾百到幾千條磁道。磁道是“看”不見的,只是盤面上以特殊形式磁化了的一些磁化區(qū),在磁盤格式化時就已規(guī)劃完畢。

3、柱面

所有盤面上的同一磁道構(gòu)成一個圓柱,通常稱做柱面(Cylinder),每個圓柱上的磁頭由上而下從“0”開始編號。數(shù)據(jù)的讀/寫按柱面進行,即磁頭讀/寫數(shù)據(jù)時首先在同一柱面內(nèi)從“0”磁頭開始進行操作,依次向下在同一柱面的不同盤面即磁頭上進行操作,只在同一柱面所有的磁頭全部讀/寫完畢后磁頭才轉(zhuǎn)移到下一柱面(同心圓的再往里的柱面),因為選取磁頭只需通過電子切換即可,而選取柱面則必須通過機械切換。電子切換相當(dāng)快,比在機械上磁頭向鄰近磁道移動快得多,所以,數(shù)據(jù)的讀/寫按柱面進行,而不按盤面進行。也就是說,一個磁道寫滿數(shù)據(jù)后,就在同一柱面的下一個盤面來寫,一個柱面寫滿后,才移到下一個扇區(qū)開始寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)也按照這種方式進行,這樣就提高了硬盤的讀/寫效率。一塊硬盤驅(qū)動器的圓柱數(shù)(或每個盤面的磁道數(shù))既取決于每條磁道的寬窄(同樣,也與磁頭的大小有關(guān)),也取決于定位機構(gòu)所決定的磁道間步距的大小。

4、扇區(qū)

操作系統(tǒng)以扇區(qū)(Sector)形式將信息存儲在硬盤上,每個扇區(qū)包括512個字節(jié)的數(shù)據(jù)和一些其他信息。一個扇區(qū)有兩個主要部分:存儲數(shù)據(jù)地點的標(biāo)識符和存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)段。

在最初的時候,將每個磁道都是分為數(shù)目相同的扇區(qū)的,扇區(qū)的數(shù)目都是由最靠近里面的磁道的扇區(qū)數(shù)來決定的。為了保證每個磁道具有固定的扇區(qū)數(shù),那么越往外,它的數(shù)據(jù)密度就會越低,造成磁盤空間的浪費?,F(xiàn)代大容量磁盤使用了一種稱為多區(qū)記錄的技術(shù),說白了就是利用柱面,把相鄰的幾個柱面分成一個區(qū),(盤面上的磁道都是一個個同心圓,我們將這些同心圓分組,相鄰的幾個同心圓為一組,擴展到柱面,也是這樣分。)一個區(qū)中的每個柱面中的每條磁道都有相同數(shù)量的扇區(qū),這個扇區(qū)的數(shù)量是由該區(qū)中最里面的磁道所包含的扇區(qū)數(shù)所確定的。

磁盤操作

磁盤用讀/寫頭來讀寫存儲在磁性表面的位,而讀寫頭連接到一個傳動臂一端。通過沿著半徑軸前后移動這個傳動臂,驅(qū)動器可以將讀/寫頭定位到盤面上的任何磁道上。這樣的機械運動稱為尋道。

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在傳動臂末端的讀/寫頭在磁盤表面高度大約0.1微米處的一層薄薄的氣墊上飛翔,速度大約是80km/h。

磁盤以扇區(qū)大小的塊來讀寫數(shù)據(jù)。對扇區(qū)的訪問時間有三個主要的部分:尋道時間、旋轉(zhuǎn)時間和轉(zhuǎn)送時間。在訪問一個磁盤扇區(qū)時,時間主要花在尋道時間和旋轉(zhuǎn)時間,而且尋道時間和旋轉(zhuǎn)時間基本相等。

5.閃存(flash)和固態(tài)硬盤(SSD

閃存(flash memory)是一類非易失性存儲器,基于EEPROM,可以對塊的存儲器單元進行擦寫和再編程。任何閃存器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行,所以在大多數(shù)情況下,在進行寫操作實現(xiàn)必須先執(zhí)行擦除。閃存的存儲單元為三端器件,與場效應(yīng)管有相同的名稱:源極、漏極和柵極。如下圖。

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Flash我們分為NOR和NAND,這兩者的區(qū)別是什么呢?NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應(yīng),電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對浮置柵極進行充電(寫數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅基層),但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。NOR的讀速度比NAND稍快一些。NAND的寫入速度比NOR快很多。由于NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。而 大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。所以NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快得多。

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參考資料

《深入理解計算機系統(tǒng)》

https://blog.csdn.net/hguisu/article/details/7408047

[計算機系統(tǒng)之存儲器體系結(jié)構(gòu)]

(https://zhuanlan.zhihu.com/p/358848203)

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