晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:2436 引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:1335 介紹了封裝鍵合過程中應(yīng)用的銀合金鍵合線與鋁墊之間形成的共金化合物(IMC),提出了侵蝕對IMC的影響,由于銀合金線IMC不能通過物理方法確認(rèn),需通過軟件測量計(jì)算和化學(xué)腐蝕試驗(yàn)得到IMC覆蓋面積。詳述
2023-10-20 12:30:02114 公司的成本。 評價(jià)方法1、零距鍵合指數(shù)(BI):通過測定干、濕紙條的零距抗張而得,將鍵合中有效抗張強(qiáng)度提高的百分?jǐn)?shù)定義為鍵合指數(shù)。 2、通過測
2023-10-12 16:40:13
隨著產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)升級,電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展,對電子設(shè)備提出了更高的要求??煽康姆庋b技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽極鍵合技術(shù)是晶圓封裝的有效手段,已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點(diǎn)是鍵合時(shí)間短、鍵合成本低。溫度更高,鍵合效率更高,鍵合連接更可靠。
2023-09-13 10:37:36136 不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中,晶圓直接鍵合對顆粒清潔度的要求非常嚴(yán)格。直接晶圓鍵合包括通過簡單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接觸來將兩種材料連接在一起(圖1)。在室溫和壓力下,兩種材料表面的分子/原子之間形成的范德華力會產(chǎn)生粘附力。
2023-09-08 10:30:18105 tc鍵合機(jī)是hbm和半導(dǎo)體3d粘合劑為代表性應(yīng)用領(lǐng)域的加工后,在晶片上堆積一個(gè)芯片的熱壓縮粘合劑。日本企業(yè)tc鍵合機(jī)的市場占有率很高。tc鍵合機(jī)銷量排在前6位的公司中,日本公司占據(jù)了3家公司(西寶、新川、東麗)。
2023-09-05 14:42:51426 芯片鍵合技術(shù)在半導(dǎo)體制造中占有重要的地位,它為組件間提供了一個(gè)可靠的電氣和機(jī)械連接,使得集成電路能夠與其它系統(tǒng)部分進(jìn)行通信。在眾多的芯片鍵合技術(shù)中,Wedge、Ball、Bump Bonding被廣泛使用。以下將詳細(xì)探討這三種技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用以及它們之間的差異。
2023-08-19 10:11:30669 的傳輸路徑)的方法被稱為引線鍵合(Wire Bonding)。其實(shí),使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了,現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來,加裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔
2023-08-09 09:49:47505 本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15479 在本文中,我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:08439 小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機(jī)遇,但當(dāng)前的鍵合技術(shù)帶來了許多挑戰(zhàn)。
2023-06-20 16:45:13151 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù),相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝,其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對應(yīng)用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)進(jìn)行了
2023-06-20 10:58:48703 晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:27452 微電子封裝用主流鍵合銅絲半導(dǎo)體封裝技術(shù)
2023-06-06 10:25:48258 晶圓鍵合機(jī)主要用于將晶圓通過真空環(huán)境, 加熱, 加壓等指定的工藝過程鍵合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級微機(jī)電元件的制作和封裝需求. 晶圓鍵合機(jī)需要清潔干燥的高真空工藝環(huán)境, 真空度
2023-05-25 15:58:06280 金絲鍵合是實(shí)現(xiàn)微波多芯片組件電氣互聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù),自動(dòng)金絲鍵合具有速度快、一致性好、電氣性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),在微波毫米波領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。然而,隨著電子封裝產(chǎn)能和生產(chǎn)精度的提升,產(chǎn)品設(shè)計(jì)精度已經(jīng)逼近自動(dòng)化
2023-05-22 16:05:56834 金絲鍵合推拉力測試機(jī)應(yīng)用
2023-05-16 14:32:55338 細(xì)間距小尺寸的焊盤鍵合工藝是微波組件自動(dòng)鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改進(jìn)焊線模式、優(yōu)化工藝參數(shù)等方面的工藝優(yōu)化手段
2023-05-16 10:54:01946 就微粒污染而言,不同的微電子工藝需要非常干凈的表面。其中,直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求。直接晶圓鍵合是將兩種材料結(jié)合在一起,只需將它們光滑干凈的表面接觸即可(圖1)。在常溫常壓下,兩種材料表面的分子/原子之間形成的范德華力會產(chǎn)生附著力
2023-05-09 14:52:19575 兩片晶圓面對面鍵合時(shí)是銅金屬對銅金屬、介電值對介電質(zhì),兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同,晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進(jìn)封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、線路設(shè)計(jì)時(shí)就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:30544 熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統(tǒng)擴(kuò)散焊工藝相同,即上下芯片的Cu 凸點(diǎn)對中后直接接觸,其實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散鍵合的主要影響參數(shù)是溫度、壓力、時(shí)間. 由于電鍍后的Cu 凸點(diǎn)表面粗糙并存在一定的高度差。
2023-05-05 11:30:17613 這是一種晶圓鍵合方法,其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。
2023-04-20 09:43:571017 引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力,有著兼容性強(qiáng)、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),目前超過90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成,未來引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長期存在
2023-04-11 10:35:16358 、芯片散熱和芯片間的信息互通。引線鍵合屬于固相鍵合中的一種,其鍵合 原理是引線與芯片焊盤間發(fā)生電子的跨區(qū)遷移、共享及不同原子的相互擴(kuò)散,使金屬實(shí)現(xiàn)原子量級上的鍵合,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的連接。
2023-04-07 10:40:123200 IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371322 鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁線被稱為細(xì)鋁線,直徑大于100um小于500um的鋁線被稱為粗鋁線。粗鋁線鍵合實(shí)物如圖1所示。
2023-03-27 11:15:572436 作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:374965 電線(電信號的傳輸路徑)的方法被稱為 引線鍵合(Wire Bonding) 。 其實(shí),使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了,現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。 近來,加裝芯片鍵合(Flip Chip
2023-03-13 15:49:582640 FSL已將消費(fèi)者1工業(yè)微控制器轉(zhuǎn)換為銅線和現(xiàn)在正在啟動(dòng)汽車改裝。
-金(金)和銅(銅)線都被用來連接到多年來集成電路上的鋁(AI)鍵墊金屬間化合物(IMC)的形成提供了電線和襯墊之間的粘著性。
-最近電線鍵合(WB)技術(shù)的進(jìn)步正在擴(kuò)大使用范圍銅線。
2023-03-08 14:30:00226 金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力,因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力,希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來代替金線鍵合。
2023-03-02 16:14:56619 大家好! 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案,請參考,謝謝!有問題聯(lián)系我:13812770276 szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力,因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力,希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來代替金線鍵合。
2023-02-13 09:21:411310 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:252778 ,不斷創(chuàng)造新的技術(shù)極限。傳統(tǒng)的金線、鋁線鍵合與封裝技術(shù)的要求不相匹配。銅線鍵合在成本和材料特性方面有很多優(yōu)于金、鋁的地方,但是銅線鍵合技術(shù)還面臨一些挑戰(zhàn)和問題。如果這些問題能夠得到很好的解決,銅線鍵合技術(shù)
2023-02-07 11:58:35866 共享或原子的相互擴(kuò)散,從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級上的鍵合。下面__科準(zhǔn)測控__小編就半導(dǎo)體集成電路引線鍵合主要材料、鍵合方式以及特點(diǎn)來為大家介紹一下! 在IC封裝中,芯片和引線框架(基板)的連接為電源和信號的分配提供了電路連接。
2023-02-02 16:25:331036 通過控制單一變量的試驗(yàn)方法,研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時(shí)間和鍵合壓力等參數(shù)對自動(dòng)鍵合一致性和可靠性的影響,分析了每個(gè)參數(shù)對自動(dòng)鍵合的影響規(guī)律,給出了自動(dòng)鍵合參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:31851 作為有效的補(bǔ)充越來越被重視。傳統(tǒng)封裝工藝不斷迭代出的先進(jìn)封裝技術(shù)嶄露頭角,它繼續(xù)著集成電路性能與空間在后摩爾時(shí)代的博弈。同時(shí),晶圓鍵合(Wafer Bonding)、倒裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)、混合鍵合等也是一項(xiàng)技術(shù)壁壘較高的新型
2023-02-01 16:12:14689 作為有效的補(bǔ)充越來越被重視。傳統(tǒng)封裝工藝不斷迭代出的先進(jìn)封裝技術(shù)嶄露頭角,它繼續(xù)著集成電路性能與空間在后摩爾時(shí)代的博弈。同時(shí),晶圓鍵合(Wafer Bonding)、倒裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)、混合鍵合等也是一項(xiàng)技術(shù)壁壘較高的新型
2023-01-16 16:43:30310 引線鍵合是封裝過程中一道關(guān)鍵的工藝,鍵合的質(zhì)量好壞直接關(guān)系到整個(gè)封裝器件的性能和可靠性,半導(dǎo)體器件的失效約有1/4~1/3是由芯片互連引起的,故芯片互連對器件長期使用的可靠性影響很大。引線鍵合技術(shù)也
2023-01-05 13:52:362453 實(shí)驗(yàn)室采用高溫貯存試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)或高加速熱應(yīng)力試驗(yàn)等對銅絲鍵合可靠性進(jìn)行評估,結(jié)果均顯示銅絲鍵合具有非常好的使用壽命。
2022-12-28 09:52:341455 本試驗(yàn)提供了確定芯片鍵合面上的金絲球鍵合點(diǎn)的鍵合強(qiáng)度測定方法,可在元器件封裝前或封裝后進(jìn)行測定。
2022-12-20 10:17:041096 為解決銅絲硬度大帶來的鍵合難度,半導(dǎo)體封裝企業(yè)通常選擇應(yīng)用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果,這也導(dǎo)致焊接期間需要耗費(fèi)更多的時(shí)間完成鍵合工作。
2022-12-15 15:44:461546 Shao博士;Erik Yakobson博士, Brian Gokey; MACDERMID ALPHA ELECTRONIC SOLUTIONS 倒裝芯片鍵合對于混合集成(hybridization
2022-11-11 17:11:01483 借助富氧CTP衍生的缺陷碳載體,設(shè)計(jì)和構(gòu)建了新型原子分散的 (Pt-Ox)-(Co-Oy)非鍵合活性位點(diǎn)。
2022-10-19 16:40:43758 華林科納預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體鍵合市場規(guī)模將從 2021 年的 8.87 億美元增長到 2026 年的 10.59 億美元;預(yù)計(jì)從 2021 年到 2026 年,其復(fù)合年增長率將達(dá)到 3.6%。諸如 MEMS 需求增長和電動(dòng)汽車需求激增等因素正在推動(dòng)預(yù)測期內(nèi)市場的增長。
2022-10-12 17:22:151159 鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一,是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:573071 晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合,臨時(shí)鍵合和永久鍵合,兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:432523 本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火,獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)合,基于詳細(xì)的表面和鍵合界面表征,建立了一個(gè)鍵
2022-05-13 16:08:322123 多年來,半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn),例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:042461 引線鍵合技術(shù)是一種固相鍵合方法,其基本原理是:在鍵合過程中,采用超聲、加壓和加熱等方式破壞被焊接表面的氧化層和污染物,產(chǎn)生塑性變形,使得引線與被焊接面親密接觸,達(dá)到原子間的引力范圍并導(dǎo)致界面間原子擴(kuò)散而形成有效焊接。
2022-03-21 10:45:313848 到350°C,并允許硅與氮化鎵結(jié)合。 背景 許多半導(dǎo)體材料系統(tǒng)是彼此不相容的。由于晶格錯(cuò)配,一些不能通過異質(zhì)外延一起生長,而對于另一些,在一個(gè)上產(chǎn)生器件所需的過程條件會破壞另一個(gè)。半導(dǎo)體晶片鍵合是這兩個(gè)問題的解決方案之一。粘結(jié)允許這兩種材料系統(tǒng)分別
2022-01-24 16:57:47762 之間便結(jié)合在一起,形成了一種結(jié)合鍵。原子結(jié)合鍵是材料的二級結(jié)構(gòu)。材料的性能很大程度上取決于原子間的結(jié)合力。結(jié)合鍵共有離子鍵、共價(jià)鍵、金屬鍵、范德華力和氫鍵等。可簡
2022-01-05 14:28:564467 結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層,晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:292237 引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 服務(wù)客戶: LED封裝廠 檢測手段: 掃描電鏡
2021-11-21 11:15:261381 毫米波芯片中金絲帶鍵合互聯(lián)性能比較綜述
2021-08-09 11:28:0920 銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離LED死燈的案子時(shí)常發(fā)生,大家通常爭論是鍍銀層結(jié)合力差的問題,還是鍵合線工藝問題,而本案例,金鑒從百格實(shí)驗(yàn)和FIB截面觀察的角度來判定為鍵合工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:121393 當(dāng)HEA經(jīng)歷元素分離、沉淀和化學(xué)排序時(shí),會出現(xiàn)大量的無序現(xiàn)象,但就短程有序(SRO)是否存在、有何性質(zhì)來說,仍不能確定。 來自美國密蘇里大學(xué)堪薩斯城分校物理與天文學(xué)系的Wai-Yim Ching領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),介紹了電子結(jié)構(gòu)、原子間成鍵、總鍵
2020-10-26 09:37:332592 所示。除了硅片與玻璃,陽極鍵合技術(shù)還廣泛應(yīng)用于金屬與玻璃、半導(dǎo)體與合金、半導(dǎo)體與玻璃間的鍵合,且所需環(huán)境溫度相對較低(200~500 ℃)。憑借其優(yōu)點(diǎn),陽極鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于MEMS器件的制備過程中,如激光器、微干涉儀、壓力傳感器以及SOI結(jié)構(gòu)制作等。
2020-06-17 11:33:149361 單個(gè)原子是什么模樣,原子與原子之間是如何相互作用的?最近,據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道,來自新西蘭奧塔哥大學(xué)物理系的科學(xué)家首次捕獲到單個(gè)原子并讓其發(fā)生受控反應(yīng),并觀察到了前所未見的原子間相互作用的情景,他們認(rèn)為這或?qū)⒋蟠笥绊懳磥淼募夹g(shù)進(jìn)步。
2020-02-24 22:27:422067 據(jù)悉,英國光電子技術(shù)解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商Plessey Semiconductor日前表示,已從晶圓鍵合和光刻設(shè)備生產(chǎn)商EVG購買了GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)。
2018-11-16 15:10:081814 由于現(xiàn)在對功率半導(dǎo)體和功率模塊的節(jié)能有所要求,封裝成為產(chǎn)品整體性能的一個(gè)重要考慮因素。各種封裝普遍采用傳統(tǒng)的引線鍵合方式。這是一種成熟、經(jīng) 濟(jì)高效且靈活的工藝,目前已有經(jīng)過驗(yàn)證的裝配基礎(chǔ)設(shè)施。然而
2018-06-12 08:46:003720 由一下成分組成:Ag>99.99%,Cu<1%,Au<1%,Fe≤1.1ppm,Pb≤1.0ppm,Ni≤1.0ppm,Mg≤2.0ppm,Zn≤2.0ppm。鍵合銀絲是在高純銀材料的基礎(chǔ)上,采取
2018-04-26 17:28:361457 提高功率調(diào)節(jié)器件的電流容量和性能,導(dǎo)熱性能好金31.kW/m2k 銅39.5kW/m2K? ? 6.傳熱效率更高,機(jī)械性質(zhì)高? ? 7.IMC生長較為溫和,從而提高鍵合強(qiáng)度降低金屬間生長速度,提高
2018-04-24 14:52:551167 針對功率模塊引線鍵合部位在溫度循環(huán)作用下的疲勞失效問題,對功率模塊在溫度循環(huán)作用下的疲勞壽命進(jìn)行了研究,利用溫度循環(huán)試驗(yàn)箱對3種不同封裝材料的功率模塊進(jìn)行了溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)。通過數(shù)值模擬,結(jié)合子模型技術(shù)
2018-03-08 11:00:071 該項(xiàng)工作首次在實(shí)驗(yàn)上直接在原子尺度實(shí)現(xiàn)了對磁性原子間自旋相互作用的調(diào)制,驗(yàn)證了石墨烯摻雜載流子誘導(dǎo) RKKY 的物理機(jī)制,提供了一條在原子尺度上調(diào)控磁性原子間自旋耦合,以及不同自旋類型團(tuán)簇可控自組裝的潛在途徑。
2018-01-04 13:39:029156 已有研究表明,鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性,分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145 引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 檢測內(nèi)容: 1. 引線直徑、形貌、成分檢測、線
2017-10-23 11:52:5714 通過熱、壓力、超聲波等能量使金屬引線與被焊焊盤發(fā)生原子間擴(kuò)散互溶,實(shí)現(xiàn)芯片電極-鍵合線-基板彼此之間的鍵合連接。 在LED的生產(chǎn)制造中,為了解、評價(jià)、分析和提高LED的環(huán)境適應(yīng)性,常對LED進(jìn)行相關(guān)可靠性試驗(yàn)[2],冷熱沖擊試驗(yàn)
2017-09-28 14:26:4416 不同狀態(tài)的SiAl絲對鍵合點(diǎn)根部損傷的影響和基礎(chǔ)工作
2017-09-14 14:26:1313 隨著膠囊化封裝的先進(jìn)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像器件產(chǎn)量的加速提升,中國市場對 EVG 晶圓鍵合解決方案的需求也不斷提升。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及
2017-03-18 01:04:113477 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無線鍵合 LED ,亮度號稱比市場上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED, Lumex 的 TitanBrite 無線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格,確保Lumex的無線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17657 銅線具有優(yōu)良的機(jī)械、電、熱性能,用其代替金線可以縮小焊接間距、提高芯片頻率和可靠性。介紹了引線鍵合工藝的概念、基本形式和工藝參數(shù);針對銅絲易氧化的特性指出,焊接時(shí)
2011-12-27 17:11:4962 在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝中引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢,因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
2011-10-26 17:13:5685 從超聲引線鍵合的機(jī)理入手,對大功率IGBT 模塊引線的材料和鍵合界面特性進(jìn)行了分析,探討了鍵合參數(shù)對鍵合強(qiáng)度的影響。最后介紹了幾種用于檢測鍵合點(diǎn)強(qiáng)度的方法,利用檢測結(jié)果
2011-10-26 16:31:3365 摘要:本文簡述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理,分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素,重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式:鍵合強(qiáng)度下降、鍵合點(diǎn)脫落等,并提
2010-05-31 09:38:0430 為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用鍵合圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS鍵合圖仿真元件庫,同時(shí)基
2010-01-16 14:34:4518 為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用鍵合圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS鍵合圖仿真元件庫,同時(shí)基
2009-11-16 11:42:0617 為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用鍵合圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS鍵合圖仿真元件庫,同時(shí)基
2009-10-06 09:44:0210 分析了陽極鍵合技術(shù)的原理和當(dāng)前陽極鍵合技術(shù)的研究進(jìn)展,綜述了微傳感器對陽極鍵合的新需求,展望了陽極鍵合技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽極鍵合; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4926 銅線以其良好的電器機(jī)械性能和低成本特點(diǎn)已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在鍵合過程中容易帶來新的失效問題,文中對這種
2009-03-07 10:30:5714 鍵合圖法在傳感器優(yōu)化配置的應(yīng)用
2009-01-09 17:47:4720
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