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原子間的鍵合

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大家好!       附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案,請參考,謝謝!有問題聯(lián)系我:13812770276  szldqxy@163.com
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2021-12-21 16:33:292237

LED引線鍵合工藝評價(jià)

引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 服務(wù)客戶: LED封裝廠 檢測手段: 掃描電鏡
2021-11-21 11:15:261381

毫米波芯片中金絲帶互聯(lián)性能比較綜述

毫米波芯片中金絲帶互聯(lián)性能比較綜述
2021-08-09 11:28:0920

銀線二焊點(diǎn)剝離失效分析

銀線二焊點(diǎn)剝離LED死燈的案子時(shí)常發(fā)生,大家通常爭論是鍍銀層結(jié)合力差的問題,還是線工藝問題,而本案例,金鑒從百格實(shí)驗(yàn)和FIB截面觀察的角度來判定為工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:121393

生物相容性高熵合金的電子結(jié)構(gòu)、原子、TBOD和PBOD的應(yīng)用

當(dāng)HEA經(jīng)歷元素分離、沉淀和化學(xué)排序時(shí),會出現(xiàn)大量的無序現(xiàn)象,但就短程有序(SRO)是否存在、有何性質(zhì)來說,仍不能確定。 來自美國密蘇里大學(xué)堪薩斯城分校物理與天文學(xué)系的Wai-Yim Ching領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),介紹了電子結(jié)構(gòu)、原子、總
2020-10-26 09:37:332592

陽極技術(shù)廣泛應(yīng)用于MEMS器件的制備過程中

所示。除了硅片與玻璃,陽極技術(shù)還廣泛應(yīng)用于金屬與玻璃、半導(dǎo)體與合金、半導(dǎo)體與玻璃,且所需環(huán)境溫度相對較低(200~500 ℃)。憑借其優(yōu)點(diǎn),陽極技術(shù)廣泛應(yīng)用于MEMS器件的制備過程中,如激光器、微干涉儀、壓力傳感器以及SOI結(jié)構(gòu)制作等。
2020-06-17 11:33:149361

科學(xué)家捕獲到單個(gè)原子觀察到了原子相互作用

單個(gè)原子是什么模樣,原子原子之間是如何相互作用的?最近,據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道,來自新西蘭奧塔哥大學(xué)物理系的科學(xué)家首次捕獲到單個(gè)原子并讓其發(fā)生受控反應(yīng),并觀察到了前所未見的原子相互作用的情景,他們認(rèn)為這或?qū)⒋蟠笥绊懳磥淼募夹g(shù)進(jìn)步。
2020-02-24 22:27:422067

Plessey購買GEMINI晶圓系統(tǒng) 將擴(kuò)大MicroLED制造

據(jù)悉,英國光電子技術(shù)解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商Plessey Semiconductor日前表示,已從晶圓和光刻設(shè)備生產(chǎn)商EVG購買了GEMINI晶圓系統(tǒng)。
2018-11-16 15:10:081814

比引線鍵合封裝更為實(shí)惠的封裝

由于現(xiàn)在對功率半導(dǎo)體和功率模塊的節(jié)能有所要求,封裝成為產(chǎn)品整體性能的一個(gè)重要考慮因素。各種封裝普遍采用傳統(tǒng)的引線鍵合方式。這是一種成熟、經(jīng) 濟(jì)高效且靈活的工藝,目前已有經(jīng)過驗(yàn)證的裝配基礎(chǔ)設(shè)施。然而
2018-06-12 08:46:003720

銀絲的性能特點(diǎn)

由一下成分組成:Ag>99.99%,Cu<1%,Au<1%,Fe≤1.1ppm,Pb≤1.0ppm,Ni≤1.0ppm,Mg≤2.0ppm,Zn≤2.0ppm。銀絲是在高純銀材料的基礎(chǔ)上,采取
2018-04-26 17:28:361457

銅絲有什么特點(diǎn)!

提高功率調(diào)節(jié)器件的電流容量和性能,導(dǎo)熱性能好金31.kW/m2k 銅39.5kW/m2K? ? 6.傳熱效率更高,機(jī)械性質(zhì)高? ? 7.IMC生長較為溫和,從而提高強(qiáng)度降低金屬生長速度,提高
2018-04-24 14:52:551167

功率模塊引線鍵合界面溫度循環(huán)下的壽命預(yù)測

針對功率模塊引線鍵合部位在溫度循環(huán)作用下的疲勞失效問題,對功率模塊在溫度循環(huán)作用下的疲勞壽命進(jìn)行了研究,利用溫度循環(huán)試驗(yàn)箱對3種不同封裝材料的功率模塊進(jìn)行了溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)。通過數(shù)值模擬,結(jié)合子模型技術(shù)
2018-03-08 11:00:071

石墨烯摻雜載流子誘導(dǎo)RKKY的物理機(jī)制 實(shí)現(xiàn)對原子自旋交換作用及其調(diào)制

該項(xiàng)工作首次在實(shí)驗(yàn)上直接在原子尺度實(shí)現(xiàn)了對磁性原子自旋相互作用的調(diào)制,驗(yàn)證了石墨烯摻雜載流子誘導(dǎo) RKKY 的物理機(jī)制,提供了一條在原子尺度上調(diào)控磁性原子自旋耦合,以及不同自旋類型團(tuán)簇可控自組裝的潛在途徑。
2018-01-04 13:39:029156

線等效電阻的IGBT模塊老化失效研究

已有研究表明,線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性,分析線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145

LED引線鍵合的檢測內(nèi)容與工藝評價(jià)

引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 檢測內(nèi)容: 1. 引線直徑、形貌、成分檢測、線
2017-10-23 11:52:5714

熱應(yīng)力基礎(chǔ)理論和有限元數(shù)值模擬分析及LED線熱應(yīng)力分析

通過熱、壓力、超聲波等能量使金屬引線與被焊焊盤發(fā)生原子擴(kuò)散互溶,實(shí)現(xiàn)芯片電極-線-基板彼此之間的連接。 在LED的生產(chǎn)制造中,為了解、評價(jià)、分析和提高LED的環(huán)境適應(yīng)性,常對LED進(jìn)行相關(guān)可靠性試驗(yàn)[2],冷熱沖擊試驗(yàn)
2017-09-28 14:26:4416

不同狀態(tài)的SiAl絲對點(diǎn)根部損傷的影響和基礎(chǔ)工作

不同狀態(tài)的SiAl絲對點(diǎn)根部損傷的影響和基礎(chǔ)工作
2017-09-14 14:26:1313

EVG 已在全球范圍建立超過 1100 個(gè)EVG 晶圓

隨著膠囊化封裝的先進(jìn)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像器件產(chǎn)量的加速提升,中國市場對 EVG 晶圓解決方案的需求也不斷提升。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及
2017-03-18 01:04:113477

Lumex新推高亮度無線LED

 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無線 LED ,亮度號稱比市場上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED, Lumex 的 TitanBrite 無線LED還可提供9W的規(guī)格,確保Lumex的無線LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17657

芯片封裝中銅絲技術(shù)

銅線具有優(yōu)良的機(jī)械、電、熱性能,用其代替金線可以縮小焊接間距、提高芯片頻率和可靠性。介紹了引線鍵合工藝的概念、基本形式和工藝參數(shù);針對銅絲易氧化的特性指出,焊接時(shí)
2011-12-27 17:11:4962

集成電路封裝中的引線鍵合技術(shù)

在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝中引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢,因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
2011-10-26 17:13:5685

大功率IGBT模塊封裝中的超聲引線鍵合技術(shù)

從超聲引線鍵合的機(jī)理入手,對大功率IGBT 模塊引線的材料和界面特性進(jìn)行了分析,探討了參數(shù)對強(qiáng)度的影響。最后介紹了幾種用于檢測點(diǎn)強(qiáng)度的方法,利用檢測結(jié)果
2011-10-26 16:31:3365

混合電路內(nèi)引線鍵合可靠性研究

摘要:本文簡述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理,分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素,重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式:強(qiáng)度下降、點(diǎn)脫落等,并提
2010-05-31 09:38:0430

基于微元件圖庫的微機(jī)電系統(tǒng)動(dòng)態(tài)建模與仿真

為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS圖仿真元件庫,同時(shí)基
2010-01-16 14:34:4518

基于微元件圖庫的微機(jī)電系統(tǒng)動(dòng)態(tài)建模與仿真

為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS圖仿真元件庫,同時(shí)基
2009-11-16 11:42:0617

基于微元件圖庫的微機(jī)電系統(tǒng)動(dòng)態(tài)建模與仿真

為了更好地支持微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)Top-Down設(shè)計(jì)流程,針對MEMS仿真中的多能量域與非線性特點(diǎn),采用圖場元件與結(jié)型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)集中參數(shù)表達(dá)的MEMS圖仿真元件庫,同時(shí)基
2009-10-06 09:44:0210

陽極工藝進(jìn)展及其在微傳感器中的應(yīng)用

分析了陽極技術(shù)的原理和當(dāng)前陽極技術(shù)的研究進(jìn)展,綜述了微傳感器對陽極的新需求,展望了陽極技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽極; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4926

新型銅線技術(shù)

銅線以其良好的電器機(jī)械性能和低成本特點(diǎn)已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在過程中容易帶來新的失效問題,文中對這種
2009-03-07 10:30:5714

圖法在傳感器優(yōu)化配置的應(yīng)用

圖法在傳感器優(yōu)化配置的應(yīng)用
2009-01-09 17:47:4720

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