合的生產(chǎn)
工藝就直接影響了HDI板成品的可靠性，壓
合的方法也尤為重要，本文主要介紹HDI（盲、埋孔）板的壓
合工藝問(wèn)題。
機(jī)械盲孔板壓
合
壓
合是利用高溫高壓使半固化片受熱融化，并使其流動(dòng)，再轉(zhuǎn)變?yōu)楣袒?/div>
2023-10-13 10:26:48
在集成電路封裝行業(yè)中，引線鍵合工藝的應(yīng)用產(chǎn)品超過(guò)90%。引線鍵合是指在一定的環(huán)境下，采用超聲加壓的方式，將引線兩端分別焊接在芯片焊盤(pán)上和引線框架上，從而實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路與外部電路的連接。引線鍵合工藝
2023-10-13 08:48:24
894 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是排電阻引線的識(shí)別資料詳細(xì)說(shuō)明。排電阻也叫集成電阻，其外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖。圖中BX表示產(chǎn)品型號(hào)，10表示有效數(shù)字，3表示有效數(shù)字后邊加“0”的個(gè)數(shù)，103即10000
2023-09-25 07:44:17
設(shè)計(jì)目的：一鍵開(kāi)關(guān)電路(控制LED亮或滅)
實(shí)現(xiàn)效果：上電LED常亮，按下SW1，LED熄滅，松開(kāi)SW1 LED又會(huì)亮起，長(zhǎng)按SW1 LED會(huì)高頻閃爍。
請(qǐng)幫忙分析一下原因是什么，并需要怎樣改進(jìn)，謝謝。
2023-09-08 16:21:16
引線框架主要由兩部分組成：芯片焊盤(pán)（die paddle）和引腳（lead finger）。作為集成電路的芯片載體，引線框架是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）使芯片內(nèi)部電路引出端（鍵合點(diǎn)）通過(guò)內(nèi)引線與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。
2023-09-07 18:16:451876 
工藝審查是電氣互聯(lián)工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分，工藝審查就是對(duì)電路設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的工藝性、規(guī)范性、繼承性、合理性和生產(chǎn)可行性等相關(guān)工藝問(wèn)題進(jìn)行分析與評(píng)價(jià)，并提出意見(jiàn)或建議，最后進(jìn)行修改與簽字。同時(shí)可根據(jù)在制品的工藝執(zhí)行具體情況對(duì)生產(chǎn)工藝的正確性、合理性和可靠性進(jìn)行審查。
2023-09-01 12:45:34522 
倒裝芯片技術(shù)是通過(guò)芯片上的凸點(diǎn)直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。引線鍵合的連接方式是將芯片的正面朝上，通過(guò)引線(通常是金線)將芯片與線路板連接。
2023-08-22 10:08:282165 
從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-21 11:05:14524 
從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-18 09:55:041632 
商板廠開(kāi)完會(huì)，估計(jì)是討論了板廠做金手指這類型板子的時(shí)候關(guān)于鍍金后的引線殘留工藝能力，于是隨口和Chris提了一嘴，說(shuō)“不知道5mil到15mil的引線殘留到底對(duì)信號(hào)的SI性能有沒(méi)有影響啊！”的確，我們
2023-08-17 10:41:27
的傳輸路徑）的方法被稱為引線鍵合（Wire Bonding）。其實(shí)，使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了，現(xiàn)在已經(jīng)越來(lái)越少用了。近來(lái)，加裝芯片鍵合（Flip Chip Bonding）和硅穿孔
2023-08-09 09:49:471837 
分辨率光學(xué)鏡頭，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入一鍵閃測(cè)原理。CNC模式下，只需按下啟動(dòng)鍵，儀器即可根據(jù)工件的形狀自動(dòng)定位測(cè)量對(duì)象、匹配模板、測(cè)量評(píng)價(jià)、報(bào)表生成，真正實(shí)
2023-08-08 11:29:04
評(píng)價(jià)、報(bào)表生成，真正實(shí)現(xiàn)一鍵式快速精準(zhǔn)測(cè)量。適用于手機(jī)配件、等小尺寸工件的批量測(cè)量，速度快，操作簡(jiǎn)單；對(duì)于復(fù)雜工件，能實(shí)現(xiàn)快速測(cè)量，大大提高了測(cè)量效率。VX800
2023-08-04 11:14:40
從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-01 11:48:081174 
鏡頭，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入一鍵閃測(cè)原理。CNC模式下，只需按下啟動(dòng)鍵，儀器即可根據(jù)工件的形狀自動(dòng)定位測(cè)量對(duì)象、匹配模板、測(cè)量評(píng)價(jià)、報(bào)表生成，真正實(shí)現(xiàn)一鍵
2023-07-31 09:13:30
我們以多層板的工藝流程作為PCB工藝介紹的引線，選擇其中的圖形電鍍工藝進(jìn)行流程說(shuō)明
2023-07-28 11:22:239300 
將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái)，并使芯片的焊區(qū)與.封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái)，使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-27 11:21:04258 
焊接工藝評(píng)定工作是整個(gè)焊接工作的前期準(zhǔn)備。焊接工藝評(píng)定工作是驗(yàn)證所擬定的焊件及有關(guān)產(chǎn)品的焊接工藝的正確性而進(jìn)行的試驗(yàn)過(guò)程和結(jié)果評(píng)價(jià)。
2023-07-23 15:04:26672 從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-07-21 10:08:083124 
將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái)，并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái)，使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-20 10:43:29278 
在本文中，將介紹如何使用8051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)雙極LED驅(qū)動(dòng)器電路。雙極LED與常規(guī)雙色LED的不同之處在于，雙極LED只有兩個(gè)引線，而常規(guī)雙色LED具有三個(gè)引線。
2023-07-07 11:45:081530 
結(jié)合 FOWLP 近期技術(shù)發(fā)展和 應(yīng)用的現(xiàn)狀, 總結(jié)了發(fā)展趨勢(shì); 從 FOWLP 結(jié)構(gòu)的工藝缺陷和失效模式出發(fā), 闡述了 FOWLP 的工藝流程和重點(diǎn)工藝環(huán)節(jié)。
2023-07-01 17:48:391372 
中圖儀器VX8000一鍵閃測(cè)儀測(cè)量?jī)x采用雙遠(yuǎn)心高分辨率光學(xué)鏡頭，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入一鍵閃測(cè)原理。CNC模式下，只需按下啟動(dòng)鍵，儀器即可根據(jù)工件的形狀自動(dòng)定位測(cè)量對(duì)象、匹配模板、測(cè)量評(píng)價(jià)
2023-06-27 10:59:51
TSV封裝技術(shù)被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)，并正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，8英寸晶圓級(jí)封裝實(shí)現(xiàn)了更好的電氣互聯(lián)性能、更低的功耗、更小的尺寸、更輕的質(zhì)量，以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的封裝成本。
2023-06-12 10:25:07623 
來(lái)處理小而敏感的芯片并進(jìn)行精細(xì)的引線鍵合。 因此，許多客戶購(gòu)買(mǎi)壓力傳感器封裝，其中芯片已經(jīng)安裝并引線鍵合。 本文將討論 Merit Sensor 的三種封裝類型： 沒(méi)有補(bǔ)償?shù)? 被動(dòng)補(bǔ)償及 完全補(bǔ)償.
2023-06-07 15:25:301500 
連接器和引線提供了LVDT位移傳感器的線圈與信號(hào)調(diào)理電子設(shè)備之間的電氣連接。下面是一些有用的建議，可指導(dǎo)您確定為下一個(gè)傳感器指定連接器還是引線。
2023-06-03 10:45:40420 
的發(fā)展重點(diǎn)。 ? 當(dāng)前最主要的封裝形式仍然為倒裝鍵合和引線鍵合，先進(jìn)封裝（包括2.5D集成、Fan-out WLP/PLP等）已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)并占據(jù)一定市場(chǎng)份額，3D集成是當(dāng)前技術(shù)研究熱點(diǎn)。2018年底，英特爾發(fā)布了首個(gè)商用3D集成技術(shù):FOVEROS混合封裝。 ? 傳統(tǒng)的集成電
2023-05-31 11:02:401312 
，轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB，隔離度 (LR) 為 43 dB，隔離度 (LI) 為 20 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152' x 0.090' x 0.
2023-05-24 15:02:52
9 dBm，轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB，隔離度 (LR) 為 35 dB，隔離度 (LI) 為 25 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152" x 0.090"
2023-05-24 14:57:58
，轉(zhuǎn)換損耗為 7-9 dB，隔離度 (LR) 為 35 dB，隔離度 (LI) 為 20 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152 x 0.090 x 0.015)
2023-05-24 14:56:14
，轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB，隔離度 (LR) 為 42 dB，隔離度 (LI) 為 25 dB。它以可引線鍵合芯片（0.152 x 0.090 x 0.015 英寸
2023-05-24 14:45:55
Marki Microwave 的 ML1-0113 是一種微片雙平衡混頻器，可作為引線鍵合芯片或 SMA 連接器封裝提供。它的工作頻率為 1.5 至
2023-05-24 14:41:04
寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。該混頻器可用作尺寸為 0.055" x 0.043" x 0.004" 的引線鍵合芯片或 SMA 連接器模塊。與大多數(shù) Ma
2023-05-24 12:30:17
，中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡，它可提供高達(dá) 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:52:36
，中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡，它可提供高達(dá) 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:50:45
GHz，中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡，它可提供高達(dá) 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連
2023-05-24 11:46:59
的 IF 頻率。它具有 8 dB 的低轉(zhuǎn)換損耗，并具有出色的雜散抑制。MM2-0530H 可作為引線鍵合芯片或連接器 SMA 封裝提供。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)MM2-
2023-05-24 11:44:06
DC 至 20 GHz。該混頻器在其寬帶寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。它可以作為尺寸為 0.058" x 0.046" x 0.004" 的引線鍵合芯片提
2023-05-23 16:15:43
，中頻范圍為 DC 至 23 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡，它可提供高達(dá) 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作可引線鍵合芯片或連
2023-05-23 16:10:57
，中頻頻率為 0.25 至 5 GHz。該混頻器具有 8.5 dB 的轉(zhuǎn)換損耗、39 dB 的 LO 到 RF 隔離度和高動(dòng)態(tài)范圍。它既可用作引線鍵合芯片，也可用
2023-05-23 16:08:51
MACOM的MMI-9000和9100系列片式電容器通過(guò)氮化合物/氧化物電介質(zhì)具有較高的斷開(kāi)電壓和低介質(zhì)損耗。金引線鍵合表層、頂部和底部提供方便于引線鍵合和最低的絕緣電阻。MACOM的梁式引線電容器
2023-05-18 09:07:08450 不知道如何擦除和重新編程它們。出于某種原因，我們只能對(duì) ***中的 50 個(gè)進(jìn)行編程。
僅供參考，我們驗(yàn)證了裸片和引線鍵合，并確認(rèn)這些是原裝零件。
2023-05-18 08:47:16
除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外，還有另一種封裝方法，即使用球形凸點(diǎn)連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝，與引線鍵合相比，它具有更低的電阻、更快的速度和更小的外形尺寸。
2023-05-16 09:51:13573 
的插入損耗和高于和低于通帶的 25 dB 抑制。它可以處理高達(dá) 30 dBm 的輸入功率。MFB-2400 可用作引線鍵合芯片，是 K 波段和 SATCOM 應(yīng)用
2023-05-09 13:34:30
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與框架引腳之間用鋁線連接起來(lái)的封裝工藝技術(shù)!季豐電子所擁有的ASM綁定焊線機(jī)AB550為桌面式焊線機(jī)，其為全自動(dòng)超聲波焊線機(jī)，應(yīng)用于細(xì)鋁線的引線鍵合，主要應(yīng)用于COB及PCB領(lǐng)域。
2023-05-08 12:38:512924 
平衡為 0.55 dB，相位平衡為 +/- 2 度。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用，包括單邊帶上變頻器、
2023-05-06 10:46:47
，幅度平衡為 0.4 dB，相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用，包
2023-05-06 10:37:55
的隔離度、+/- 2 dB 的幅度平衡和 +/- 3 度的相位平衡。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-05-06 10:35:31
金線與金線短路
客戶: Atheros (CABGA)
不良: 金線與金線引腳短路
失效模式: 測(cè)試失效 (短路)
2023-04-29 07:21:00946 平衡為 0.5 dB，相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用，包括單邊帶
2023-04-28 16:32:37
dB 的隔離、0.5 dB 的幅度平衡和 +/- 6 度的相位平衡。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-04-28 16:07:37
的隔離度為 16 dB，幅度平衡為 0.4 dB，相位平衡為 +/- 0.5 度。它是使用無(wú)源 GaAs MMIC 技術(shù)開(kāi)發(fā)的，可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器
2023-04-28 16:04:15
能夠保護(hù)PCB導(dǎo)體不被氧化，還能提供一個(gè)界面用于電路和元器件的焊接，包括集成電路（IC）的引線鍵合。合適的表面處理應(yīng)有助于滿足PCB電路的應(yīng)用以及制造工藝。由于材料成本不同，表面處理所需的加工過(guò)程和類型
2023-04-19 11:53:15
霍爾元件的工作電流引線與霍爾電壓引線能否互換？為什么？
2023-04-13 11:06:12
和基板介質(zhì)間還要具有較高的粘附性能?！ GA封裝技術(shù)通常采用引線鍵合、等離子清洗、模塑封裝、裝配焊料球、回流焊等工藝流程。引線鍵合PBGA的封裝工藝流程包括PBGA基板的制備和封裝工藝
2023-04-11 15:52:37
在集成電路中，引線框架和封裝材料起著固定芯片，保護(hù)內(nèi)部元件，傳遞電信號(hào)并向外散發(fā)元件熱量的作用。
2023-04-11 12:40:115778 引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力，有著兼容性強(qiáng)、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前超過(guò)90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成，未來(lái)引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長(zhǎng)期存在
2023-04-11 10:35:16510 引線鍵合步驟完成后，就該進(jìn)行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝，并保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹(shù)脂密封引線鍵合芯片，這樣就完成了我們所知道的半導(dǎo)體芯片。
2023-04-11 09:26:325082 引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力，有著兼容性強(qiáng)、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前超過(guò)90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成，未來(lái)引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長(zhǎng)期存在
2023-04-10 14:36:47342 引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)芯片（或其他器件）與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù)，引線鍵合因其靈活和易于使用的特點(diǎn)得到了大規(guī)模應(yīng)用。引線鍵合工藝是先將直徑較小的金屬線
2023-04-07 10:40:125069 芯片上的IC管芯被切割以進(jìn)行管芯間連接，通過(guò)引線鍵合連接外部引腳，然后進(jìn)行成型，以保護(hù)電子封裝器件免受環(huán)境污染（水分、溫度、污染物等）；保護(hù)芯片免受機(jī)械沖擊；提供結(jié)構(gòu)支撐；提供電絕緣支撐保護(hù)。它可以更輕松地連接到PCB板上。
2023-04-06 11:06:393839 封裝互連是指將芯片I/0端口通過(guò)金屬引線，金屬凸點(diǎn)等與封裝載體相互連接，實(shí)現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合（ Wire Bonding, WB）載帶自動(dòng)鍵合（Tape Automated Bonding，TAB）和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
2023-04-03 15:12:202874 IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371751 本文要點(diǎn)將引線鍵合連接到半導(dǎo)體的過(guò)程可以根據(jù)力、超聲波能量和溫度的應(yīng)用進(jìn)行分類。倒裝芯片技術(shù)使用稱為凸塊的小金屬球進(jìn)行連接。在倒裝芯片QFN封裝中，倒裝芯片互連集成在QFN主體中。基于倒裝芯片QFN
2023-03-31 10:31:571311 
引線框架 (Lcad Frame, LF)類封裝通常是指以銅基合金、鐵鎳合金等制作的引線框架為載體的封裝。
2023-03-30 10:52:253109 作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224 引線鍵合:特點(diǎn)
●批量、自動(dòng);
●鍵合參數(shù)可精密控制，導(dǎo)線機(jī)械性能重復(fù)性高，
●高速焊接: 100- 125ms/互連
2023-03-24 10:52:28382 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論