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半導(dǎo)體IC封裝中涂覆技術(shù)的應(yīng)用及WBC膠水2024-02-27 08:09
摘要:本文主要是對(duì)傳統(tǒng)集成電路裝片工藝所面臨的挑戰(zhàn)與使用DAF膜技術(shù)裝片過程中的局限性進(jìn)行論述,并且與當(dāng)前已有的DAF膜情況進(jìn)行深入的對(duì)比,對(duì)該方法的封裝工藝裝片、劃片等重點(diǎn)工序與變更情況進(jìn)行深入的描述,對(duì)于影響到晶圓背面的涂覆質(zhì)量中的關(guān)鍵因素進(jìn)行深入說明。0引言近幾年,將表面貼裝工藝用在印刷錫膏絲網(wǎng)印刷技術(shù)中,受到人們高度的重視,將該技術(shù)應(yīng)用到晶 -
高導(dǎo)熱絕緣透波超薄氮化硼均熱膜2024-02-23 08:09
隨著第五代移動(dòng)通信技術(shù)(5G技術(shù))的出現(xiàn)與快速發(fā)展,電子產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品,越發(fā)朝著高性能、高集成和微型化的方向發(fā)展。功耗成倍的增長將導(dǎo)致電子芯片在狹小空間內(nèi)產(chǎn)生過高的熱流密度和工作溫度,進(jìn)一步引發(fā)嚴(yán)峻的熱失控難題。超薄均熱板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,較大傳熱面積、較好的均溫性能和高可靠性等優(yōu)點(diǎn),是解決電子設(shè)備散熱問題的首要途徑。為滿足5G時(shí)代下現(xiàn) -
國資委重磅部署!利好這些新材料2024-02-23 08:08
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半導(dǎo)體芯片材料工藝和先進(jìn)封裝2024-02-21 08:09
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芯片倒裝Flip Chip封裝工藝簡(jiǎn)介2024-02-19 12:29
倒裝芯片技術(shù),也被稱為FC封裝技術(shù),是一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)。在傳統(tǒng)封裝技術(shù)中,芯片被封裝在底部,并通過金線連接到封裝基板上。而倒裝芯片技術(shù)則將芯片直接翻轉(zhuǎn)并安裝在封裝基板上,然后使用微小的焊點(diǎn)或?qū)щ娔z水進(jìn)行連接。圖1倒裝芯片封裝基本結(jié)構(gòu)倒裝芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì):尺寸更?。合啾葌鹘y(tǒng)封裝技術(shù),倒裝芯片技術(shù)更加緊湊,可以顯著減小電子產(chǎn)品的尺寸和厚度。電性能更好:倒裝 -
MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用2024-02-19 12:28
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)!EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開了增長的窗口。充電樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以 -
蘋果Vision Pro火爆 有望提升消費(fèi)電子行情2024-01-26 08:10
據(jù)了解,當(dāng)?shù)貢r(shí)間2024年1月19日凌晨5點(diǎn),蘋果VisionPro正式開放預(yù)定,首批產(chǎn)品將于2月2日美國率先上市,預(yù)定情況火爆,但定價(jià)較高導(dǎo)致其當(dāng)前主要受眾為專業(yè)開發(fā)者或極客玩家等,而非普通消費(fèi)者。從最終發(fā)售的版本來看,與23年6月6日在2023蘋果全球開發(fā)者大會(huì)上公開的產(chǎn)品細(xì)節(jié)基本一致,但頭顯重量更重。蘋果VisionPro在發(fā)售之后在交互效果和用戶體驗(yàn) -
CES2024, 網(wǎng)紅產(chǎn)品Rabbit R12024-01-13 08:09
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匯川技術(shù)20周年董事長演講實(shí)錄2024-01-13 08:09