英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-05-26 08:17

  1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

  

  /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應(yīng)用的新星?！爱a(chǎn)品特點(diǎn)按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)

  IGBT 電壓

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• 發(fā)布了文章 2023-05-19 08:16

  凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季，重磅來襲！

  

  如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么，無疑是第三代半導(dǎo)體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達(dá)30年的時間里，英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應(yīng)用以外，還會

  半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-05-18 08:16

  英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  

  近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經(jīng)驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端”，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的

  硅晶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列

  

  新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護(hù)OCP的1200VSOI半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列產(chǎn)品型號：2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用

  二極管 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用TO-247PLUS SMD封裝

  

  新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號：IKQB120N75CP2IKQB160N75CP2IKQB200N75CP2采用750VEDT2IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc。高可

  IGBT 封裝

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• 發(fā)布了文章 2023-05-16 08:16

  新品 | 采用iMOTION™ IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板

  

  新品采用iMOTIONIPMIMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板iMOTIONIPM---一個緊湊的DSO封裝中實現(xiàn)完整的三相逆變器，包括電機(jī)控制器、三相柵極驅(qū)動器和基于IGBT的功率級，用于50W以下的電機(jī)驅(qū)動。產(chǎn)品型號：REF-MHA50WIMI111T評估板相關(guān)產(chǎn)品：IMI111T-iMOTION帶有微控制器、門驅(qū)動器和IGBT的IPM智能功率模

  控制 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2023-05-04 17:06

  如何利用快速開關(guān)的TRENCHSTOP™ 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

  

  本文作者作者：akbarsyeda翻譯：趙佳緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)?，F(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個目標(biāo)：保持高功率因數(shù)（PF）。特別是空調(diào)，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設(shè)備之一。在這里，功率因數(shù)校正（PFC）是強(qiáng)制性的，對于PFC，設(shè)計者認(rèn)為IGBT（絕緣柵雙極型晶體

  IGBT 二極管

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• 發(fā)布了文章 2023-04-20 21:48

  集成電源管理的160V三相MOTIX™門級驅(qū)動器

  

  我們身邊有很多電池供電的應(yīng)用比如打掃衛(wèi)生時使用的手持吸塵器、裝家具時使用電動工具、大街上穿梭的電動自行車、隨處可見的服務(wù)機(jī)器人和公園里看到的無人機(jī)等，這些應(yīng)用有一些共有的特點(diǎn)，就是設(shè)計緊湊并因地制宜的充分利用空間！MOTIX3相柵極驅(qū)動器6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員。之前的文章《新品|-1A/2A，160VMOTIX三相SOI柵極驅(qū)動

  電源 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2023-04-20 02:33

  隔離型驅(qū)動芯片下面到底能不能走線

  

  首先給出結(jié)論：一般我們把隔離驅(qū)動芯片的垂直面下方的PCB設(shè)為禁止布線層，既不走任何的信號也不放置各類元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線，最后介紹例外的應(yīng)用情況。左右滑動可進(jìn)行查看圖1為什么芯片下面不建議布線？因為會影響正常的信號傳輸?。〖热皇鞘褂秒姎飧綦x型的驅(qū)動芯片，你肯定是希望原邊和副邊之間不要有任何牽絆，而且兩者的供電是獨(dú)立且符合應(yīng)用隔離要求的

  芯片 驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2023-04-11 14:21

  SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  

  作者簡介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開關(guān)損耗），與實際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)

  MOSFET SiC

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