動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-04-19 01:24
無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-16 01:38
IGBT驅(qū)動電流行為綜述
IGBT驅(qū)動需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動電壓和驅(qū)動電阻決定：但在小阻值驅(qū)動回路中，實際測得驅(qū)動電流一般比上述公式計算2.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-15 01:29
高集成度功率電路的熱設(shè)計挑戰(zhàn)
前言目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-12 01:27
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發(fā)布了文章 2022-04-08 01:25
如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分1.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-07 01:25
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發(fā)布了文章 2022-04-02 01:41
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發(fā)布了文章 2022-04-01 01:23
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發(fā)布了文章 2022-03-29 01:26
追風(fēng)逐日，一文讀懂英飛凌綠色能源戰(zhàn)略
不斷提高可再生能源在我國能源結(jié)構(gòu)中的比重，不斷推進各行各業(yè)節(jié)能減排的進程，是實現(xiàn)中國政府提出的30/60目標(biāo)的兩大必要條件。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌非?？春眯履茉葱袠I(yè)未來的發(fā)展前景，并正積極參與其中。千萬里“風(fēng)”“光”，點亮千萬家燈火剛剛結(jié)束的北京2022年冬奧會和冬殘奧會，讓北京作為全球首個“雙奧之城”享譽世界。在此光環(huán)背后，更值得我們關(guān)注和自豪688瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-26 01:34
