動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-05-24 05:26
新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT
新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-24 05:24
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發(fā)布了文章 2022-05-13 01:25
IGBT門極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個(gè)問題。IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-10 01:25
英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率
PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級展會(huì)及研討會(huì)，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會(huì)上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動(dòng)控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體589瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-08 01:46
如何拓展IGBT驅(qū)動(dòng)器電流
功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路是集成電路的一個(gè)重要子類，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動(dòng)IC除了提供驅(qū)動(dòng)電平和電流，往往帶有驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動(dòng)IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-30 01:57
當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-28 01:33
怎么理解驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流能力
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí)，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個(gè)剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個(gè)驅(qū)動(dòng)峰值電流的定義方式。這個(gè)很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-26 01:23
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發(fā)布了文章 2022-04-23 01:42
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發(fā)布了文章 2022-04-20 01:27
新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12934瀏覽量
