動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-05-22 08:09
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發(fā)布了文章 2024-03-24 08:08
西斯特科技與您再相約，SEMICON China 2025再會(huì)
SEMICONChina2024回歸3月，在人頭攢動(dòng)中開啟一年的活力，3月20-22日，上海新國際博覽中心匯聚了半導(dǎo)體行業(yè)芯片設(shè)計(jì)、制造、封測、設(shè)備、材料、顯示和零部件等全產(chǎn)業(yè)鏈的眾多企業(yè)參展，并吸引了眾多觀眾參觀交流。在本次展會(huì)上，西斯特科技作為國內(nèi)重要的劃切方案提供商，展示了最新產(chǎn)品和服務(wù)，與行業(yè)同仁進(jìn)行了深入交流，進(jìn)一步提升了品牌知名度和影響力，為推動(dòng)666瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2023-03-28 16:10
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發(fā)布了文章 2022-12-08 16:38
碳化硅晶圓劃切方案集合
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學(xué)穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強(qiáng)酸或強(qiáng)堿發(fā)生反應(yīng)，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)將部分案例整理如下，供各位朋友參考。更多方案細(xì)節(jié)歡迎來電來函咨詢。劃切案例一?材料情況晶圓規(guī)格6寸晶圓厚度0.175mm劃片槽寬度100umDiesize3.0*2.3.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-19 16:34
西斯特科技受邀參加第二十屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會(huì)
2022年上半年面對不確定的疫情形勢，大量的人員流動(dòng)與不可避免的近距離交流給疫情防控增加了難度，讓線下展會(huì)一延再延，甚至取消。這無疑給企業(yè)交流帶來了諸多不便，9、10月份隨著防疫政策的優(yōu)化與經(jīng)濟(jì)活力的復(fù)蘇，各地大型展會(huì)及線下活動(dòng)迅速排上日程。11月14-16日，CSPT2022第二十屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會(huì)在江蘇南通國際會(huì)議中心隆重舉行，本次大會(huì)聚789瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-10-27 08:34
案例分享第十期：砷化鎵(GaAs)晶圓切割實(shí)例
砷化鎵晶圓的材料特性砷化鎵(GaAs)是國際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導(dǎo)體材料中價(jià)格昂貴的一種，被冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)5.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-09-29 02:04
深圳西斯特2022年10月招聘計(jì)劃
廣納英才人才是企業(yè)的發(fā)動(dòng)機(jī)，企業(yè)是人才的推進(jìn)器。西斯特科技始終把人才視為支撐發(fā)展的第一資源，用“打磨”精神著力培養(yǎng)造就優(yōu)秀人才，在機(jī)制創(chuàng)新、考核激勵(lì)及平臺(tái)建設(shè)等方面，給員工創(chuàng)造更多發(fā)展機(jī)會(huì)，讓優(yōu)秀人才更高端，讓高端人才更成長，為每一位有理想、有抱負(fù)的青年人成就事業(yè)、實(shí)現(xiàn)個(gè)人理想和價(jià)值提供發(fā)展機(jī)遇?，F(xiàn)誠摯地邀請你，共謀中國高端制造和半導(dǎo)體封測高速發(fā)展之大計(jì)?！?835瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-09-22 01:49
案例分享第九期：氮化鋁陶瓷切割實(shí)例
氮化鋁陶瓷的特性大多數(shù)陶瓷是離子鍵或共價(jià)鍵極強(qiáng)的材料，具有較高的絕緣性能和優(yōu)異的高頻特性，同時(shí)線膨脹系數(shù)與電子元器件非常相近，化學(xué)性能非常穩(wěn)定且熱導(dǎo)率高，是電子封裝中常用的基板材料。長期以來，絕大多數(shù)大功率混合集成電路的基板材料一直沿用Al?O?氧化鋁和BeO氧化鈹陶瓷。但Al?O?基板的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配。BeO雖然具有優(yōu)良的綜合性能，但其較2.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-09-10 02:04
案例分享第八期：窄跡晶圓切割實(shí)例
窄跡晶圓的特性在晶圓切割環(huán)節(jié)中，經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)晶圓，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)。雖然目前有激光切割、等離子切割等方式，理論上可以實(shí)現(xiàn)窄跡晶圓的切割，但是考慮到技術(shù)成熟度不高、適用產(chǎn)品范圍小、設(shè)備價(jià)格高等方面因素，應(yīng)用金剛石劃片刀仍是最優(yōu)的選擇。這就要求切割設(shè)備具備更高的精度和更先進(jìn)的對準(zhǔn)運(yùn)算，以及厚度盡可能薄、剛性更強(qiáng)的刀片1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-08-18 19:29
案例分享第七期：背銀晶圓切割實(shí)例
鍍銀晶圓的材料特性晶圓經(jīng)過背面研磨減薄后，經(jīng)由背面蒸鍍金屬，切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個(gè)方面實(shí)現(xiàn)很大的改善。在晶圓背面金屬化過程中，一般選擇鈦、鎳、銀作為三層背面金屬，厚度在10μm以內(nèi)。通常，切割的晶圓的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計(jì)，當(dāng)尺寸大于25μm時(shí)，可以看作是潛在的受損，50μm的平2.6k瀏覽量
