莫大康：影響2019中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的三個(gè)關(guān)鍵因素

業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。

本文擬從以下三個(gè)方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢(shì)；中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長(zhǎng)的攻堅(jiān)戰(zhàn)；以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)。

2019年全球半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入下降周期

由于存儲(chǔ)器的強(qiáng)增長(zhǎng)，推動(dòng)全球半導(dǎo)體業(yè)連續(xù)兩年的高增長(zhǎng)，按存儲(chǔ)器業(yè)的發(fā)展規(guī)律今年將轉(zhuǎn)入下降周期，已成為業(yè)界共識(shí)。

臺(tái)積電1月17日舉行的2018 Q4法說會(huì)，雖然去年運(yùn)營(yíng)成果交出營(yíng)收、獲利均創(chuàng)新高的亮麗成績(jī)單，然而對(duì)于2019年半導(dǎo)體前景卻釋出負(fù)面展望，臺(tái)積電總裁魏哲家表示，不包含存儲(chǔ)器在內(nèi)，預(yù)估2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值年增1%，因此今年是“Slow year”。

著名市場(chǎng)分析公司Gartner公布初步調(diào)查結(jié)果顯示，拜DRAM榮景之賜，2018年全球半導(dǎo)體營(yíng)收總計(jì)4767億美元，較2017年增加13.4%。

Gartner指出，2018年計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器芯片占半導(dǎo)體總營(yíng)收的34.8%，高于2017年的31%，持續(xù)位居半導(dǎo)體各類別之首，存儲(chǔ)器業(yè)營(yíng)收同比成長(zhǎng)27.2%，也最為強(qiáng)勁，主因DRAM平均售價(jià)在2018年期間穩(wěn)步上揚(yáng)，直到第4季才開始下滑。

另一家著名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新預(yù)測(cè)，全行業(yè)DRAM的銷量2017年增長(zhǎng)77%，而2018年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)39%，以及預(yù)測(cè)2019年將下降約1%。

全球半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入下降周期，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)雖有其獨(dú)特性，它仍處于投資成長(zhǎng)的階段，但是也不可能獨(dú)善其身，因?yàn)榘雽?dǎo)體是全球化的產(chǎn)業(yè)。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型處于攻堅(jiān)戰(zhàn)階段

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展與全球不同步，它具獨(dú)特性，所以當(dāng)全球半導(dǎo)體業(yè)已趨成熟，壟斷加劇及兼并減緩時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)卻反其道而行之，在國(guó)家資金等為主推動(dòng)下，積極的投資擴(kuò)充產(chǎn)能。

據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)顯示，目前中國(guó)大陸共計(jì)有27座12英寸晶園廠，18座8英寸晶園廠，其中有10座12英寸晶園廠及6座8英寸晶園廠處于建設(shè)之中。

近時(shí)期中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)比較集中的投資項(xiàng)目分別有三座IDM的存儲(chǔ)器制造廠；中芯國(guó)際于上海的28nm-14nm的代工廠；華力微上海的二期，以及無錫的華虹12英寸廠等。

顯然這些工廠中大部分處于設(shè)備安裝，或者試產(chǎn)階段。眾所周知，只要有資金，下定決心建設(shè)生產(chǎn)線，相對(duì)是容易的，困難的是產(chǎn)能擴(kuò)充的爬坡階段，它不但需要有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，而且必將面臨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的打壓，是一場(chǎng)攻堅(jiān)戰(zhàn)。不管有再大的困難，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須經(jīng)歷艱苦的歷程，循序前進(jìn)。因此中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的產(chǎn)能爬坡周期相對(duì)較長(zhǎng)，是大概率的事。

對(duì)于三家存儲(chǔ)器廠，更要有理性的認(rèn)識(shí)，無論是3D NAND閃存，及19納米DRAM對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)都具有里程碑意義，相信它們?cè)谠嚠a(chǎn)階段一定能取得成功，困難在于產(chǎn)能爬坡階段。而對(duì)于存儲(chǔ)器業(yè)拼的是產(chǎn)能以及成本，及IP，未來不可避免的要經(jīng)受競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的打壓，這些都是成長(zhǎng)中的必修課之一。

因此即便沒有貿(mào)易戰(zhàn)，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)由產(chǎn)能擴(kuò)張階段，轉(zhuǎn)入產(chǎn)品的攻堅(jiān)戰(zhàn)，也是一場(chǎng)硬仗。

貿(mào)易戰(zhàn)下心理壓力劇增

在貿(mào)易戰(zhàn)下中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)面臨新的態(tài)勢(shì)，美國(guó)是步步緊逼，繼中興、晉華之后，正向華為施壓。由于我們處于守勢(shì)，對(duì)于美國(guó)的打壓顯得有些不適應(yīng)，相信未來這種態(tài)勢(shì)會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)期，必須拿起同樣的武器積極的去迎接它。

盡管貿(mào)易戰(zhàn)仍在持續(xù)，估計(jì)在關(guān)稅等方面能達(dá)成協(xié)議，然而對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的打壓，它們不會(huì)收手，而且可能會(huì)面臨更嚴(yán)峻的態(tài)勢(shì)。由于眾多的不確定性，導(dǎo)致中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展將承受更大的心理壓力。

在新態(tài)勢(shì)下中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要低調(diào)，尤其是三家存儲(chǔ)器廠是它們的焦點(diǎn)，過份地張揚(yáng)會(huì)引發(fā)它們格外的關(guān)注，造成被動(dòng)。等待中國(guó)的存儲(chǔ)器廠能夠初步自主，有一定的產(chǎn)能基礎(chǔ)之后才是最為關(guān)鍵。

因此在貿(mào)易戰(zhàn)下要學(xué)得聰明些，多做少說，一切抱怨無濟(jì)于事，也解決不了任何問題，只有轉(zhuǎn)變壓力為動(dòng)力，把危機(jī)轉(zhuǎn)變?yōu)槠鯔C(jī)，奮發(fā)圖強(qiáng)，爭(zhēng)口氣把產(chǎn)品搞出來，提升競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力及市場(chǎng)份額才是根本。

結(jié)語

產(chǎn)業(yè)發(fā)展的”三駕馬車”，即兼并、合資、合作及研發(fā)。在現(xiàn)階段對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)從國(guó)際上兼并之路已幾乎堵死，在合資項(xiàng)目中先進(jìn)工藝制程技術(shù)的轉(zhuǎn)移將減緩，甚至停止，因此唯有加強(qiáng)研發(fā)才是根本之路，但是研發(fā)周期長(zhǎng)及風(fēng)險(xiǎn)大，短時(shí)期內(nèi)難有回報(bào)。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)連續(xù)多年的年均增長(zhǎng)率在20%以上，有一定的成績(jī)，然而這些成績(jī)是在低基數(shù)下，并不值得過份的樂觀。近期看到中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的2018年進(jìn)口額超過3000億美元，未見任何減少，反映IC國(guó)產(chǎn)化道路仍是任重道遠(yuǎn)。

因此在三個(gè)關(guān)鍵因素的影響下，對(duì)于2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的前景要謹(jǐn)慎的樂觀，除了IC設(shè)計(jì)，封裝業(yè)可能維持高增長(zhǎng)之外，芯片制造業(yè)的增長(zhǎng)率非?？赡苡猩僭S下滑，無論是三家存儲(chǔ)器廠，以及先進(jìn)工藝制程，如28-14納米等，由于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)仍處在產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突破階段，離開真正的市場(chǎng)化，投資能取得回報(bào)可能性尚小，需要時(shí)間上的磨難，因此預(yù)計(jì)中國(guó)的芯片制造業(yè)大體上要3-5年之后才能站穩(wěn)腳根。

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