EV DC-DC轉(zhuǎn)換器
SemiQ 的 SiC 產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的 1200V MOSFET,旨在最大限度地提高效率。
DC-DC 轉(zhuǎn)換器對于維護(hù)電動汽車的電氣系統(tǒng)至關(guān)重要。它們確保所有子系統(tǒng)都能獲得運(yùn)行所需的適當(dāng)電壓水平,同時(shí)最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現(xiàn)代電動汽車中高壓組件與低壓系統(tǒng)的無縫集成。
SemiQ SiC 在汽車領(lǐng)域的優(yōu)勢
1、高效率
2、增強(qiáng)的可靠性
3、寬電壓和電流范圍
4、低功耗
5、溫度耐受性
6、可持續(xù)發(fā)展
典型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器原理圖:
汽車用SemiQ SiC MOSFET 1200V 產(chǎn)品系列:
GP2T040A120J/GP2T080A120J
特征:
SiC MOSFET
高速開關(guān)
可靠的晶體二極管
所有部件測試電壓大于1400V
GP2T040A120J測試至400mJ/GP2T080A120J測試至200mJ
用于柵極驅(qū)動的驅(qū)動器源極引腳
優(yōu)勢:
較低的電容
更高的系統(tǒng)效率
易于并行
降低開關(guān)損耗
間隙距離更長
應(yīng)用:
太陽能轉(zhuǎn)化器
開關(guān)模式電源,UPS
感應(yīng)加熱和焊接
電動汽車充電站
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動器
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC
發(fā)表于 12-04 10:50
?671次閱讀
近日,三菱電機(jī)集團(tuán)宣布,將于11月14日開始提供用于電動汽車(EV)、插電式混合動力汽車(PHEV)和其他電動汽車(xEV)電驅(qū)逆變器的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(
發(fā)表于 11-14 14:43
?730次閱讀
電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機(jī)、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
發(fā)表于 09-29 14:28
?274次閱讀
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡
發(fā)表于 09-10 15:19
?1646次閱讀
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101SiC?
發(fā)表于 08-25 23:30
?243次閱讀
新能源汽車空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案
發(fā)表于 07-05 09:38
?510次閱讀
與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動了電力電子設(shè)備的能效提升和尺寸縮小。
發(fā)表于 05-17 11:01
?377次閱讀
SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高效開關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET
發(fā)表于 05-16 11:16
?428次閱讀
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設(shè)計(jì)的需求,具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊
發(fā)表于 05-15 11:20
?355次閱讀
由于碳化硅(SiC)MOSFET具有高頻、低損耗、高耐溫特性,在提升新能源汽車逆變器效率和功率密度方面具有巨大優(yōu)勢。對于SiC MOSFET
發(fā)表于 05-14 09:57
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC MOSFET
發(fā)表于 05-13 16:10
?647次閱讀
SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它們針對超低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化,從而提高了效率并降低
發(fā)表于 05-13 11:04
?420次閱讀
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
發(fā)表于 03-13 14:31
?341次閱讀
在通用PWM發(fā)電機(jī)中,我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎?
發(fā)表于 03-01 06:34
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
發(fā)表于 02-19 16:29
?1238次閱讀
評論