0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

紫光12nm芯片技術取得突破了嗎

汽車玩家 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2022-06-30 10:00 ? 次閱讀

近幾年在全球疫情等因素的影響之下,全球芯片產業(yè)出現了嚴重供應不足的情況,手機、汽車等產品需要的大量芯片的供應都得不到保障。

而就在這種背景之下,美國又對華實行了制裁政策,不再允許美國企業(yè)向中國提供技術支持,這使得原本就搖搖欲墜的市場更是雪上加霜。

不過有句話說得好:塞翁失馬,焉知非福。多虧了美國的芯片制裁,國內企業(yè)紛紛意識到了自主研發(fā)的重要性,國家也加大了在芯片行業(yè)投入資金的力度,近幾年來我國的芯片行業(yè)飛速發(fā)展,開始沖擊各項先進技術。

在這樣的大環(huán)境下,我國著名芯片企業(yè)紫光國芯表示已經攻克了12nm制程工藝。紫光國芯的12nm制程工藝是在原本的14nm基礎之上改良而來,晶體管的體積變得更小了,晶體管更小之后,芯片的尺寸也隨之減小了,并且芯片的性能也得到了巨大的提高,功率和錯誤率等方面也得到了優(yōu)化。

雖然目前里世界頂尖水平還是有些差距,但若一直以這樣的勢頭來發(fā)展芯片行業(yè)的話,達到世界頂尖水平也只是時間長短的問題了,甚至能說是指日可待。

綜合整理自 品閱網 知魚觀察 賢集網

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    455

    文章

    50851

    瀏覽量

    423971
  • 紫光國芯
    +關注

    關注

    0

    文章

    90

    瀏覽量

    13351
  • 12nm
    +關注

    關注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    8075
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    臺積電產能爆棚:3nm與5nm工藝供不應求

    臺積電近期成為了高性能芯片代工領域的明星企業(yè),其產能被各大科技巨頭瘋搶。據最新消息,臺積電的3nm和5nm工藝產能利用率均達到了極高水平,其中3nm將達到100%,而5
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?365次閱讀

    紫光國芯LPDDR4產品榮獲“汽車芯片創(chuàng)新成果典型案例”

    芯片創(chuàng)新成果典型案例”。這一榮譽標志著紫光國芯在國產汽車芯片領域取得了新的突破,也彰顯了其產品的卓越性能和前沿
    的頭像 發(fā)表于 11-01 16:53 ?391次閱讀

    Flash電池充電突破了充電電流的界限

    電子發(fā)燒友網站提供《Flash電池充電突破了充電電流的界限.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 10-15 11:27 ?0次下載
    Flash電池充電<b class='flag-5'>突破了</b>充電電流的界限

    東軟睿馳NeuSAR成功適配紫光同芯THA6系列芯片

    近日,東軟睿馳與紫光同芯在智能汽車領域取得重要突破,雙方合作使東軟睿馳的基礎軟件平臺產品NeuSAR成為國內首家完成紫光同芯第二代汽車域控芯片
    的頭像 發(fā)表于 09-06 18:18 ?729次閱讀

    中國芯片制造關鍵技術取得重大突破,預計一年內實現應用落地

     9月3日,南京傳來振奮人心的科技捷報:歷經四年的潛心鉆研與自主創(chuàng)新,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)在半導體科技領域取得了里程碑式的成就,成功解鎖了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的核心
    的頭像 發(fā)表于 09-03 15:35 ?1655次閱讀

    傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成

    近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%,僅達到五成左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:53 ?667次閱讀

    紫光展銳突破5G廣播技術,引領無卡手機電視新紀元

    近日,紫光展銳在5G廣播技術領域取得了令人矚目的突破,成功實現了手機無卡接收5G網絡廣播的電視信號。這一創(chuàng)新成果不僅彰顯了紫光展銳在移動通信
    的頭像 發(fā)表于 06-03 11:54 ?748次閱讀

    臺銘光電808nm高功率激光芯片技術取得重大突破

    近日,臺銘光電宣布其808nm高功率半導體激光芯片研究取得了令人矚目的技術突破。經過研發(fā)團隊的持續(xù)努力與科研攻關,公司成功研制出25W高功率
    的頭像 發(fā)表于 05-31 11:16 ?778次閱讀

    聯電攜手英特爾開發(fā)12nm制程平臺,預計2026年完成,2027年量產

    今年初,聯電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺,以滿足移動設備、通信基礎設施及網絡市場的高速增長需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 09:15 ?460次閱讀

    存內計算——助力實現28nm等效7nm功效

    可重構芯片嘗試在芯片內布設可編程的計算資源,根據計算任務的數據流特點,動態(tài)構造出最適合的計算架構,國內團隊設計并在12nm工藝下制造的CGRA芯片,已經在標準測試集上實現了和7
    的頭像 發(fā)表于 05-17 15:03 ?1952次閱讀
    存內計算——助力實現28<b class='flag-5'>nm</b>等效7<b class='flag-5'>nm</b>功效

    華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破

    近日,華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破。經過公司研發(fā)團隊持續(xù)地科研攻關,華光光電成功研制出25W高功率高可靠性激光
    的頭像 發(fā)表于 04-26 10:54 ?1369次閱讀
    華光光電808<b class='flag-5'>nm</b>高功率半導體激光<b class='flag-5'>芯片</b>研究<b class='flag-5'>取得</b>重大<b class='flag-5'>技術</b><b class='flag-5'>突破</b>

    存儲技術革新之戰(zhàn) 閃存與內存巨頭競相突破

    三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別,并計劃在今年內啟動1c
    的頭像 發(fā)表于 04-16 15:22 ?692次閱讀

    精選推薦!紫光盤古系列FPGA開發(fā)板信息匯總

    ,開發(fā)的一套全新的國產FPGA開發(fā)套件。 MES100P開發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA 作為主控芯片(logos2系列:PG2L100H-6IFBG676),板卡電源采用圣邦微
    發(fā)表于 04-11 11:57

    紫光展銳5G IoT NTN衛(wèi)星通信SoC芯片V8821榮獲“移動技術創(chuàng)新突破獎”

    在2024年GTI國際產業(yè)大會的盛會上,紫光展銳的V8821芯片因其卓越的技術創(chuàng)新和行業(yè)領導地位,成功獲得了GTI頒發(fā)的“移動技術創(chuàng)新突破
    的頭像 發(fā)表于 03-03 15:37 ?1224次閱讀

    國產FPGA介紹-紫光同創(chuàng)

    高性能FPGA芯片Titan系列,采用40nm工藝,可編程邏輯資源最高達18萬個,已廣泛應用于通信、信息安全等領域。 Titan系列高端FPGA產品PGT180H已向國內多家領先通信設備廠商批量供貨
    發(fā)表于 01-24 10:45