聯(lián)電攜手英特爾開發(fā)12nm制程平臺，預計2026年完成，2027年量產(chǎn)

聯(lián)電年度股東會上，共同總經(jīng)理簡山杰強調(diào)，與英特爾共同開發(fā)12nm制程平臺將是公司技術(shù)發(fā)展重點，預計在2026年研發(fā)成功、2027年實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

今年初，聯(lián)電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺，以滿足移動設備、通信基礎設施及網(wǎng)絡市場的高速增長需求。

此次長期戰(zhàn)略合作將借助英特爾在美國的大規(guī)模制造能力以及聯(lián)電豐富的成熟制程晶圓代工經(jīng)驗，拓展制程組合，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的供應鏈服務，助力其做出明智的采購決策。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，聯(lián)電與英特爾在美國開展12nm FinFET制程合作，是公司追求經(jīng)濟高效產(chǎn)能擴張和技術(shù)節(jié)點升級策略的重要環(huán)節(jié)，這也是公司對客戶始終如一的承諾。

該合作將幫助客戶順利過渡至關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點，同時受益于北美市場產(chǎn)能的擴大所帶來的供應鏈穩(wěn)定性。他期待與英特爾深化戰(zhàn)略合作關(guān)系，充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，拓寬潛在市場，加速技術(shù)創(chuàng)新步伐。

股東會期間，簡山杰還詳細介紹了聯(lián)電12nm FinFET制程平臺相較于前代14nm FinFET的顯著優(yōu)勢，包括芯片尺寸減小、功耗降低等，充分發(fā)揮了FinFET的性能、功耗和閘密度優(yōu)勢，可廣泛應用于各類半導體產(chǎn)品。他透露，聯(lián)電12nm FinFET制程平臺將于2026年研發(fā)成功，2027年實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。