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臺(tái)銘光電808nm高功率激光芯片技術(shù)取得重大突破

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-31 11:16 ? 次閱讀
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近日,臺(tái)銘光電宣布其808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片研究取得了令人矚目的技術(shù)突破。經(jīng)過研發(fā)團(tuán)隊(duì)的持續(xù)努力與科研攻關(guān),公司成功研制出25W高功率、高可靠性的激光芯片,這一成果不僅進(jìn)一步鞏固了臺(tái)銘光電在半導(dǎo)體激光領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更為國內(nèi)半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入了新的活力。

808nm半導(dǎo)體激光器作為固體激光器的重要泵浦源,在多個(gè)領(lǐng)域均發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。從智能制造、工業(yè)加工到醫(yī)療健康、科研以及國家戰(zhàn)略高技術(shù)領(lǐng)域,這一技術(shù)都有著廣泛的應(yīng)用。臺(tái)銘光電此次的技術(shù)突破,不僅代表了公司在激光技術(shù)領(lǐng)域的實(shí)力,更為行業(yè)提供了更為可靠、高效的解決方案。

展望未來,臺(tái)銘光電將繼續(xù)致力于半導(dǎo)體激光技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新,為推動(dòng)我國激光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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