存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破

在AI與大數(shù)據(jù)技術(shù)迅猛發(fā)展的時(shí)代背景下，海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求如同洶涌的潮水般滾滾而來，這無疑給存儲(chǔ)技術(shù)帶來了空前的挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)行業(yè)的各大廠商，如同賽場上的運(yùn)動(dòng)員，紛紛摩拳擦掌，全力以赴，力求在這場科技的競賽中拔得頭籌。

在閃存領(lǐng)域，技術(shù)的革新更是如日中天。據(jù)最新的韓媒報(bào)道，三星電子即將在本月底正式開啟其第九代V-NAND閃存的量產(chǎn)之旅。這一成果的取得，源于該公司早在2022年便成功推出了236層第八代V-NAND閃存。如今，他們更是將閃存堆棧結(jié)構(gòu)升級(jí)至雙堆棧，使得層數(shù)一舉躍升至290層，這一技術(shù)突破無疑將推動(dòng)閃存領(lǐng)域的發(fā)展邁向新的高度。

然而，三星并未止步于此。他們與另一行業(yè)巨頭鎧俠共同展望了更為宏偉的未來。這兩家公司計(jì)劃在未來數(shù)年內(nèi)，共同研發(fā)出層數(shù)突破1000層的閃存技術(shù)。三星更是明確表示，他們力爭在2030年之前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash的量產(chǎn)目標(biāo)，而鎧俠也緊隨其后，計(jì)劃于2031年推出層數(shù)超過1000層的3D NAND Flash芯片。這一技術(shù)的革新，將徹底改變存儲(chǔ)市場的格局，為未來的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶來無限可能。

在內(nèi)存領(lǐng)域，各大存儲(chǔ)廠商同樣展現(xiàn)出了強(qiáng)烈的進(jìn)取心和創(chuàng)新能力。美光公司率先披露，他們的DRAM顆粒已邁入1α與1β先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，而下一代1γ DRAM更是將引入EUV光刻機(jī)，并已順利完成試生產(chǎn)。這一技術(shù)的引入，將大幅提升DRAM的制程精度和性能表現(xiàn)，為內(nèi)存市場注入新的活力。

與此同時(shí)，三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。在這一過程中，三星將采用先進(jìn)的極紫外光（EUV）技術(shù)，以進(jìn)一步提升芯片的性能和可靠性。此外，他們還計(jì)劃于2025年正式邁入3D DRAM時(shí)代，并已展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項(xiàng)前沿的3D DRAM技術(shù)，這些技術(shù)的突破將推動(dòng)內(nèi)存領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)入全新的階段。

SK海力士同樣在3D DRAM領(lǐng)域展現(xiàn)出了不俗的實(shí)力。他們提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料的創(chuàng)新方案。IGZO是一種由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，具有低待機(jī)功耗的特點(diǎn)，非常適用于對續(xù)航時(shí)間有較高要求的DRAM芯晶體管。通過精準(zhǔn)調(diào)控IGZO的成分組成比，可以輕松實(shí)現(xiàn)其性能的優(yōu)化，這一創(chuàng)新方案無疑將為3D DRAM的發(fā)展注入新的動(dòng)力。

在這場存儲(chǔ)技術(shù)的競賽中，各大廠商正全力以赴，不斷推陳出新，力求在未來的科技浪潮中占據(jù)制高點(diǎn)。

審核編輯：黃飛