曝高通將與臺(tái)積電攜手打造4nm芯片

高通在去年12月帶來(lái)了史上最強(qiáng)的驍龍888芯片，采用三系的5nm制程工藝，帶來(lái)了前所有的強(qiáng)大性能。

但根據(jù)最新消息，高通內(nèi)部正在開(kāi)發(fā)一款更加強(qiáng)大的驍龍新品，其將與臺(tái)積電攜手打造，采用臺(tái)積電的4nm制程工藝。

報(bào)道稱，促使高通轉(zhuǎn)投臺(tái)積電懷抱的主要原因是，近期有消息稱臺(tái)積電的4nm工藝計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)，三星作為其對(duì)手相對(duì)落后了一些，而高通又急于應(yīng)用新的工藝改善新品的性能。

消息稱，這款基于臺(tái)積電4nm的驍龍芯片應(yīng)該會(huì)在明年正式亮相。

但如此一來(lái)，作為驍龍888繼任者的驍龍895（暫定名）可能就無(wú)緣最新工藝了。

據(jù)相關(guān)爆料顯示，驍龍895將會(huì)在今年年底正式亮相，依然由三星為其代工，但會(huì)升級(jí)為增強(qiáng)改良版的5nm工藝，在制程層面的性能和功耗能得到進(jìn)一步優(yōu)化。

不過(guò)，驍龍895有望整合高通基于4nm工藝推出的X65 5G基帶，5G速率提升至10Gbps，實(shí)現(xiàn)了跨越式進(jìn)步，同時(shí)也是全球首個(gè)符合3GPP Release 16規(guī)范的5G基帶，具備可升級(jí)架構(gòu)。

值得注意的是，驍龍X65還配備了高通5G PowerSave 2.0技術(shù)，這是一項(xiàng)基于3GPP Release 16定義的全新省電技術(shù)，比如聯(lián)網(wǎng)狀態(tài)喚醒信號(hào)，能帶來(lái)更加優(yōu)秀的功耗表現(xiàn)，大幅改善現(xiàn)有5G芯片功耗過(guò)高的痛點(diǎn)。

驍龍895與驍龍X65的黃金組合勢(shì)必會(huì)令5G旗艦手機(jī)的產(chǎn)品力進(jìn)一步提升，按照慣例，驍龍895將在今年年底由小米12首發(fā)搭載，盡請(qǐng)期待。

責(zé)任編輯：PSY