南亞科10納米級DRAM技術(shù)自主研發(fā)完成

據(jù)***《聯(lián)合報》報道，南亞科總經(jīng)理李培瑛于10日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級DRAM技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。

據(jù)悉，全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。

南亞科現(xiàn)在以20納米技術(shù)為主力，技術(shù)來源為美光。隨著南亞科10納米制程導(dǎo)入自主技術(shù)，意味未來不再仰賴美光授權(quán)，每一顆產(chǎn)品都是公司自行開發(fā)，擺脫數(shù)十年來技術(shù)長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權(quán)費用，包袱大減。

李培瑛表示，南亞科已成功開發(fā)出10納米DRAM新型記憶體生產(chǎn)技術(shù)，使DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個時代。第一代的10納米前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺，2020下半年后將進入產(chǎn)品試產(chǎn)。

第二代10納米制程技術(shù)已開始研發(fā)階段，預(yù)計2022年前導(dǎo)入試產(chǎn)，后續(xù)會開發(fā)第三代10納米制程技術(shù)。他強調(diào)，南亞科進入10納米制程之后，會以自行研發(fā)的技術(shù)為主，降低授權(quán)費用支出，能大幅提升效能。

順應(yīng)10納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的55億元。李培瑛說，除可改善成本，南亞科成功自主開發(fā)10納米制程技術(shù)，將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機會與技術(shù)進展。