美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

據(jù)3月5日消息，美光科技考慮采用Canon的納米印刷技術(shù)以節(jié)省DRAM存儲芯片的單層制造成本。

近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復雜。通過運用被稱作“Chop”的方法，層數(shù)逐漸增多，由此需經(jīng)過更多曝光步驟來去除密集存儲器陣列周圍的無用元件。

他們指出，因為光學系統(tǒng)本身的限制，DRAM層的圖案難以用光學光刻技術(shù)印刷，然而納米印刷卻可實現(xiàn)更為精妙的效果。再者，納米印刷技術(shù)所產(chǎn)生的成本僅為浸入式光刻的五分之一，因此被視為極具吸引力的解決方案。

盡管納米印刷無法取代全部光刻工藝，但能夠有效降低技術(shù)操作的成本。

值得一提的是，Canon于去年10月份發(fā)布了FPA-1200NZ2C納米壓印光刻（NIL）半導體設(shè)備。佳能總裁御手洗富士夫強調(diào)，這項技術(shù)為小型半導體企業(yè)提供了一個生產(chǎn)前沿芯片的新途徑。

佳能半導體設(shè)備業(yè)務(wù)經(jīng)理巖本和德解釋道，此項技術(shù)主要依賴于通過壓制帶半導體電路圖案的掩模在晶片上生成復雜的二維或三維電路圖樣。據(jù)悉，只需配備合適的掩模，便能實現(xiàn)從2nm甚至更為先進芯片的制造。