引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131396 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:005381 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。 常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息
2012-01-12 10:51:59
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺(tái)，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會(huì)在晶圓上蝕刻出電路?！ 《す馄髫?fù)責(zé)光源產(chǎn)生，而光源對(duì)制程工藝是決定性影響的，隨著半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點(diǎn)
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
。光刻機(jī)的曝光波長(zhǎng)也在由紫外譜g線 (436nm)→i線(365nm)→248nm→193nm→極紫外光（EUV）→X射線，甚至采用非光學(xué)光刻（電子束曝光、離子束曝光），光刻膠產(chǎn)品的綜合性能也必須隨之
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
電介質(zhì)和濾波應(yīng)用的旋涂材料 PC3 系列 產(chǎn)品可用于平坦化，臨時(shí)行粘接層和保護(hù)涂層。 BDC1/PDC1/ZPDC1 系列 產(chǎn)品可作為高效參雜層，代替昂貴的CVD參雜工序。 RD6系列 光刻膠顯影液，可用
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
光刻膠的玻璃烘烤一段時(shí)間，以使光刻膠中的溶劑揮發(fā)，增加與玻璃表面的粘附性。E. 曝光：用紫外光（UV）通過預(yù)先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發(fā)生反應(yīng)，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模
2019-07-16 17:46:15
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
區(qū)別在于材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)和光刻膠對(duì)光的反應(yīng)方式。對(duì)于正性光刻膠，暴露在紫外線下的區(qū)域會(huì)改變結(jié)構(gòu)，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準(zhǔn)備。負(fù)性光刻膠則正好相反，受光照射的區(qū)域會(huì)聚合，這會(huì)使其變得更難溶解
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來(lái)源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點(diǎn)介紹了三級(jí)磁
2010-04-22 11:41:29
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請(qǐng)哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
曝光：用紫外光（UV）通過預(yù)先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發(fā)生反應(yīng)，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對(duì)光刻膠進(jìn)行選擇性曝光：（如圖所示）F． 顯影：用顯影液處理玻璃
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻膠 光刻制造過程中，往往需采用20-30道光刻工序，現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕環(huán)節(jié)是復(fù)制
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來(lái)水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無(wú)機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 ? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 今年4月開始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。
2018-10-17 15:44:564730 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發(fā)極紫外（EUV）光刻機(jī)，其公司認(rèn)為，一旦當(dāng)今的系統(tǒng)達(dá)到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機(jī)來(lái)繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和分立器件、平板顯示、LED、以及倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等產(chǎn)品的制作過程。
2019-02-11 13:54:5224578 
光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。
2019-02-19 09:17:0638454 近日，日本對(duì)韓國(guó)進(jìn)行出口限制，光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498 光刻膠概念股南大光電10月23日公告，擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項(xiàng)目。
2019-10-24 16:47:213114 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:527318 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 10:50:591943 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)光刻系統(tǒng)供應(yīng)商ASML（阿斯麥）去年交付了26臺(tái)極紫外光刻機(jī)（EUV），調(diào)查公司Omdia表示，其中約一半面向大客戶臺(tái)積電。ASML此前公布，2019年，共向客戶交付了26
2020-04-09 11:20:062310 對(duì)于芯片制造廠商來(lái)說，光刻機(jī)的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工藝已經(jīng)提升至5nm和3nm之后，極紫外光刻機(jī)就顯得更為重要。而ASML作為全球唯一有能力制造極紫外光刻機(jī)的廠商，他的一舉一動(dòng)，牽動(dòng)著所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游廠商的心。
2020-04-15 15:44:364093 4月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在智能手機(jī)等高端設(shè)備芯片的工藝提升到5nm之后，能生產(chǎn)5nm芯片的極紫外光刻機(jī)就顯得異常重要，而作為目前全球唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)的廠商，阿斯麥的供應(yīng)量直接決定了各大芯片制造商5nm芯片的產(chǎn)能。
2020-04-18 09:09:433544 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，
2020-09-15 14:00:1416535 技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252958 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 》中明確提出，要加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，加快在光刻膠、高強(qiáng)高導(dǎo)耐熱材料、耐腐蝕材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。 成立于1996年的深圳市容大感光科技股份有限公司，作為我國(guó)首批PCB感光油墨生產(chǎn)制造商之一，多年來(lái)始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，致力于高
2020-10-22 15:20:153201 將先完成，預(yù)計(jì)2021年2月開始量產(chǎn)，屆時(shí)信越化學(xué)將得以在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)可與極紫外光（EUV）光刻技術(shù)兼容的光刻膠，以滿足臺(tái)積電等臺(tái)廠客戶的需求。 日本的工廠將建在新瀉縣，預(yù)計(jì)2022年開始運(yùn)作。屆時(shí)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的光刻膠將增產(chǎn)50%，日本
2020-10-22 17:25:323413 日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪光刻機(jī)大廠ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:39:061509 根據(jù)報(bào)道，信越化學(xué)將會(huì)在日本和臺(tái)灣地區(qū)興建工廠，位于臺(tái)灣地區(qū)云林工廠將先完成，預(yù)計(jì)2020年2月開始量產(chǎn)，屆時(shí)信越化學(xué)將得以在臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)可與極紫外光（EUV）光刻技術(shù)兼容的光刻膠，以滿足臺(tái)積電等臺(tái)廠客戶的需求。
2020-11-05 09:31:382014 數(shù)百道工藝的層層打磨，一顆嶄新的芯片才正式誕生。 而芯片制造所需的關(guān)鍵設(shè)備就是光刻機(jī)，但是我們今天不談光刻機(jī)，我們要來(lái)聊一聊光刻機(jī)中最重要的材料光刻膠。 光刻膠又稱為光致抗蝕劑，它是一種對(duì)光敏感的有機(jī)化合物，受紫外光曝
2020-11-14 09:36:575407 
在5nm、6nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)、第二代5nm工藝即將投產(chǎn)的情況下，芯片代工商臺(tái)積電對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求也明顯增加。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱，臺(tái)積電已向阿斯麥下達(dá)了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:141640 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。 光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種，
2020-12-29 09:14:542095 對(duì)于阿斯麥（ASML）來(lái)說，他們正在研發(fā)更先進(jìn)的光刻機(jī)，這也是推動(dòng)芯片工藝?yán)^續(xù)前行的重要?jiǎng)恿Α?ASML是全球目前唯一能制造極紫外光刻機(jī)的廠商，其在推出TWINSCAN NXE:3400B和NXE
2020-12-29 11:06:572287 12月29日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，ASML正在研發(fā)更先進(jìn)、效率更高的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)：NXE:5000系列，設(shè)計(jì)已經(jīng)基本完成，預(yù)計(jì)在2022年開始商用。
2020-12-30 10:29:302159 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星電子的芯片制程工藝，均已提升到了 5nm，更先進(jìn)的工藝研發(fā)也在推進(jìn)，并在謀劃量產(chǎn)事宜。 在制程工藝提升到 5nm 之后，也就意味著臺(tái)積電、三星等廠商，對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求
2021-01-25 17:10:181352 ，對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求會(huì)不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺(tái)極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將
2021-01-25 17:21:543321 對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說，他們今年依然會(huì)狂購(gòu)極紫外光刻，用最先進(jìn)的工藝來(lái)確保自己處于競(jìng)爭(zhēng)的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511137 近日，荷蘭的光刻機(jī)制造商阿斯麥（ASML）發(fā)布2020年度財(cái)報(bào)，全年凈銷售額達(dá)到140億歐元，毛利率達(dá)到48.6%。ASML同時(shí)宣布實(shí)現(xiàn)第100套極紫外光刻（EUV）系統(tǒng)的出貨，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:232588 2月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星電子，從阿斯麥購(gòu)買了大量的極紫外光刻機(jī)，用于為蘋果、高通等客戶代工最新的智能手機(jī)處理器。 而從外媒的報(bào)道來(lái)看，除了臺(tái)積電和三星，存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士
2021-02-02 18:08:482632 2月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片制程工藝提升至5nm的臺(tái)積電和三星，已從阿斯麥購(gòu)買了大量的極紫外光刻機(jī)，并且還在大量購(gòu)買。
2021-02-26 09:22:011530 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152624 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 ，必須：1）保證光刻膠粘附，防止圖案被蝕刻；2）防止蝕刻劑滲透到光致抗蝕劑/材料界面。為了避免后一種現(xiàn)象，了解蝕刻劑是否穿透光刻膠以及其擴(kuò)散速率是至關(guān)重要的。 蝕刻垂直滲透的界面修飾已經(jīng)在之前的工作中得到了證明。我
2022-01-18 15:20:01410 
待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23758 
光刻機(jī)是制作芯片的關(guān)鍵設(shè)備，利用光刻機(jī)發(fā)出的紫外光源通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的硅片曝光，使光刻膠性質(zhì)變化、達(dá)到圖形刻印在硅片上形成電子線路圖。我國(guó)目前還是采用什深紫外光的193nm制程工藝，如上海微電子裝備公司（CMEE）制程90nm工藝的光刻機(jī)，那么90nm光刻機(jī)能生產(chǎn)什么芯片呢？
2022-06-30 09:46:2131257 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415833 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432574 熱點(diǎn)新聞 1、 ASML 阿斯麥 CEO 透露高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī) 2024?年開始出貨 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，光刻機(jī)制造商阿斯麥的 CEO 兼總裁彼得?維尼克 (Peter Wennink)，在本周
2022-11-18 19:00:033971 科學(xué)家利用選擇性紫外光刻實(shí)現(xiàn)復(fù)合纖維材料的光纖微圖案化
2022-12-22 14:58:13194 
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功率，每天耗電達(dá)到三萬(wàn)度。
生產(chǎn)效率仍不
2023-06-08 15:56:42283 
UVPhotoresistforg-lineandi-line撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)
2022-02-14 09:41:46280 
://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸
2022-02-15 11:23:37280 MODEL：XT-01-UVlitho-手動(dòng)版一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是集成電路最重要的加工工藝。光刻膠在紫外光的照射下發(fā)生化學(xué)變化，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程
2022-12-20 09:24:261212 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長(zhǎng)期以來(lái)
2023-07-05 10:11:241026 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:34381 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國(guó)有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50200 
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