根據(jù)IC Insights的最新研究報(bào)告顯示，目前IC公司提供的面向邏輯芯片工藝技術(shù)比以往任何時(shí)候都多，邏輯IC工藝技術(shù)已經(jīng)取得重大進(jìn)步。盡管開發(fā)成本不斷增加，但IC制造商仍在繼續(xù)取得巨大進(jìn)步
2019-02-24 15:15:07
5427 模擬IC往往需要采用能夠優(yōu)化性能和精度的特殊IC工藝技術(shù)。這種獨(dú)立設(shè)計(jì)最終在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)方案中獲得了廣泛的應(yīng)用。
2012-03-15 15:43:381705 
Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 上一篇文章“51單片機(jī)最高頻率”中提及經(jīng)典51單片機(jī)是不支持乘法運(yùn)算的。這里我來解釋一遍：①因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IC工藝技術(shù)問題，以前單片機(jī)工藝可能不是nm單位而已um單位。所以集成不了那么多晶體管。②因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IC工藝
2021-11-25 06:38:05
PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。
2019-05-31 07:28:26
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
，同樣對(duì)于確保進(jìn)出IC的信號(hào)的完整性也起到重要的作用。3、其它相關(guān)的IC工藝技術(shù)問題集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC
2014-11-19 15:16:38
RFID應(yīng)用參考架構(gòu)是由哪些部分組成的？RFID應(yīng)用中的7類技術(shù)問題你都知道嗎？
2021-05-25 06:32:28
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請(qǐng)問誰有PCB板三防工藝，三防時(shí)如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達(dá)標(biāo)的問題。
2009-04-24 11:54:19
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
和日趨完善?！ ∪詣?dòng)貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對(duì)設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個(gè)工序，整個(gè)SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動(dòng)貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當(dāng)然這些只是EMC設(shè)計(jì)中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術(shù)問題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
我在論壇上提出了一個(gè)關(guān)于開發(fā)板的簡單技術(shù)問題，它已經(jīng)過了一個(gè)多月，我收到了回復(fù)，但沒有回答。我嘗試了“知識(shí)庫”，搜索文檔，查看了“參考設(shè)計(jì)”。似乎沒有辦法打開傳統(tǒng)的“服務(wù)請(qǐng)求”。（在此頁面
2020-05-27 07:47:30
正確性和準(zhǔn)確性完全取決于操作者的技術(shù)水平和責(zé)任心，因此這種方式既不可靠，也很對(duì)于BGA，CSP等IC封裝及1005以下的片式元件，采用手工貼裝方式已經(jīng)是捉襟見很難保證貼裝質(zhì)量了?！ D1（a） 手工貼裝方式示意圖 圖1（b） 手工貼裝用真空吸筆
2018-09-05 16:37:41
五個(gè)技術(shù)指標(biāo) 1. 集成度（Integration Level）是以一個(gè)IC芯片所包含的元件(晶體管或門/數(shù))來衡量，（包括有源和無源元件） 。隨著集成度的提高，使IC及使用IC的電子設(shè)備的功能增強(qiáng)
2018-08-24 16:30:28
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對(duì)多層板層壓工藝有一個(gè)比較好的了解．為此就多年的層壓實(shí)踐，對(duì)如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
電網(wǎng)通信技術(shù)問題求解，已知電力電纜物理?xiàng)l件，及電壓、頻率，數(shù)據(jù)信號(hào)的頻率，如何計(jì)算數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸距離。求解！
2015-09-29 16:50:15
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項(xiàng)目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項(xiàng)目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 摘 要：熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù)，但因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工藝 處于一個(gè)
2006-04-16 21:33:461902 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:53669 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:12967 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)
2009-12-18 10:39:01805 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級(jí)，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對(duì)專有模擬、混合信號(hào)和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng)，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵(lì)器系統(tǒng)，它能夠通過高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49651 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 日前，記者從有關(guān)方面獲悉，昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù)，并于201
2010-12-29 09:29:35534 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 可植入、可消化、可互動(dòng)、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對(duì)醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bipolar）與CMOS工藝進(jìn)
2012-07-16 17:54:572873 
科銳公司（CREE）宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 2015年4月27日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競爭對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過孔和埋孔設(shè)計(jì)，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步取決于IC制造商繼續(xù)提供更多性能和功能的能力。隨著主流CMOS工藝在理論，實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)方面的限制
2019-02-25 09:24:512768 PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021 
MCM電子工藝技術(shù)簡介 表面安裝元器件也稱作貼片式元器件或片狀元器件它有兩個(gè)顯著的特點(diǎn)： 1、在SMT元器件的電極上有些焊端完全沒有引線，有些只有非常短小的引線；相鄰電極=之間的距離比傳統(tǒng)的雙列
2020-03-10 11:18:461246 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 這幾年來，微間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知，但是，再進(jìn)一步，說到微間距LED屏具體的工藝技術(shù)，普通大眾則很少知曉，“只知其一不知其二”，專業(yè)知識(shí)的匱乏，直接導(dǎo)致了選購盲點(diǎn)的出現(xiàn)。
2020-12-24 10:14:521903 IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541281 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928 上一篇文章“51單片機(jī)最高頻率”中提及經(jīng)典51單片機(jī)是不支持乘法運(yùn)算的。這里我來解釋一遍：①因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IC工藝技術(shù)問題，以前單片機(jī)工藝可能不是nm單位而已um單位。所以集成不了那么多晶體管。②因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IC工藝
2021-11-17 10:21:0216 電子工藝技術(shù)論文-反射層對(duì)倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 詳細(xì)描述了PCB的加工工藝技術(shù)
2022-02-11 16:29:300 Siemens Digital Industries Software宣布，其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào)集成電路 （IC） 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過 Tower Semiconductor 的 SBC13 和 SBC18 工藝技術(shù)的認(rèn)證。
2022-03-16 14:56:571762 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 Ansys憑借實(shí)現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡，通過臺(tái)積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺(tái)榮獲臺(tái)積電N3E
2022-11-17 15:31:57696 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 ，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:235 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
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