0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
長(zhǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它包含三個(gè)非易失（NV）、低溫度系數(shù)的數(shù)字可變電阻，當(dāng)與外部固定電阻并聯(lián)時(shí)，可提供歐姆和亞歐姆級(jí)的步長(zhǎng)。DS3906的三個(gè)電阻都具有64級(jí)電阻設(shè)置（和一個(gè)高阻態(tài)），采用巧妙的偽對(duì)數(shù)分級(jí)特性
2021-05-18 08:06:32
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
sram 是連續(xù)的，并不是像STM32F4那樣是分開的 以下圖CG型號(hào)為例，現(xiàn)在的資源是有總的FLASH 1024K，RAM 256K(零等待區(qū)ZW)+96K=352KB如果按著默認(rèn)的配置96K RAM
2020-11-20 21:25:08
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
大家好：關(guān)于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問題要問：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應(yīng)該設(shè)置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設(shè)置為0x02
2018-09-26 10:01:35
1外觀說明2板載資源ALIENTEK探索者STM32F4開發(fā)板板載資源如下：◆CPU：STM32F407ZGT6，LQFP144，F(xiàn)LASH：1024K，SRAM：192K；◆外擴(kuò)SRAM
2021-08-20 06:11:08
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒有對(duì)NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問題出現(xiàn)（對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
1內(nèi)核，32位，168M FPU（浮點(diǎn)數(shù)處理單元）一般會(huì)選用DSP 做浮點(diǎn)數(shù)處理。2.IO口，輸入輸出端口。144個(gè)IO引腳(大部分5V）3.內(nèi)存。 1024K flash, 192k SRAM
2021-07-23 08:02:43
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
賽普拉斯NV-SRAM解決方案
2020-12-30 07:15:03
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對(duì)其進(jìn)行程序設(shè)計(jì)，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過
2021-05-17 07:50:20
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53
901 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測(cè)
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05558 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42499 DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879 DS3640是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于需要加密存儲(chǔ)的應(yīng)用，包括POS終端等。DS3640支持最高密級(jí)的FIPS 140.2、通用標(biāo)準(zhǔn)、PCI PED和EMV? 4.1認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
2011-06-02 11:37:09839 DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words
2017-09-19 17:32:524 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2017-10-10 08:56:325 NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454 隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686 高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。
2022-11-30 17:48:48502 
達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795 
DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59668 
自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1345YP-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1345YP-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1345YP-70+真值表，DS1345YP-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:48:32
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