1.5V升壓3.3V，1.5V升壓5V1.5V升壓3.3V芯片，1.5V升壓5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低紋波、高工作頻率1.2MHZ的 PFM 同步升壓DC/DC 變換器
2020-09-21 19:25:05
起因:
玩nas+軟路由，m2+無線網(wǎng)卡+板載各種芯片(網(wǎng)卡)等對3.3v需求大，估算需求約20a，nas用的是flex電源，flex電源3.3v基本都只有10-15a，目前用的電源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
近期做的一個電路，涉及3.3V與5V之間的電平轉(zhuǎn)換，搜到一個文檔，值得學習一下。3V與5V互聯(lián)技巧.pdf (827.08 KB )
2019-09-24 04:37:38
我用的開發(fā)板上有5v與3.3v的電源，開發(fā)板上的芯片用的是3.3v供電,我叫他芯片A，我現(xiàn)在要接的芯片是5v的,我叫他芯片B，5v我從開發(fā)板上取。 1.芯片A的高為3.3V,芯片B說明書上記著V
2023-04-18 10:47:55
750K波特率 UART 串口3.3V轉(zhuǎn)5V波形，當TX發(fā)高電平時，RX輸出上升沿都是瞬間達到3.3V，然后再從3.3V慢慢升到5V。不管用三極管和MOS管都有這個現(xiàn)象，三極管更明顯達到920nS
2019-08-18 00:59:21
`描述此 4W 參考設(shè)計產(chǎn)生 3.3V 和 12V 輸出。3.3V 輸出為穩(wěn)壓輸出，而 12V 輸出具有某種依賴于負載的變化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解決方案。`
2015-04-10 15:37:15
單片機是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節(jié)充電電池接上后MOS管一直導通,不受單片機控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠
2019-09-18 03:45:09
3.3V單片機驅(qū)動3205需要電平轉(zhuǎn)換，之前用的max232低速時效果還可以。頻率超過5K波形就會失真，10K就嚴重失真了。請指教有沒有更好的方案（不想用升壓電路，有5V）。
2013-05-13 15:07:34
電子產(chǎn)品要想工作都離不開電源，電源是必須的電路。現(xiàn)在的單片機工作電壓一般為DC5V或者DC3.3V，對于壓差不太大的情況，一般使用降壓芯片來實現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)化。下面介紹3.3V和5V常用的轉(zhuǎn)換芯片
2021-11-10 08:32:48
12864液晶買錯了買成了 3.3V 的 最小系統(tǒng)是5V的 輸出 直接接上去屏幕有陰影 而且發(fā)熱嚴重 調(diào)節(jié)對比度的電位器是10K的 請教一下 3.3V的液晶該怎樣連接5V的單片機系統(tǒng) 在IO口直接串接電阻可行嗎？大概串多大電阻。。。
2013-10-16 12:48:04
小弟急需一款
3.3V供電，通訊時邏輯電平也為
3.3V的，最好帶中文字庫，或者字符型的也可以，尺寸要求小于12864那個！?。。。。∮袥]有啊 求幫助對了我看到有12232型，可是資料上寫著可以3
V供電，但是邏輯電平為什么還在4.5
V左右？不是
3.3V的嗎？有木有用過的大神幫幫我?。。。?/div>
2013-12-30 11:31:32
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封裝 T/R卷帶包裝
2018-12-19 12:27:32
我用CH340K做一鍵下載電路，現(xiàn)在遇到的情況是給CH340K供電使用的是3.3V，芯片的10腳V3接了3.3v，能夠與單片機通信，但是復位按鈕按下之后會導致單片機進入錯誤的啟動方式，檢查發(fā)現(xiàn)
2022-07-13 06:32:39
uart電平是5V還是3.3V標準？
2022-07-08 07:14:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
DC/DC 電源12V輸入，3.3V輸出，3.3V上升過程不平滑。是什么原因?qū)е拢绾谓鉀Q？綠色是3.3V。 有圖
2012-12-31 12:38:57
我用的5V的電壓 ，然后用了ME6219C將5V的電壓轉(zhuǎn)換成了3.3V的電壓，3.3V的電壓用來給NRF24L01供電，不接NRF，VCC的電壓是3.3V，接上NRF后，VCC的電壓就變成了4.4V了，接上其他的負載，比如LED燈，電壓還是3.3。為什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40帶5V電源。在端口B，我選擇了SPI接口。我打開了SDO和SCK PIN的集合。用一個3.3V的上拉電阻，我可以使用3.5V的奴隸，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
PIC18F66K80系列datasheet開頭提到有個新特性O(shè)n-chip 3.3V Regulator(集成3.3V穩(wěn)壓器)，后面又有圖片中這兩段，意思我理解為本來用戶可以通過ENVREG
2016-03-29 20:02:02
STC15W4K48S4使用ds1302 讀取的時候顯示85.請問是要加上拉電阻么。應(yīng)該加多大的。（我的電源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
1外觀說明2板載資源ALIENTEK探索者STM32F4開發(fā)板板載資源如下：◆CPU：STM32F407ZGT6，LQFP144，F(xiàn)LASH：1024K，SRAM：192K；◆外擴SRAM
2021-08-20 06:11:08
按照 TPS61221的數(shù)據(jù)手冊，其輸入電壓范圍為0.7V-5.5V,當輸入電壓大于3.3V時，其輸出電壓不再穩(wěn)壓為3.3V，當輸入電壓為5V時，其輸出為4.7V，這是什么原因呢？是因為其為升壓芯片，只能進行升壓，而不能降壓嗎？
2016-02-01 15:52:30
無法啟動. 但是在3.3電平下短接下載按鍵(10K上拉DP到3.3v), WCHISPTool可以識別到ch552t.
2022-06-02 06:32:39
集成了許多增強特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊
2018-11-29 12:15:00
現(xiàn)在在做的是電機驅(qū)動板，之前用的是5V單片機，現(xiàn)在用的是3.3V的，之前的電源是由15V-5V用的是UTC78D05，現(xiàn)在需要15V-3.3V，是否可以直接采用UTC78D33從15V降到3.3V
2017-06-03 15:53:02
DN72- 單個LTC1149在17W時提供3.3V和5V電壓
2019-07-02 06:29:25
。本節(jié)將討論接口電路，以幫助緩和信號在不同電源之間轉(zhuǎn)換的問題。技巧十四：3.3V→5V模擬增益模塊從 3.3V 電源連接至 5V 時，需要提升模擬電壓。33 kΩ 和 17kΩ 電阻設(shè)定了運放的增益
2021-05-09 06:30:00
嗨， LSM6DS33的典型電源電壓為1.8V，最大限制為3.6V。如果連續(xù)為設(shè)備提供3.3V的電源電壓，這樣可以嗎？ 問候，Prachi＃lsm6ds33以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
你好，請您建議我評估最佳連接方式美國國家半導體的DS90CR288 Camera Link接收器采用V5。問題是DS90CR288具有3.3 V LVTTL輸出，我顯然需要連接它們的終端 - 線路
2020-05-28 06:16:57
最近需要解決一個問題，在一個3.3V電路中大致檢測區(qū)分一個MΩ電阻和幾百K的電阻，使MCU能夠?qū)ζ鋮^(qū)分，但是無論是電流ADC檢測還是電壓ADC檢測好像都做不了，大佬們可以給點建議嗎？
2020-05-25 09:27:55
?；?DS，相應(yīng)的引腳（PA11-14、PB3、NRST）都是 FT，這意味著它們可以承受 5V 電壓。那么，我假設(shè)我可以使用 3.3V JTAG/USB-DFU 而無需電平轉(zhuǎn)換器將它們降至 1.8V 是否正確？
2022-12-26 10:52:54
如何使用2.7V控制3.3V的通斷？希望大神可以附上圖。
2019-04-09 09:36:05
PW5100適用于一節(jié)干電池升壓到3.3V，兩節(jié)干電池升壓3.3V的升壓電路，PW5100干電池升壓IC。干電池1.5V和兩節(jié)干電池3V升壓到3.3V的測試數(shù)據(jù)兩節(jié)干電池輸出500MA測試
2021-04-23 14:33:35
哪位哥們用個64K 8位、3.3v供電的RAM 幫提供兩個型號唄！
2019-01-14 06:36:13
RD-268，用于ATX電源的300W，-12V，3.3V，5V，12V AC至DC多輸出電源的參考設(shè)計。 PFC和PWM組合控制器300W
2019-06-24 11:52:29
NV890100PDR2GEVB，用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評估板。 NCV890100是一款固定頻率，單芯片，降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，適用于汽車，電池連接應(yīng)用，必須在高達36V的輸入電源下工作
2019-04-08 10:56:57
NV890130PDR2GEVB，用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評估板。 NCV890130是一款固定頻率，單芯片，降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，適用于汽車電池連接應(yīng)用，必須采用高達32 V的輸入電源供電
2019-04-08 07:33:53
我有5V電源，通過1117可以轉(zhuǎn)成3.3V的電源，我現(xiàn)在如果想得到一個-3.3V的電源，該如何解決？能不能給出電路圖來看看？謝謝了
2019-02-21 19:59:02
我想使用TI的電源模塊PTR08060W（輸入4.5V~14V轉(zhuǎn)0.6V~5.5V6A電流能力）產(chǎn)生一個-3.3V（2A）。能否將Vin直接連接-5V使得Vout輸出-3.3V還是將Vin連接+5V
2019-04-09 06:28:14
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 09:45 編輯
藍牙模塊的RX,TX的電平為3.3V,與藍牙模塊相連的MCU通訊串口電平為3.3v或者5v，要給藍牙模塊做一個小板子，要求
2018-06-10 19:39:48
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:1711 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時滿足新的封裝技術(shù)不斷增長的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53
901 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:37879 DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時鐘發(fā)生器，可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過頻譜擴展(抖動)的方波輸出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅
2015-12-14 14:11:200 The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words
2017-09-19 17:32:524 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘
2017-10-10 08:56:325 賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍
2020-12-22 15:18:33454 隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點。
2022-01-25 19:50:512 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器
2022-06-10 15:23:01686 達拉斯半導體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795 
DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59668 
自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長期存儲器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1345YP-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1345YP-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1345YP-70+真值表，DS1345YP-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:48:32
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